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采用脉冲激光沉积技术,在Si(111)衬底上成功制备出不同含量Na,Co共掺的ZnO薄膜.利用X射线衍射仪、原子力显微镜、荧光光谱仪以及四探针电阻率测试台对薄膜的结构、表面形貌和光电性质进行了表征.重点讨论了不同掺杂浓度对薄膜光电性质的影响.结果表明:Na,Co共掺没有改变ZnO的六角纤锌矿结构且掺杂导致薄膜仅有的的紫外发光峰出现红移.当Na,Co掺杂浓度分别为10%时,峰值最强且红移最明显,发光峰波长为397 nm,薄膜的电阻率最低,达到了8.34×10-1 Ω ·cm.深入讨论了
关键词:
脉冲激光沉积
1-x-yNaxCoyO薄膜')" href="#">Zn1-x-yNaxCoyO薄膜
光电性质
红移 相似文献
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设计了SiO2与电极间加入ZnS的复合加速层结构,进一步说明靠电子注入的增强来扩大初电子源.同时,在电子发生倍增前后的电压下,对比了单层和夹层结构的不同加速层的发光性能.得到在低压直流下单侧复合加速层器件的发光优于单层SiO2加速层器件而劣于单层ZnS器件;在高压交流下复合加速层表现出明显的优势,在复合加速层中,ZnS不仅对电子有加速作用,而且对增强电子注入贡献很大,同时ZnS和SiO2/ZnS界面还提供了初电子源.另外,与SiO
关键词:
电致发光
复合加速层
过热电子
固态阴极射线 相似文献
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有机无机异质节中稀土配合物电致发光的研究 总被引:2,自引:2,他引:0
报道了有机无机异质节中稀土配合物的电致发光,器件结构为:ITO/PVK:Rare Earth Complex/无机材料/Al,其中无机材料可以选用ZnS,ZnSe,ZnO等。在这种结构的器件中,均获得了比较好的稀土离子的特征发射。以无机材料ZnS为例,讨论了异质节中稀土配合物的电致发光及优势。ZnS的电介质系数比PVK的电介质系数大3倍多,将有更大部分的电压降落在PVK层上,使PVK层内的电场强度增大,从而可以提高空穴在PVK层内的迁移速度,提高了空穴注入数目,有利于载流子的平衡。 相似文献
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为了研究有机多层阱结构中光谱蓝移的原因,制备了以N,N′-Di-[(1-naphthalenyl)-N,N′-diphenyl]-(1,1′-biphenyl)-4,4′-diamine (NPB) 为垒层和以Tris-(8-quinolinolato)aluminum(Alq3) 为阱层的有机多层阱结构器件.利用光致发光的方法,对具有不同周期及不同阱层厚度的有机多层阱结构器件进行研究.分析认为有机多层阱结构中的光谱蓝移是由于光谱重叠造成的,而并非量子尺寸效应或激子限制效应. 相似文献
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射频磁控溅射制备纳米晶Ni-Mo催化阴极及其表征 总被引:1,自引:0,他引:1
利用射频磁控溅射方法制备了纳米晶Ni-Mo合金薄膜, 并将其用作太阳能光电化学制氢的阴极催化膜. 采用XRD, EDS, SEM和AFM对膜的晶型、 成分、 表面形貌以及晶粒尺寸进行了表征. 用稳态极化曲线和电化学交流阻抗谱对膜的析氢电化学特性进行了测试. 结果表明, 在较高的工作压强、 较低的衬底温度和较远的靶距下沉积的膜有较好的电化学性能, 晶粒的细化以及膜中Mo含量的增加有助于析氢催化活性的提高, 在电流密度为100 mA/cm2时析氢过电势为177.7 mV, 电化学脱附是膜上析氢反应的控制步骤. 相似文献
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In:ZnO nanoparticles are prepared by the sol-gel process. The ratios of In/(Zn+In) are 0%, 5%, 8%, 10%, and 15%, respectively. Crystal phase structures and optoelectronic properties of these samples are characterized and the chromaticity coordinates of different samples are also calculated in CIE-XYZ colour system. The results show that preferred growth direction of ZnO changes from (002) plane to (001) plane and interplanar distance becomes shorter. When the doping amount of In is 5%, Zn atoms are completely replaced by In atoms. The resistivities of the samples first decrease, then increase afterwards with the increase of the amount of In. With the increase of In, the ultraviolet emission is redshifted and new peaks occur at 465 nm, 535 nm, and 630 nm. The sample with 10% indium has white-light emission. The band structures of samples with 0% and 12.5% indium are investigated by the first principle method. The mechanism of white emission is discussed from the viewpoint of additional energy levels. 相似文献
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Transient demonstration of exciton behaviours in solid state cathodoluminescence under different driving voltage 总被引:1,自引:0,他引:1 下载免费PDF全文
In the solid state cathodoluminescence (SSCL), organic materials were
excited by hot electrons accelerated in silicon oxide (SiO2)
layer under alternating current (AC). In this paper exciton
behaviours were analysed by using transient spectra under different
driving voltages. The threshold voltages of SSCL and exciton
ionization were obtained from the transient spectra. The
recombination radiation occurred when the driving voltage went beyond
the threshold voltage of exciton ionization. From the transient
spectrum of two kinds of luminescence (exciton emission and
recombination radiation), it was demonstrated that recombination
radiation should benefit from the exciton ionization. 相似文献
20.
基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法,运用Castep计算分析了Er, Gd两种稀土元素掺杂的ZnO结构, 对本征ZnO和掺杂晶体的能带结构、态密度以及光学性质进行了分析对比. 由掺杂前后的结果分析发现,稀土掺杂的ZnO结构引入了由稀土原子贡献的导电载流子, 增强了体系的电导率, 费米能级上移进入导带. 研究表明由于稀土元素的掺入, ZnO结构在费米能级附近出现了杂质能带, 这是由稀土的4f态电子所形成. 同时, 纯净ZnO与Er-ZnO, Gd-ZnO和(Er, Gd)-ZnO的介电函数虚部有明显的差异. 在光学性质上, 掺杂ZnO在可见光区的吸收系数和反射率都比纯净ZnO高, 能量损失峰出现红移现象.
关键词:
ZnO
稀土
掺杂
第一性原理 相似文献