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1.
分别采用一步水热法和两步水热法在导电玻璃(FTO)上制备了二氧化钛(TiO2)纳米棒(NR)阵列和TiO2分枝纳米棒(B-NR)阵列。 利用低温化学浴沉积法(CBD)在TiO2纳米棒阵列(NRA)和TiO2分枝纳米棒阵列(B-NRA)基底上沉积Sb2S3纳米粒子(NPs)。 接着分别旋涂聚-3已基噻吩(P3HT)和2,2'7,7'-四-(二甲氧基二苯胺)螺芴(Spiro-OMeTAD)组装成TiO2(NRA)/Sb2S3/P3HT/Spiro-OMeTAD和TiO2(B-NRA)/Sb2S3/P3HT/ Spiro-OMeTAD为光活性层的杂化太阳电池。 结果表明,由TiO2(NRA)/Sb2S3/P3HT/Spiro-OMeTAD复合膜结构组装的杂化太阳电池的光电转换效率(PCE)是2.92%,而由TiO2(B-NRA)/Sb2S3/P3HT/Spiro-OMeTAD复合膜结构组装的杂化太阳电池的PCE提高到了4.67%。  相似文献   
2.
采用电化学方法首先在ITO导电玻璃上制备了一维有序ZnO纳米管阵列,然后在ZnO纳米管阵列上采用电化学方法沉积纳米枝状CdTe,形成了纳米枝状CdTe包覆ZnO纳米管的CdTe@ZnO壳核式复合结构,最后在上述复合结构中旋涂一层P3HT薄膜形成P3HT包覆的P3HT@CdTe@ZnO复合薄膜.以此复合薄膜为光活性层组装成半导体敏化太阳电池,研究了该类电池的光电转换性能,对该电池的工作原理进行初步研究,所得太阳电池能量转换效率最高达到1.38%.  相似文献   
3.
Amorphous MnxGe1-x :H ferromagnetic semiconductor films prepared in mixed Ar with 20% H2 by magnetron cosputtering show global ferromagnetism with positive coercivity at low temperatures. With increasing temperature, the coercivity of MnxGe1-x :H films first changes from positive to negative, and then back to positive again, which was not found in the corresponding MnxGe1-x and other ferromagnetic semiconductors before. For Mn0.4Ge0.6 :H film, the inverted Hall loop is also observed at 30 K, which is consistent with the negative coercivity. The negative coercivity is explained by the antiferromagnetic exchange coupling between the H-rich ferromagnetic regions separated by the H-poor non-ferromagnetic spacers. Hydrogenation is a useful method to tune the magnetic properties of MnxGe1-x films for the application in spintronics.  相似文献   
4.
以硝酸铽、苯乙酮酸(HL), 2, 2'-联吡啶(dipy)、 1, 10-菲啰啉(phen)和三苯基氧膦(TPPO)合成了TbL3dipy(H2O)2, TbL3phen(H2O)2和TbL2(TPPO)2NO3 3种新型固态配合物. 用元素分析、电导率、红外光谱和核磁共振谱对其进行了表征, 确定了配合物的组成. IR表明, 配合物中羧酸根可能以单齿方式配位. 1HNMR显示, 苯乙酮酸根配位后苯环上5个氢原子的化学位移移向高场. 室温下测定了配合物的荧光激发光谱, TbL3dipy(H2O)2, TbL3phen(H2O)2和TbL2(TPPO)2NO3最佳激发波长分别为361.0, 359.0和367.0 nm;分别以最佳激发波长测定了配合物的发射光谱, 配合物TbL3dipy(H2O)2, TbL3phen(H2O)2 和TbL2(TPPO)2NO3显示Tb3+离子的特征发射光谱, TbL3dipy(H2O)2和TbL3phen(H2O)2均产生四条谱带, 分别归属于^5D4-^7Fj(j= 6, 5,4,3)能级跃迁(TbL3dipy(H2O)2: 489.0, 545.0, 584.0, 620.0 nm;TbL3phen(H2O)2: 490.0, 544.0, 583.0, 620.0 nm);但在相同测定条件下, TbL2(TPPO)2NO3仅显示5D4-7F5(544.0 nm)能级跃迁光谱. 3种配合物中TbL3dipy(H2O)2发光强度最高.  相似文献   
5.
采用电化学方法在铟锡氧化物(ITO)导电玻璃基底上制备了高度有序的ZnO纳米管阵列,然后在ZnO纳米管阵列上电化学沉积Cu2O纳米晶颗粒,获得了一维有序Cu2O/ZnO核壳式纳米阵列结构,通过控制Cu2O纳米晶的沉积电量得到不同厚度的Cu2O壳层,并对该核壳式纳米阵列的形貌和结构进行了分析. 以Cu2O/ZnO一维核壳式纳米阵列结构为光电极组装全固态纳米结构太阳电池,研究了Cu2O壳层厚度对光电极光吸收性能、光电性能以及组装电池光伏性能的影响,优化了电池中对电极材料的喷金厚度. 结果表明,以Cu2O沉积电量为1.5 C的Cu2O/ZnO为光活性层,以4 mA电流下真空镀金20~25 min的铜基底为对电极组装的简易太阳电池最高可获得0.013%的光电转换效率.  相似文献   
6.
