变In组分沟道的MM-HEMT材料电子输运特性研究

在变缓冲层高迁移率晶体管（MM_HEMT）器件中，二维电子气的输运性质对器件性能起着决定作用.通过低温下二维电子气横向电阻的量子振荡现象，结合变温度的Hall测量，系统研究了不同In组分沟道MM_HEMT器件中子带电子迁移率和浓度随温度的变化关系.结果表明，沟道中In组分为0.65的样品，材料电学性能最好，In组分高于0.65的样品，严重的晶格失配将产生位错，引起迁移率下降，大大影响材料和器件的性能. 关键词： 变缓冲层高迁移率晶体管 Shubnikov_de Hass 振荡     

后退火温度对溅射沉积Pb(Zr0.52Ti0.48)O3铁电薄膜结构和性能的影响

在具有Ti缓冲层的Pt(111)底电极上,用射频溅射工艺在较低的衬底温度(370℃)和纯Ar气氛中沉积Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)薄膜,沉积过程中基片架作15°摇摆以提高膜厚的均匀性。然后将样品在大气中进行5min快速热退火处理,退火温度550-680℃。用XRD、SEM分析薄膜的微结构,RT66A标准铁电测试系统测量样品的铁电和介电性能。结果表明,所沉积的Pt为(111)取向,仅当后退火温度高于580℃,沉积在Pt(111)上的PZT薄膜才能形成钙钛矿结构的铁电相,退火温度在580-600℃时结晶为(110)择优取向,退火温度高于600℃时结晶为(111)择优取向。PZT薄膜的极化强度随退火温度的升高而增加,但退火温度超过650℃时漏电流急剧上升,因此退火处理的温度对PZT薄膜的结构和性能有决定性的影响。     

非本征型法布里-珀罗干涉仪光纤布拉格光栅应变温度传感器及其应用

介绍了光纤布拉格光栅非本征型法布里珀罗干涉仪集成复用传感器的结构、应变和温度同时监测的原理 ;观察到光纤布拉格光栅反射谱和非本征型法布里珀罗干涉仪干涉谱间的串扰 ,用 3dB带宽平均波长法减小了该串扰 ,提高了测量精度 ;将该传感器应用于三维编织复合材料的应变及温度同时监测。实验结果表明温度精度为± 1℃ ,应变精度为± 2 0 μ ,可满足实际应用的要求     

用水热法在铁铬铝合金片上原位合成MCM-22沸石膜

 采用水热法在铁铬铝合金片载体上原位合成了MCM-22沸石膜,并采用X射线衍射和扫描电子显微镜对沸石膜进行了表征,探讨了成膜的影响因素. 结果表明,载体预处理条件对合成沸石膜的品质有较大的影响. 载体仅经碱处理后合成的沸石膜稀疏而不连续; 载体先经碱处理再经酸处理后可得到连续致密的沸石膜,且晶片取向均一; 载体预先涂覆Al2O3胶过渡层后制得的MCM-22沸石膜经超声波清洗后不会脱落,表明沸石膜与载体间的结合力增强. 此外,增大晶化母液量有利于沸石膜的生长.     

二阶导数差示脉冲极谱法用于醋酸氟氢可的松的定量研究

用二阶导数差示脉冲极谱法对醋酸氟氢可的松进行了定量分析。在０．００１ｍｏｌ／Ｌ硫酸＋乙醇＋水（１＋２５＋２４）的底液中，醋酸氟氢可的松于－０．３４０Ｖ（ｖｓＡｇ／ＡｇＣｌ）处出现一良好的二阶导数差示脉冲极谱峰，在５～１４０μｇ／ｍＬ范围内，醋酸氟氢可的松的浓度与其二阶导数差示脉冲极谱峰幅值呈线性关系，检测限为０．４ｎｇ／ｍＬ。本法操作简便、快速、灵敏、结果准确。     

多取代吡啶及衍生物的合成和生物活性

多取代吡啶类化合物作为除草剂最早出现在20世纪60年代,如毒莠定、使它隆和绿草定等[1].近年来,孟山都和罗姆-哈斯公司又推出了新多取代吡啶化合物除草剂噻草定(thiazopyr)[2].鉴于多取代吡啶类化合物优异的除草活性,在前期的工作基础上[3],我们以2-腈基硫代乙酰胺为起始原料,合成了如下新颖的多取代吡啶衍生物.初步生物活性测定表明,部分化合物有适中的除草和杀菌活性.     

