纳米晶软磁合金中的结构对技术磁性的影响——Ⅱ.磁弹耦合作用

对磁弹耦合在决定纳米晶软磁合金宏观磁性中的作用进行了探讨,高场磁化规律以及正电子湮没测量表明:对Fe_73.5Cu₁Nb₃Si_13.5B₉合金,准位错偶极子造成的应力场对畴壁的钉扎效应是造成纳米晶软磁合金矫顽力的重要原因;结构缺陷造成的应力场与磁致伸缩的耦合作用对纳米晶软磁性能有重要的影响.在结构各向异性和磁弹耦合能共同作用下可解释纳米晶合金表现出最佳软磁性能.     

改进中学物理教学适应"3+综合"考试

当代科技发展的主流是综合化、整体化,表现出各学科之间互相渗透、相互交叉的趋势.开展综合测试,有利于打破学科间的隔离状态,给学生提供完整的世界图像;     

Optical Fibre Mode Structures Measured by Collection Mode Near-Field Scanning Optical Microscopy

High order fibre mode structures are measured by a near-field scanning optical microscope (NSOM) and are determined to be consistent with the standard fibre LP patterns. The mode-field distortions of high-order mode LP11 and LP21 structures by far-field measurement are analysed based on scalar diffraction theory, and the maximum distortions may reach as high as 5.1% and 6.2%。 This shows that the method of using the NSOM is more accuracy than the far-field measurement method, especially for high-order mode structures of optical fibres.     

夯实基础培养能力——从2002年理综考试看物理教学

2002年理综考试共30题,物理试题有10题,其中客观题6题,主观题4题,共120分.内容很贴近课本,没有出现前两年较为热门的"信息题",考试更加注重对学生的学习基础、学习能力的考查.试题灵活而不落俗套,新颖而不离基础,强调能力而不偏离教材,考查素质而不脱离实际.     

斐索梯度折射率光纤透镜传感实验

采用LD泵浦的单纵模Nd：YVO4倍频激光器、梯度折射率光纤透镜等器件构成斐索梯度折射率光纤透镜传感实验仪．本文介绍了实验装置和实验原理，并给出了实验结果。     

用数值方法分析微孔激光器出射光的近场特性

微孔激光器作为应用于近场光信息存储系统中的一种新型光源，它的出射光斑的近场特性对于近场光存储是十分重要的。针对纳米孔径运用角谱进行Fox-Li数值迭代，得到不同孔径微孔激光器的基模光强分布，然后运用二维非线性时域有限差分法分析微孔激光器出射端即微孔金属膜的近场光学性质，模拟计算了不同孔径和厚度的微孔金属膜的光强近场分布，从应用于近场光存储的角度，给出反映其近场光学特性的相关数据。发现由于TM模式下金属存在局域表面等离子增强效应，使得其出射强度比TE模式高一个数量级，从而更适于作为实际中近场光存储系统和原理试验的光学头。     

Instability of Longitudinal Wave in Magnetized Strongly Coupled Dusty Plasma

Instability of longitudinal wave in magnetized strongly coupled dusty plasmas is investigated. The dust chargigrelaxation is taken into account. It is found that there exists threshold of interdust distance for the instability of wave, which is determined significantly by the dust charging relaxation, the coupling parameter of high correlation of dust as well the strength of magnetic field.     

直接耦合双耦合环高温超导dcSQUID中增大有效面积的图形设计

设计和制作了一种新型的双耦合环的直接耦合高Tc dc SQUID结构。根据Y.Zhang等在高Tc rf SQUID中用图形填充内孔使电感减小的原理，在直接耦合dc SQUID中，用在耦合环内孔中图形填充的方法减小电感，进而增大Ap/Lp，以增大总的有效面积。用双晶衬底所做的对比实验表明，对于我们所设计的几何结构，有效面积增大了17%。     

Bistable Behaviour of N Two-Level Atoms Interacting with the Field inside a High-Q Cavity Containing a Nonlinear Kerr-Like Medium

Taking the intensity-dependent coupling between atoms and cavity mode into account, we investigate a system consisting of N homogeneously broadened two-level atoms interacting with the field inside a single-mode Fabry- Perot cavity containing a nonlinear Kerr-like medium. We derive the steady-state bistable behaviour of the system, and further analyse in details the influence of several critical parameters on the bistable behaviour.     

p型未掺杂富锌ZnO薄膜的形成和性能研究

以高纯ZnO为靶材,氩气为溅射气体,利用射频磁控溅射技术在石英衬底上生长出纤锌矿结构的富锌ZnO薄膜.薄膜沿(002)择优取向生长,厚约为1.2μm,呈现电绝缘特性.将溅射的ZnO薄膜在10-3Pa,510~1 000 K的温度范围等温退火1 h,室温Hall测量结果表明ZnO薄膜的导电性能经历了由绝缘—n型—p型—n型半导体的变化.XPS测试表明ZnO薄膜的Zn/O离子比随退火温度的升高而降低,但一直是富锌ZnO,说明未掺杂的富锌ZnO也可以形成p型导电.p型未掺杂富锌ZnO薄膜的形成可归因于VZn受主浓度可以克服VO和Zni本征施主的补偿效应.