Laser induced damage threshold testing of DUV optical substrates

Laser induced damage threshold （LIDT） testing is the effective methods to research the lifetime of optical elements. According to ISO 11254 standards, a LIDT testing system of ArF excimer laser is established. The laser beam size on the sample surface can be varied from 0.3 to 0.6 mm in diameter. The maximum laser energy density is larger than 4.5 J/cm2. Besides the Nomarski microscope, He-Ne scattering is used and demonstrated as an effective and reliable method for the on-line monitoring of laser damage. The uncertainty of LIDT results and the main effecting factors are analyzed. The laser induced damage of fused silica substrates with different absorptions and CaF2 substrates with different absorptions are investigated in 1-on-1 mode, respectively. The roles of absorption on the LIDT results of the two kind substrates are discussed.     

极紫外光学器件辐照污染检测技术

总结并讨论了极紫外光刻技术中,有关极紫外光学器件受辐照污染的"在线"检测方法。简要介绍了极紫外光刻系统的原理、反射镜膜层结构以及表面污染产生的机理;指出光刻系统中"在线"检测的技术要求;分析了目前几种主要表面检测技术的特点;给出了每种方法在极紫外光学系统中的应用潜力;最后,指出光纤椭偏仪在极紫外光学系统的"在线"表面污染检测中具有良好的应用前景。     

极紫外光辐照下表面碳沉积污染的计算模型

极紫外光刻(EUVL)是最有可能实现22nm技术节点的下一代光刻技术。极紫外(EUV)光刻系统使用波长为13.5nm,在此波段下曝光设备只能采用全反射式系统。然而,在极紫外光辐照下的光学元件,薄膜表层的碳化和氧化是导致EUV反射膜反射率下降的两种主要机制。结合EUV光学器件的表面分子动力学理论,研究碳沉积层的作用机理,以便找到抑制污染沉积的有效方法。通过针对碳污染层模型的计算研究,验证了模型和假设的有效性,从侧面证明了Boller等的"二次电子诱导分解是主要沉积过程"理论。通过迭代法模拟了控制污染的几个关键参数对沉积层的影响,得到50~80nm的非工作波段产生的碳沉积最为严重的计算结果。     

均匀软X射线多层膜制备方法研究

 介绍了基于速度调制技术的均匀软X射线多层膜制备方法，并采用该方法在直径为150mm的平面硅基板上制备出Mo/Si多层膜，其中心波长为13.5nm，膜厚空间非均匀性优于1％，较转盘匀速溅射方法制备的多层膜膜厚空间均匀性提高了近6倍。     

极紫外光刻离轴照明技术研究

离轴照明技术(OAI)是极紫外光刻技术中提高光刻分辨率的关键技术之一。为了实现考虑掩模阴影效应情况下离轴照明的优化选择,构造了一种新型实现OAI曝光的成像模型。将照射到掩模上的非相干光等效为一系列具有连续入射方向的等强度平行光,基于阿贝成像原理分别对掩模进行成像,最终在像面进行强度叠加实现OAI方式下空间成像的计算;并通过向投影系统函数添加离焦像差项实现不同离焦面上空间成像计算。该模型极大地简化了OAI条件下对掩模阴影效应的计算,提高了成像质量计算效率。结合光刻胶特性及投影曝光系统焦深设计要求,以显影后光刻胶轮廓的侧壁倾角为判据,获得了采用数值孔径为0.32的投影系统实现16 nm线宽黑白线条曝光的最优OAI参数。     

提高极紫外光谱纯度的多层膜设计及制备

极紫外光刻是实现22nm技术节点的候选技术。极紫外光刻使用的是波长为13.5nm的极紫外光,但在160～240nm波段,极紫外光刻中的激光等离子体光源光谱强度、光刻胶敏感度以及多层膜的反射率均比较高,光刻胶在此波段的曝光会降低光刻系统的光刻质量。从理论和实验两方面验证了在传统Mo/Si多层膜上镀制SiC单层膜可对极紫外光刻中的带外波段进行有效抑制。通过使用X射线衍射仪、椭偏仪以及真空紫外(VUV)分光光度计来确定薄膜厚度、薄膜的光学常数以及多层膜的反射率,设计并制备了[Mo/Si]40SiC多层膜。结果表明,在极紫外波段的反射率减少5%的前提下,带外波段的反射率减少到原来的1/5。     

软X射线投影光刻技术及其发展

软X射线投影光刻的研究近年来取得了突破性进展，所采用的新型光学系统由于无污染激光等离子光源及分辨率大视场投影光刻系统组成，该技术多采用无应力光学装调工艺、深亚纳米级的镜面加工和多层膜制备技术及低缺陷反射式掩摸技术，该技术还采用表面成像光刻胶技术并涉及到精密扫描机构等技术，本文介绍了这一技术的发展历史，关键技术以及研究进展。     

极紫外投影光刻原理装置的集成研究

论述了光刻技术发展的历程，趋势和极紫外投影光刻技术的特性，并介绍了极紫外投影光刻原理装置的研制工作，该装置由激光等离子体光源,掠入射椭球聚光镜，透射掩模，施瓦茨微缩投影物镜及相应的真空系统组成，其工作波长为13nm，在直径为0．1mm的像方视场内设计分辨率优于0．1um。     

点衍射干涉仪波面参考源误差及公差分析

为了保留光纤点衍射干涉仪容易对准以及衍射光束易于控制的优点,同时又能实现大数值孔径（NA）光学系统的检测,设计了一种新型的波面参考源（WRS）,它保留了光纤点衍射和微孔点衍射的优点,可满足大NA极紫外光刻物镜系统波像差检测的要求。本文在分析各种误差的基础上,搭建了WRS原理光路并对WRS的系统误差标定算法进行详细的研究,得到WRS标定时旋转平台的角度公差为0.5°,跳径时偏离系数为0.5%。这一新型WRS误差分析及标定对于实现高精度的检测具有十分重要的意义,最终为实现WRS系统误差标定提供理论基础。     

Interface engineering to decrease interdiffusion and improve thermal stability of EUV multilayer

We use interface engineering technology to obtain high interface quality of extreme ultraviolet （EUV） multilayer. By inserting ultrathin （〈0.5 nm） B4C layer between Mo and Si layers in Mo/Si multilayer, the interdiffusion in the multilayer is decreased obviously and the reflectivity can be estimated to increase by 2%. By inserting a new inert material barrer between Mo and Si layers, the thermal stability of new forming Mo/X/Si/X multilayer is increased significantly. The multilayer is annealed at 500 ℃ for 100 h with the fluctuation of period thickness smaller than 0.1 nm, and the high resolution transmission electron microscopy image also shows that the mirostructure of the multilaver is not changed obviously.