一阶导数差示脉冲极谱法用于甲硝唑的定量研究

本实验运用一阶导数差示脉冲极谱法对甲硝唑及其制剂进行了定量研究。在０．００１ｍｏｌ／Ｌ氯化钾－０．００１ｍｏｌ／Ｌ盐酸－水（１＋０．２＋４８）的底液中，甲硝唑于－０．８００Ｖ（ｖｓ Ａｇ／ＡｇＣｌ）处出现一良好的一阶导数差示脉冲极谱峰，在５０～３００μｇ／ｍＬ范围内，药物浓度与其导数峰幅值呈线关系，检测限为８．０×１０＾－８ｍｏｌ／Ｌ。本法操作简便，快速，灵敏，结果准确。     

Underpotential Deposition Study and Determination of Bismuth on Gold Electrode by Using Voltammetry

ＴｈｅｃｏｍｂｉｎａｔｉｏｎｏｆｓｔｒｉｐｐｉｎｇｖｏｌｔａｍｍｅｔｒｙｗｉｔｈＵＰＤｃａｎｌｅａｄｔｏｔｈｅｉｍｐｒｏｖｅｍｅｎｔｏｆｓｅｎｓｉｔｉｖｉｔｙ ,ｓｅｌｅｃｔｉｖｉ ｔｙａｎｄｒｅｖｅｒｓｉｂｉｌｉｔｙｆｏｒｅｌｅｃｔｒｏａｎａｌｙｔｉｃａｌｐｕｒｐｏｓｅａｎｄａｖｏｉｄｔｈｅｕｓｅｏｆｔｏｘｉｃｍｅｒｃｕｒｙａｓｔｈｅｗｏｒｋｅｌｅｃｔｒｏｄｅ1ａｎｄｔｈｅｎａｎａｌｙｔｉｃａｌａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓｈａｖｅｂｅｅｎｄｅｓｃｒｉｂｅｄ .2 4 Ｉｎｔｈｉｓｗｏｒｋ ,ｗｅｄｅｖｅｌｏ…     

铁电体爆-电换能的实验研究

使用掺铌PZT97.5/2.5铁电陶瓷样品在垂直工作模式下,进行了爆-电换能的实验研究。在电感-电容并联负载上获得了1360安的峰值电流;在电阻负载上获得了145×10³伏的峰值电压。实验结果与理论预计符合得比较好。 关键词：     

新颖双核钐硫酚化合物[(THF)3I2Sm(m-SAr)]2 (Ar = Ph, 4-Me2NC6H4)的合成与化合物[(THF)3I2Sm(m-S-4-Me2NC6H4)]2的晶体结构

Reactions of SmI2 in THF with ArSSAr produced two binuclear samarium thiolate complexes [（THF）3I2- Sm（μ-SAr）]2 [Ar=Ph （1）, 4-Me2NC6H4 （2）] in high yields. The structure of 2 was characterized by single crystal X-ray crystallography. The crystal of 2 belongs to the triclinic system with space group P 1 and a=0.95705（13） nm, b= 1.22287（14） nm, c= 1.26450（14） nm, a=64.194（11）°, B=78.491（13）°, y=76.176（12）°, V= 1.2860（3） nm^3, Z= 1,μ=4.783 mm^-1, Dc= 1.964 Mg/m^3, M= 1521.19, S= 1.046, R1=0.0358, wR2=0.0910. X-ray analysis revealed that 2 is a thiolate-bridged dimer in which each Sm atom adopts a distorted pentagonal bipyramidal coordi- nation geometry.