煤燃烧过程中汞、砷、硒反应机理研究

本文以三种典型煤为对象,测定了煤及灰中汞,砷,硒的浓度,了解了元素的挥发性。对钱家营褐煤进行了不同温度的燃烧实验。测定了在不同温度下燃烧灰中汞,砷,硒的含量变化。将所得实验结果与化学热力平衡分析工具F~*A~*C~*T2.1模拟系统结果相比较。推测了其中可能发生的反应。     

固相萃取-气相色谱-串联质谱法同时测定人体尿液中4种有机磷农药代谢物

建立了同时测定尿液中4种有机磷类农药代谢物的气相色谱/串联质谱分析方法.尿液样品以WCX固相萃取柱富集提取,乙酸乙酯-乙腈(70∶30,V/V)再萃取,浓缩干燥,甲苯溶解,N-叔丁基二甲基甲硅烷基-N-甲基三氟乙酰胺衍生化.采用HP-5MS色谱柱(30 m×0.25 mm×0.25 μm)程序升温分离,串联质谱多反应检测,内标法定量.通过比较尿样中代谢物在不同萃取溶剂、固相萃取柱及pH值洗脱液等条件下的回收率,优化了前处理方法.在0.2～ 200 μg/L范围内,4种代谢物峰面积与内标峰面积的比值与质量浓度的线性关系良好(R2≥0.992),方法检出限为0.083 ～0.667μg/L,定量限为0.2～2.0 μg/L,平均回收率为54.1％～68.6％,相对标准偏差均小于8.5％(n=6).本方法稳定、可靠,分析时间短,不需要使用大量有机溶剂,可同时处理大批量样品,适用于人群有机磷类农药暴露情况的评估.     

也谈长直螺线管磁场的全空间解

本文证明了长直螺线管上电流密度沿螺线管圆周切线方向分量和电流密度沿螺线管轴线方向分量与θ无关。并给出了长直密绕通电螺线管磁场的全空间解。     

化学链重整过程中LaFeO3载氧体的CH4部分氧化反应机理研究

本研究基于密度泛函理论(DFT)计算揭示了化学链重整过程中LaFeO₃载氧体的CH₄部分氧化反应机理,通过系统研究CH₄吸附活化、H₂和CO形成以及氧扩散等基元反应步骤,构建了CH₄部分氧化反应网络。研究发现,CH₄发生逐步脱氢反应形成H原子,其中,CH₃脱氢反应所需要克服的能垒(1.50 eV)最高,是CH₄逐步脱氢反应的限速步骤。载氧体表面H₂形成有两种路径,其中,H原子从O顶位迁移到Fe顶位,然后与另外O顶位的H原子成键形成H₂分子是主要途径。由于其相对较低的能垒(1.27 eV),CO的形成过程较易发生。氧扩散需要克服1.35 eV的能垒,表明氧扩散过程需要在高温下进行且扩散速率较低。通过比较各基元反应能垒,发现H₂形成是LaFeO₃载氧体CH₄部分氧化反应动力学的限速步骤,而H迁移是限制H     

氢化物-电感耦合等离子体原子发射光谱法测定原煤中的的痕量砷和硒

１引言 煤是我国的主要能源,经燃烧炉排放的砷,硒等易挥发元素对大气产生较严重污染但因煤的成分复杂特殊,且砷,硒含量较低,试样处理及分析测试均较困难。本文研究使用了烧结分解法分解砷,湿法 ＨＦ＋ ＨＮＯ３＋ ＨＣｌＯ３分解硒后采用氢化物－电感耦合等离子体发射光谱法（ＨＧ－ＩＣＰ－ＡＩＳ）测定。结果令人满意。２实验部分２．１主要试剂与仪器美国 Ｔｈｅｒｍｏ Ｊａｒｒｅｌｌ Ａｓｈ公司 Ｔｒａｃｅ　 Ｓｃａｎ电感耦合等离子体发射光谱仪和 Ｔ－ＰＨＤ氢化物发生器。砷（Ⅲ）,硒（Ⅳ）标准溶液,艾氏剂,１．５％硼氢化…     

密度泛函理论研究CO和 O2在NiFeB2/TiO2表面的吸附

 运用密度泛函理论中广义梯度近似的 PW91 方法结合周期平板模型, 研究了 NiFeB2 合金簇在 TiO2(110) 面的吸附模式. 结果表明, NiFeB2 平行吸附在 TiO2 面的 Ot-Ot 位最稳定, 吸附能为 526.4 kJ/mol. 为了探明 NiFeB2/TiO2 是否具有催化氧化 CO 活性, 进一步研究了 CO 和 O2 在 NiFeB2/TiO2 面的共吸附行为. 结果表明, CO 和 O2 以 Eley-Rideal 机理共吸附在 Fe 上时, 易形成碳酸盐, 而以 Langmuir-Hinshelwood 机理共吸附在 Fe 上时, O2 发生分解, 与 Fe, Ni 和 B 形成稳定的六元环.     

改进"yo-yo"Cs/O交替激活方法对GaAs光阴极稳定性影响

为提高激活后GaAs光阴极的稳定性,延长微光夜视器件的工作寿命,围绕Cs/O激活方法和衰减特性进行实验研究.通过对比传统"yo-yo"激活法和改进"yo-yo"激活法在Cs/O激活光电流、光谱响应以及光照衰减方面的差异,发现采用改进"yo-yo"激活法的GaAs光阴极光谱灵敏度更高且稳定性更好.利用四极质谱仪监测真空腔...     

Molecular-beam epitaxy of topological insulator Bi2Se3 （111） and （221） thin films

This paper presents an overview of the growth of Bi2Se3, a prototypical three-dimensional topological insulator, by molecular-beam epitaxy on various substrates. Comparison is made between the growth of Bi2 Se3 （111） on van der Waals （vdW） and non-vdW substrates, with attention paid to twin suppression and strain. Growth along the [221] direction of Bi2Se3 on InP （001） and GaAs （001） substrates is also discussed.