隧道场效应晶体管静电放电冲击特性研究

随着器件尺寸的不断减小,集成度的逐步提高,功耗成为了制约集成电路产业界发展的主要问题之一.由于通过引入带带隧穿机理可以实现更小的亚阈值斜率,隧道场效应晶体管(TFET)器件已成为下一代集成电路的最具竞争力的备选器件之一.但是TFET器件更薄的栅氧化层、更短的沟道长度容易使器件局部产生高的电流密度、电场密度和热量,使得其更容易遭受静电放电(ESD)冲击损伤.此外,TFET器件基于带带隧穿机理的全新工作原理也使得其ESD保护设计面临更多挑战.本文采用传输线脉冲的ESD测试方法深入分析了基本TFET器件在ESD冲击下器件开启、维持、泄放和击穿等过程的电流特性和工作机理.在此基础之上,给出了一种改进型TFET抗ESD冲击器件,通过在源端增加N型高掺杂区,有效的调节接触势垒形状,降低隧穿结的宽度,从而获得更好的ESD设计窗口.     

强化换热管流体侧污垢热阻优化模型

常规污垢热阻预测模型把颗粒附着概率和污垢粘合强度认为是常数,但本文分析发现其不能以常数处理。基于Li和Webb的污垢实验数据,针对内螺纹强化换热管提出了一种理论更合理的污垢预测模型。新模型与现有模型相比不仅具有直接的实际物理意义,而且具有较高准确度,其最大偏差、平均偏差分别为5.20%、1.87%。常规模型为了保证一定的精度,只能以p/e≈3.5为分界点进行分段函数预测,而新模型公式单一简便、物理意义明显。该模型可供后续的强化管污垢热阻研究提供一种更优的建模方法。     

体外模拟胆结石体系基质调控的FTIR研究

利用金属离子-脱氧胆酸凝胶体系体外模拟胆结石的化学反应体系,在加入不同的生物基质后体系会有类似胆结石中的周期环/有序分形结构的沉淀产生,利用傅里叶红外光谱表征这些沉淀的微观结构,从而推断胆结石的形成。     

Low-parasitic ESD protection strategy for RF ICs in 0.35μm CMOS process

A systemic and comprehensive ESD-induced parasitic model is presented in this paper, which is used to analyse the parasitic influences of electrostatic discharge (ESD) protection circuits on the performance of radio frequency applications. A novel low-parasitic ESD protection structure is made in a 0.35\mum 1P3M silicide CMOS process. The measured results show that this novel structure has a low parasitic capacitance about 310fF and a low leakage current about 12.2nA with a suitable ESD robustness target about 5kV human body model.     

单个纳米粒子对聚合物结晶行为的影响

采用粗粒化模型,应用分子动力学方法研究了单个纳米粒子对聚合物结晶行为的影响.通过改变纳米粒子与聚合物单体之间作用方式(吸引作用或排斥作用)、纳米粒子与聚合物单体之间作用强度和聚合物分子链的长度,计算整个系统和局部区域的有序参数,研究了三个不同因素下纳米粒子对聚合物结晶行为的不同影响.研究表明,在聚合物基体中添加单个纳米粒子,纳米粒子对整个系统的结晶影响不明显,但是纳米粒子对其周围聚合物单体的结晶存在局部强化作用.当纳米粒子与聚合物单体之间为吸引作用且作用强度较大时,纳米粒子对聚合物结晶表现出明显的局部强化作用,聚合物分子链长度也有着一定的影响,在较大吸引作用强度下,长链样本比短链样本有着更为显著的局部强化作用.     

Structure-dependent behaviors of diode-triggered silicon controlled rectifier under electrostatic discharge stress

The comprehensive understanding of the structure-dependent electrostatic discharge behaviors in a conventional diode-triggered silicon controlled rectifier(DTSCR) is presented in this paper. Combined with the device simulation, a mathematical model is built to get a more in-depth insight into this phenomenon. The theoretical studies are verified by the transmission-line-pulsing(TLP) test results of the modified DTSCR structure, which is realized in a 65-nm complementary metal–oxide–semiconductor(CMOS) process. The detailed analysis of the physical mechanism is used to provide predictions as the DTSCR-based protection scheme is required. In addition, a method is also presented to achieve the tradeoff between the leakage and trigger voltage in DTSCR.     

LiNO3熔盐辅助煅烧制备高分散纳米ZrO2粉体

以可溶性锆盐溶液反向滴定氨水溶液成功地制备了纳米ZrO2粉体,系统研究了反应物浓度与煅烧温度对产物粒径和形貌的影响;在反应过程中加入表面活性剂,并采用正丁醇共沸蒸馏干燥和LiNO3熔盐辅助煅烧等方法,以控制粒径、减少团聚.通过热重-差热分析(TG-DTA)、透射电镜(TEM)、X射线衍射(XRD)、比表面积分析(BET)等对样品进行了形貌表征、晶型及粒径分析.结果表明:上述多种方法联合使用能够有效控制粒径、减少团聚,制备出的纳米ZrO2粉体分散性优异,为立方晶相结构,粒径15 nm左右.     

CuO-SBA-15的表面酸性对燃料油吸附脱硫的影响

固相研磨法是将不同量的活性组分掺入到介孔材料上的一种简单有效的方法.采用该法以焙烧脱模前后的SBA-15为载体分别制备了不同负载量的CuO-SBA-15吸附剂.利用X射线衍射(XRD)、N2物理吸附、傅里叶变换红外(FTIR)等方法表征了吸附剂的物理性质.通过原位红外技术考察了改性前后介孔材料表面羟基的变化.借助吡啶-原位傅里叶变换红外(py-FTIR)技术考察了吸附剂表面的酸类型及相对酸量.采用静态吸附实验评价了吸附剂对催化裂化(FCC)燃料油的吸附脱硫性能.结果表明:CuO是与SBA-15表面的Si―OH结合形成[Si-O-Cu-O-Si]交联从而达到分散的目的;以SBA-15介孔材料(APS)为载体能够有效抑制在焙烧过程中介孔材料表面羟基的缩合,且CuO负载量达到3mmo·lg-1时仍能够均匀分散在载体SBA-15上,而采用焙烧脱模的SBA-15(CS)为载体制备的CuO-SBA-15吸附剂却出现了活性组分团聚现象;吸附剂的酸性与脱硫性能均随着CuO的增加出现先增加后降低的趋势,当CuO负载量达到3mmo·lg-1时吸附剂具有最高的Lewis酸(L酸)酸量及最佳的脱硫性能;吸附剂的L酸酸量与其脱硫性能成正相关关系;另外吸附剂的L酸的形成是由于改性后Cu周围的电荷密度降低引起的.     

计算机化学的主要研究领域及其发展趋势

一、引言 自第一台电子计算机ENLAC诞生至今只有40多年,计算机已经深入到科学研究、工业生产、商务活动等人类社会的一切方面,甚至已进入到家庭,成为现代生活不可缺少的一分部。同样,现代化学也离不开计算机。化学的诸多方面,如在浩如烟海的化学文献中