大型天线结构的保型优化设计

本文给出了以天线变形后相对“最佳吻合抛物面”的加权均方误差为目标函数的结构优化方法.用导数矩阵对复杂的目标函数进行局部线性化处理,并归结为二次凸函数.将此二次凸规划化为一附加一定条件的线性规划问题,并运用修正的单纯形法进行优化.所选择的优化参数有杆截面积、板厚、节点坐标以及截面积比例系数.在多个天线上运用此法均得到较好的结果.     

怎样提高学生的解题能力

物理学是一门基础科学,在中学里对学生进行一定要求的物理教学,扎实地打好这个基础,对学生毕业后参加工农业生产和进一步学习科学文化知识都具有重大的作用。几年来,在党和行政的领导下以及教师的努力下,中学物理教学的质量有了很大的提高。但是,目前物理仍然是学生感到较难学习的学科之一,学     

Sine-Gordon方程的微扰问题

运用经典摄动理论中的多重尺度法和数学物理方法中常用的拉普拉斯变换法,求解了sine-Gordon方程的微扰问题,得到了不含长期项的一级修正解和孤子参数随时间的缓慢变化关系- 关键词：     

“以学定教”理念下高中数学教学设计的思考

研究教学过程,懂得怎样去设计教学过程,在教学前如何设计好一份完善的具体的教学过程计划方案,这对高中数学教师来说十分重要．通常这样的过程是伴随着对一节“好课”的评价角度而展开的．这些角度大致为：吃透教材;     

熔体初始温度对液态金属Na凝固过程中微观结构影响的模拟研究

采用分子动力学方法对熔体初始温度热历史条件对液态金属Na凝固过程中微观结构的影响，进行了模拟研究，并采用双体分布函数g(r)曲线、键型指数法和原子团类型指数法对凝固过程中的微观结构进行了分析.结果表明：液态金属Na在不同熔体初始温度条件下以1×10¹¹K/s冷速凝固时，均形成晶化结构，其中1661和1441键型或体心立方基本原子团(14 6 0 8)在凝固过程中对微观结构的转变起决定性作用.同时发现：熔体初始温度对凝固微结构有显著影响，而对液态和过冷态的微观结构影响并不明显，只有在晶化起始温度T_c附近才充分地展现出来.不同熔体初始温度对凝固结构的晶化程度有不同的影响，虽其影响程度是随着熔体初始温度的下降呈非线性变化关系的，但仍表明是可以通过改变熔体初始温度来加以控制的.原子团类型指数法(比键型指数法)更进一步表征了晶化体系中原子团的结构特征，将有利于对液态金属凝固过程中微观结构的转变机理进行更为深入的研究.     

外源植酸酶添加对土壤磷酸酶活性影响的荧光光谱法研究

外源植酸酶加入土壤中,能直接或者间接提高有机磷的生物有效性。但外源植酸酶添加后,对土壤本身的磷酸酶(单酯酶、二酯酶)活性会产生何种影响尚不明确。采用荧光物质为底物,将96微孔板和荧光检测法相结合,利用多功能酶标仪测定外源植酸酶(1 g/50 g干土)添加条件下红壤、棕壤以及褐土中磷酸单酯酶(酸性和碱性)和二酯酶的活性响应。结果表明,外源植酸酶添加后,酸性磷酸单酯酶活性在红壤中极显著增加(p≤0.01),而在褐土中显著降低;碱性磷酸单酯酶活性在棕壤和褐土中增加,其中在褐土中增加极显著(p≤0.01),而在红壤中显著降低;磷酸二酯酶活性在三种土壤中均不同程度地增加,其中在棕壤中增加极显著(p≤0.01);不同土壤中,培养到8天时不同酶活性亦保持增加,即红壤中的酸性磷酸单酯酶,棕壤中的磷酸二酯酶以及褐土中的碱性磷酸单酯酶分别保持活性增加,说明外源植酸酶的添加能够有效地增强土壤磷酸酶活性,这种作用不仅与土壤性质如pH和磷形态相关,并且可能与刺激微生物分泌酶量有关。运用荧光光谱法研究外源植酸酶对土壤磷酸酶活性的影响在国内外尚属首次。与传统的分光光度法相比, 微孔板荧光法是一种灵敏、准确、快速、简便的土壤磷酸酶活性关系的测定方法。     

变色酸双偶氮羧酸型衍生物与稀土元素显色反应的研究

本文设计合成了十种双偶氮羧酸型试剂,较详细地研究了它们与稀土元素的显色反应,初步总结出这类试剂分子中分析功能团的位置以及助色团的性质和位置的改变与分析性能之间的内在联系。探讨了这类试剂与稀土元素显色反应中所存在的倒序现象和酸效应的可能原因。     

快速凝固制备微细金属粉末的理论和装置

在世界上首次提出将急冷凝固和大过冷技术有机地结合在一起，创立了采用多级快速凝固的方法制同细金属粉末的理论和技术，并发明了一系列多级快速凝固制粉装置。该技术能够大规模地生产上百种非晶、准晶、微晶微晶金属粉末。     

衬底温度对形成CNx薄膜的影响

在不同的衬底温度下用射频溅射方法制备了氮化碳薄膜。系统地研究了氮化碳薄膜的电子结构和光学随温度的变化规律。用富里叶变化红外光谱和Ｘ光电子能谱对其化学结构及成分进行了分析。用透射紫外－可见－近红外（ＵＶ）光谱对其光学性质进行了评价。结果表明：薄膜中最大氮原子逍度为０．４。芯能级Ｃｌｓ和Ｎｌｓ的结合能产生了４．４１－０．３ｅＶ的能移。