采用水热法在F-SnO2(FTO)导电玻璃上制备了一维TiO2纳米棒阵列,将一种两亲有机三苯胺染料M分子吸附在其表面,进而旋涂有机聚合物聚3-己基噻吩P3HT,构建结构为FTO/TiO2/M/P3HT/PEDOT:PSS/Au的杂化太阳电池.瞬态光电流谱反映在杂化电极中存在pn异质结.接触角测试表明TiO2表面吸附有机M分子后,亲水性表面转变为疏水性表面,利于与聚合物P3HT的进一步接触;稳态荧光发射光谱表明经修饰的杂化电极的荧光发射强度降低,由荧光衰减曲线拟合得到的荧光寿命降低,说明在TiO2与P3HT之间存在有效的电荷转移,电荷复合被抑制.电化学阻抗分析表明界面修饰后电子复合电阻和电子寿命增大.电池的特性参数均比界面修饰前有所提高,光电转换效率为1.61%.另外,对该电池的工作机理、电荷传输过程进行了初步探讨.  相似文献   
7.
采用电化学方法在铟锡氧化物(ITO)导电玻璃上制备了高度有序的ZnO纳米棒阵列, 在ZnO纳米棒阵列上先后电化学沉积CdS纳米晶膜及聚3-己基噻吩(P3HT)薄膜得到P3HT修饰的一维有序壳核式CdS/ZnO纳米阵列结构, 并通过扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、X射线衍射(XRD)、能量散射X射线(EDX)等表征手段证实了该结构的形成. 以此纳米结构薄膜为光阳极组装新型半导体敏化太阳电池, 研究了CdS纳米晶膜的厚度和P3HT薄膜的沉积对电池光伏性能的影响, 初步探讨了电荷在电池结构中的传输机理, 结果表明, CdS纳米晶膜和P3HT薄膜的沉积有效地拓宽了光阳极的光吸收范围, 实验中电池的光电转换效率最高达到1.08%.  相似文献   
8.
裴娟  梁茂  陈军  陶占良  许炜 《物理化学学报》2008,24(11):1950-1956
合成了两种具有不同共轭链长度的双吸电子基团的三苯胺类染料TPAR3和TPAR6, 研究了它们的光物理与光电化学性质, 并将它们用作TiO2纳米晶电极的光敏化剂引入太阳电池. 结果表明, 与含有乙烯基共轭桥的染料TPAR3相比, 含有丁二烯基共轭桥的染料TPAR6在甲醇溶液和TiO2膜上的最大吸收均发生一定程度的红移和宽化; 但TPAR6表现出比TPAR3差的光电性能, 主要是因为前者更易发生顺反异构化, 电子不能够顺利地从染料激发态注入到TiO2导带中, 光电流的产生得到抑制. 考察了基于TPAR3的太阳电池在电解液中加入不同浓度的硫氰酸胍(GT)对光电性能的影响, 发现在GT浓度为0.100 mol·L-1时效率达到最大(4.02%).  相似文献   
9.
为了拓宽染料敏化太阳电池对太阳光谱的响应范围,提高电池的光电转换效率,将两种含有不同受体结构(绕丹宁-3-乙酸基(RA)和氰基丙烯酸基(CA))的三苯胺染料(TR1和TC1)进行共敏化。TR1染料平伏吸附在TiO2表面,而TC1染料直立吸附在TiO2表面。将两种染料按照不同摩尔比共敏化TiO2后,TC1占据TR1的部分位置,拓展光谱的同时也抑制了电荷复合,电子寿命较TR1敏化的太阳电池长。在TR1与TC1摩尔比为5:5的共敏剂溶液敏化的共敏电池器件中,短路光电流密度(Jsc)为11.7 mA/cm2,开路电压(Voc)为704 mV,填充因子(FF)为0.73,光电转换效率(η)为6.03%。该结果明显优于单一染料敏化的电池器件。  相似文献   
10.
铽配合物Tb(o-BBA)3(phen)有机电致发光研究   总被引:11,自引:4,他引:7  
合成了一种新的稀土配合物邻苯甲酰苯甲酸-1,10-菲罗啉-铽(Tb(o-DDA)3(phen))并用于有机电致发光。研究了Tb(o-DDA)3(phen)与PVK混合薄膜的光敛发光特性,找出了PVK:Tb的最佳比例为3:1。制备了结构为ITO/PVK:Tb/Al的单层电致发光器件,得到了铽离子的特征光谱,其电流-电压特性(I-V)在一定电压范围内符合空间电荷限制电流机制。研究结果表明稀土铽配合物Tb(o-BBA)3(phert)掺杂PVK体系的光致发光是源于PVK到Tb配合物的能量传递及稀土Tb配合物的直接激发两种作用机制,而电致发光以载流子俘获为主。  相似文献   
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