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运动声源信号中广泛存在多普勒效应的影响,为了解决其引起的频移、频带扩展问题,提出了一种时域信号校正方法。该方法首先从运动关系和莫尔斯声学理论出发推导得出离散插值时间序列和幅值还原公式,然后对畸变信号进行幅值还原和插值拟合。仿真信号和实验信号处理结果表明多普勒效应带来的频移和频带扩展问题得到了较好的解决,畸变信号得到了有效校正。该方法在时域内对离散信号进行单点操作,与以往的频域处理方法相比具有无需已知声源特征频率、不受频带混叠因素影响的优点,该方法能够处理多频信号,是一种简单有效的多普勒效应消除方法。 相似文献
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从漆斑菌中分离得到了5个单端孢霉烯族化合物,并确定了其平面结构;选取其中获得量比较大的化合物进行结构改造,得到4个新化合物;分别对这9个化合物进行了抗菌和细胞毒活性测试.结果表明,化合物1结构中C12和C13位的环氧环打开后,重新与C2位形成新的四元环氧环或对C2'位的羟基进行酰基保护后,化合物的细胞毒活性下降. 相似文献
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本文研究权衡了保修产品预防维修所节省的成本开支和同时增加的维修费用,以产品的长期平均成本率最低为决策依据,讨论了一个最优预防维修策略,给出了求解最优维修策略的有效算法. 相似文献
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一种新的硫酸根离子敏感电极 总被引：6，自引：0，他引：6
探索新的材料制备离子敏感电极,研究这些电极的响应特性和响应机理,是离子电极研究的一个新方向［'－"．硫酸根离子敏感电极一直是离子电极研究中的一个难点·本文采用电沉积方法,在铜、钻、玻璃碳和低碳钢体表面沉积了Ni－P系非晶合金硫酸根离子敏感电极,电极对硫酸根离子在卫X10－'～IX10－'mol／L浓度范围内呈Nernst响应,检测下限可达4X10'mol／L,具有良好的重现性和稳定性．该硫酸根离子电极对常见阴离子具有良好的选择性,与迄今所报道的SO广离子敏感电极比较显示了较优异的特性．1实验部分将金属铜（99％,4-5mm）、金属钻… 相似文献
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以十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)和一种短链氟碳阴离子表面活性剂(Capstone FS-66)作为双模板,通过四乙氧基硅烷(TEOS)和含氯官能团的硅烷偶联剂制备了含氯官能团的大孔径树枝状介孔二氧化硅纳米球(MSNs);利用EuCl3·6H2O、1,10-邻菲啰啉盐酸盐和二苯甲酰甲烷合成铕的配合物Eu(DBM)3phen,然后以MSNs为基质填充Eu(DBM)3phen。为了更好地将Eu(DBM)3phen嵌入到纳米球孔道内,对所制备的介孔纳米球的孔道表面进行聚乙烯亚胺(PEI)修饰;同时为了解决荧光配合物从孔道泄露的问题,在纳米球表面层层自组装吸附多层聚合物,然后包覆一层二氧化硅膜形成核-壳结构。最后将所制备的荧光纳米球与3-氨丙基三乙氧基硅烷反应,使其表面带有氨基,用来嫁接生物分子如抗体等。通过透射电子显微镜(TEM)、荧光光度计和傅里叶红外光谱仪(FTIR)等多种方法对最终合成的纳米球的结构和性能进行了表征。结果表明:本制备的荧光纳米球粒径约为230μm、荧光强度约为2800a.u,1543cm^-1处出现了氨基的弯曲振动峰。 相似文献
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考虑实际体系的梯度无序和结散射,发展格林函数矩阵分解消元方法,研究了准一维纳米线的电子输运性质. 结果表明,由于结散射,电导随能量呈现振荡行为,无序的引入破坏了电子相干性,在低无序度区平均电导呈现异常增加,呈现一个新的电导峰. 当表面存在无序但无梯度衰减时,体系的平均电导随无序度增强先减后增,出现类局域-退局域性转变. 当表面无序线性衰减时,平均电导在强无序区稍有增加,而当表面无序高斯型衰减时,平均电导指数衰减,类局域-退局域性转变消失,不同于以前的理论预言. 研究结果对准一维纳米线电子器件的结构设计和应用有指导作用.
关键词：
准一维纳米线
梯度无序
电子输运 相似文献
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采用三电极体系在硫酸铜-乳酸体系的中电化学沉积法制备Cl∶ Cu2O薄膜,通过光电流(l-t)测试、莫特-肖特基(M-s)曲线测试、光电压衰减测试(V-t),研究Cl离子掺杂对氧化亚铜薄膜性能产生的影响.结果表明当pH值为8.5时,可以获得n型氧化亚铜.随着CuCl2的加入,氧化亚铜薄膜的光电流密度先上升后下降.莫特-肖特基曲线测试的载流子浓度与光电流密度的趋势一致,当CuCl2为40 mmol/L时达到最高值,光电流密度为0.11 mA/cm2(较纯氧化亚铜提高了247.6;),载流子浓度为3.58×1019 cm-3(较纯氧化亚铜的载流子浓度提高了2457;).将光电压衰减测试结果进行拟合后发现在40 mmol/L CuCl2溶液中得到的薄膜,其载流子的半衰期提高到了8.92s,说明较纯氧化亚铜薄膜的光稳定性大大提高了. 相似文献