电子迥旋加热等离子体及热电子环特性的实验研究

在简单磁镜MM-2中,采用15GHZ大功率迴旋管进行了电子迴旋共振加热(ECRH)实验。结果表明,随充气压强的提高,预电离时间迅速变短。在高气压“C-模式”运行区,等离子体径向密度分布呈马鞍形。在迴旋管输出30kW功率的条件下,适于建立热电子环的气体压力窗为(0.4—1.2)×10^-5Torr。利用一个可移动Laugmuir探针配合反磁测量的简便方法,在中心场为2.95kG时,确定了电子环半径为7cm,环厚约4cm,环的轴向边界由z=±10cm一直延伸到z=±20cm。热电子温度为140—170keV,热电环平均β值为(4—5)％。观测到了由热电子环不稳定性引起的迸发式径向电子逃逸,并同时发生反磁信号跌落。     

基于电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积技术生长GaMnN稀磁半导体的研究

利用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积 (ECR-PEMOCVD)方法,采用二茂锰(Cp₂Mn)作为Mn源,高纯氮气作为氮源,三乙基镓(TEGa)作为Ga源,在蓝宝石(α-Al₂O₃)(0001)衬底上外延生长GaMnN稀磁半导体薄膜.反射高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)表征了GaMnN薄膜的晶体结构和表面形貌.GaMnN薄膜均表现出良好的(0002)择优取向,表明制备的薄膜倾向于 关键词： GaMnN薄膜 稀磁半导体 铁磁性 居里温度     

无规频率调制对冷等离子体波碎的抑制作用

本文采用Kubo-Anderson过程描述对驱动场的无规频率调制,分析了其对不均匀冷等离子体波碎的抑制作用。在不考虑Bogoliubov非线性频移的情况下,导出适用于各种宽度频率调制下的波碎时间及波碎时快电子能量与最大局部电场方均值的表达式。并与实验结果符合。结果表明无规频率调制确实是抑制波碎与快电子能量的有效方法。 关键词：     

日冕磁流管中的离子回旋不稳定性与电子加速

本文结合数值计算,给出日冕条件下发生回旋不稳定性的条件。经分析得到离子回旋不稳定性较电子回旋不稳定性优先发生的结论,并讨论由离子回旋不稳定性所产生的电场和加速电子流。     

磁镜等离子体中电子回旋波加热实验的理论研究

本文利用平行平板模型,给出了在不同位置、以不同角度入射到平衡的磁镜等离子体中电子回旋波的传播轨迹;利用线性理论计算了O,X波能量分别被本底电子、热电子吸收的波能量沉积率。根据计算结果,文中对加热本底等离子体的特征进行了描述,对非封闭热电子环的形成作了初步解释。     

用于半导体加工的腔耦合－磁多极型ECR源的研究

本实验室研制出一台谐振腔耦合一多极场位形的电子回旋共振（ＥＣＲ）微波等离子体源（ＭＥＰ）。采用朗谬探针和离子能量分析器，测量了ＭＥＰ中Ａｒ等离子体的放电特性。实验结果表明．ＭＥＰ能在很宽的运行参数范围，高效率地产生具有较高密度、较低离子温度和空间电位的大面积均匀等离子体，特别适合于半导体加工应用研究。     

基于电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积技术生长GaMnN稀磁半导体的研究

利用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积 (ECR-PEMOCVD)方法，采用二茂锰(Cp₂Mn)作为Mn源，高纯氮气作为氮源，三乙基镓(TEGa)作为Ga源，在蓝宝石(α-Al₂O₃)(0001)衬底上外延生长GaMnN稀磁半导体薄膜.反射高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)表征了GaMnN薄膜的晶体结构和表面形貌.GaMnN薄膜均表现出良好的(0002)择优取向，表明制备的薄膜倾向于