苯并〔a〕芘——环境致癌物

苯并[a]花,简称Bap,是自然界中普遍存在的一种物质,它为多环芳烃中污染最广、含量最多、致癌性最强的代表性化合物。因此,本文就苯并[a]芘的存在、来源以及它对人类的危害作了详细的阐述,提出了防止苯并[a]芘对环境污染的措施和减少对人体危害的方法。     

洋葱状富勒烯的提纯研究

以石墨粉为碳源, Al为催化剂, 采用真空热处理法制备了平均粒径为15～35 nm的洋葱状富勒烯(OLFs).并用CS₂分离和空气氧化法对得到的OLFs初产品进行了提纯处理.高分辨透射电镜(HRTEM)、X射线衍射(XRD)、热重分析(TGA)对提纯前后样品的分析表明, CS₂分离处理可有效去除初产品中裸露的金属催化剂微粒,然后在空气中610 ℃焙烧200 min,可基本去除无定型碳,并大量去除了石墨状碎片等碳杂质, OLFs的纯度在50％(体积分数)以上.     

稀土与3-二茂铁基-5-苯基-吡唑啉-1-二硫代甲酸盐配合物的合成及性质

在无水乙醇中,用3-二茂铁基-5-苯基-吡唑啉-1-二硫代甲酸钠(Na-FPPD)与无水氯化稀土作用,合成了14个未见报道的固体配合物。元素分析结果确定配合物的化学组成为RE(FPPD)_3·3H_2O(RE=La,Pr～Lu和Y),通过红外光谱、电子光谱、~1HNMR谱、热分析和摩尔电导测定等方法对配合物进行了表征。     

两相滴定法研究2-乙基己基膦酸单2-乙基己基酯从盐酸介质中萃取钕(Ⅲ)的动力学

本文利用两相滴定法作为分析手段,用恒界面池搅拌法考察了多种因素对2-乙基己基膦酸单2-乙基己基酯(HEHEHP,HA)从盐酸介质中萃取Nd(Ⅲ)动力学的影响,从实验结果推论出萃取过程为界面化学反应控制型机理。     

一种新型锂离子电池用聚合物电解质复合膜的制备和性能表征

阐述了一种新型锂离子电池用PVDF-HFP(聚偏氟乙烯-六氟丙烯聚合物树脂)基聚合物电解质复合膜的制备过程. 对复合膜中使用的无机TiO2纳米颗粒进行固体超强酸化处理, 并进行颗粒表面酸强度H0测试、XRD晶体结构分析以及复合膜的电解液吸附率测试和电化学阻抗谱测试. 采用PE无纺布支撑体作为增强材料, 以浸涂方法制备复合膜,并进一步组装为锂离子电池, 性能测试表明该电池具有良好的电化学性能.     

侧链型丙烯酸酯共聚物相变的正电子湮没谱研究

利用正电子湮没技术对侧链型热致高分子液晶丙烯酸酯共聚物进行了变温相变研究．除实验标识出样品的相变温度点外，根据试样中自由体积随温度的变化关系，对高分子液晶材料内部立链、侧链以及介晶基元的相变行为特点进行了探讨，并就与小分子液晶变化特点的一些不同做了解释．     

基于纳米镍催化的松香加氢研究--树酯酸组成的研究

松香的主要成份是枞酸型树脂酸,其因共轭双键的存在而易被氧化,大大降低了其附加值。经氢化后的松香具有抗氧性好、脆性小、热稳定性高、颜色浅等特点,因而广泛应用于胶粘剂、合成橡胶、涂料、油黑、造纸、电子、食品等工业部门[1]。采用催化加氢的方法可使枞酸型树脂酸中的共轭双键消除[2]。以枞酸为代表的反应式为:松香催化加氢主要有熔融法[3]和溶剂法[4],所用催化剂主要是Pd和N i。熔融法制氢化松香,当反应温度低于200℃时,枞酸加氢速度较慢,反应不完全。温度升高,氢化松香中枞酸含量显著地减少,但温度高于250℃时,树脂酸脱羧严重,甚至…     

苯并氮杂冠醚化合物在氘代氯仿中的溶剂效应的动态1H NMR研究

本文讨论了样品浓度对苯并氮杂冠醚化合物-氘代氯仿溶液~1H NMR镨及~1H纵向弛豫时间的影响(稀释位移效应)。在实验基础上提出了苯并氮杂冠醚化合物在氯仿中的叔胺-叔铵盐交换作用机制。以此馐土讼∈臀灰菩в? 并得到巳止诿鸦衔锎邮灏返绞屣а蔚姆从ζ胶獬Ｊ齂_2和交换速率常数k, 另外, 本文还讨论了冠醚环中氮原子上取代基对稀释位移效应的影响,     

铟镓共掺杂对n-ZnO纳米棒/p-GaN异质结生长行为和光电性能的影响

利用低温水热法在p-GaN薄膜上生长了铟(In)和镓(Ga)共掺杂的ZnO纳米棒。X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)和X射线能量色谱仪(EDS)结果表明,In和Ga已固溶到ZnO晶格中。扫描电子显微镜(SEM)结果表明, ZnO纳米棒具有良好的c轴取向性,随着In和Ga共掺杂浓度的增加,纳米棒的直径减小,密度增加。XRD结果表明,In和Ga共掺杂引起ZnO晶格常数增大,导致(002)衍射峰向低角度方向偏移。同时,ZnO的光学性质受到In和Ga共掺杂的影响。与纯ZnO相比, 共掺杂ZnO纳米棒的紫外发射峰都出现轻微红移,这是表面共振和带隙重整效应综合作用的结果。I-V特性曲线表明,随着In和Ga共掺杂浓度的增加,n-ZnO纳米棒/p-GaN异质结具有更好的导电性。     

Ag掺杂对n-ZnO纳米棒/p-GaN异质结结构和发光性能的影响

利用简单的水热合成法在p-GaN薄膜上制备了Ag掺杂的一维ZnO纳米棒（ZnO NRs）,并且研究了Ag掺杂对于ZnO NRs结构和形貌以及n-ZnO NRs/p-GaN异质结发光特性的影响。结果表明,不同Ag掺杂浓度的ZnO纳米棒截面均呈六边形的棒状结构,且纳米棒的取向垂直于衬底;XRD分析结果表明,随着Ag掺杂浓度的增加,ZnO纳米棒（0002）晶面的峰位向衍射角减小的方向移动,表明Ag⁺置换了ZnO晶格中的部分Zn²⁺后使其晶格常数略增加;随着Ag掺杂浓度的增加,ZnO纳米棒近带边发光峰发生一定的红移并且强度逐渐减弱,黄带发光峰逐渐增强,n-ZnO NRs/p-GaN异质结具有更好的传输效率。