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采用分子印迹技术,以3-疏基丙基三甲氧基硅烷为功能单体,铅离子和十六烷基三甲基溴化铵(CTMAB)为双模板形式络合体系,并加入由四乙氧基硅烷和甲醇所形成的溶胶,用氢氧化钠作催化剂制得铅离子双印迹吸附剂。经红外光谱法和氮气吸附-脱附系统对此吸附剂的结构特征及表面性能进行表征和分析。结果表明:在印迹吸附剂中除去铅(Ⅱ)离子模板后,恢复了-SH官能团;CTMAB的存在具有提高表面积和孔径的倾向。此双印迹吸附剂在静态条件下,对铅(Ⅱ)离子的吸附经10min,吸附率达95%。吸附容量达545.6mg·g-1。在镉(Ⅱ)离子共存下,相对选择性系数为192。用0.5mol·L-1硝酸溶液5mL即可从吸附剂上洗脱94.4%铅(Ⅱ)。以此吸附剂作为萃取材料分离富集了环境水样中痕量铅(Ⅱ),洗脱后用原子吸收光谱法测定其中铅(Ⅱ)量,测定值的回收率在104%~106%之间。 相似文献
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根据Holstein的共振辐射俘获理论,讨论了气体温度和辐射俘获下能级粒子数密度对辐射俘获上能级有效辐射寿命的影响,显示辐射俘获下能级粒子数密度是辐射俘获效应中的主导因素.计算了钙,锶,钡和汞四种离子七条共振-亚稳能级跃迁激光在不同电离率下产生共振辐射俘获效应的阈值条件,发现当电离率为5%时这类激光的出光温度与共振辐射俘获的阈值温度相一致,这与实验得出的电离率为3%—5%相符合.表明达到共振辐射俘获阈值条件是该类激光实现粒子数反转的重要因素. 相似文献
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稀土变质及热处理对耐磨铸铁冲击疲劳性能的影响 总被引:4,自引:1,他引:4
采用金相显微镜、扫描电镜观察了经冲击疲劳试验后耐磨铸铁中碳化物的形貌、疲劳裂纹的萌生与扩展,测定了稀土含量及加热温度与裂纹的长度和裂纹扩展之间的关系曲线,在此基础上探讨了稀土变质及热处理对耐磨铸铁冲击疲劳性能的影响.结果表明: 稀土能推迟裂纹萌生的时间,降低裂纹扩展速率,提高其冲击疲劳抗力.当稀土与热处理共同作用时,效果更显著.其原因主要归于网状共晶碳化物形态与分布的改变. 相似文献
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锆钛酸铅镧(Pb0.94La0.06Zr0.96Ti0.04O3,PLZT)具有良好的介电和储能性质,是高效、高能量密度电容元件和存储器件的基体材料.为研究该材料的中子辐照损伤,首先基于Geant4程序包模拟了能量为1—14 MeV中子辐照浩钛酸铅镧(PLZT)材料产生的反冲原子能谱,然后根据产生的反冲原子种类和最大能量,利用二元碰撞方法模拟了不同能量的离子在PLZT中产生的位移损伤(包括空位和间隙原子),最后根据反冲原子能谱和对应能量离子在材料中产生的缺陷数目计算了不同能量的中子在PLZT材料中产生缺陷浓度以及分布.结果发现,对于1—14 MeV能区的快中子而言,其在厚度为3 cm的PLZT材料中产生的缺陷数目近似与中子能量无关,约为460±120空位/中子.辐照损伤在3cm厚度内随深度的增加而略有减小,总体变化小于50%,该减小主要是由于中子的反散射导致.本工作为计算中子在材料中的位移损伤提供了一种方法,同时模拟结果可为研究PLZT基电子器件的中子辐照效应提供指导. 相似文献
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考虑了一类脆弱斑块中植物种子的脉冲漂移模型,得到了系统永久持续生存性.在此基础上,利用单调凸算子理论,得到了系统唯一全局渐进稳定的周期解.数值模拟也表明脉冲扩散能挽救脆弱斑块中的植物种群. 相似文献