温度对水稻谷氨酰胺合成酶和NADH-谷氨酸合酶表达的影响

测定了不同温度（32℃和23℃）培养下水稻幼苗根和叶的谷氨酰胺合成酶（GS）同工酶以及依赖于NADH的谷氨酸合酶（NADH－GOGAT）的活性变化。结果表明，温度对水稻根和叶的GS活性具有相反的作用。23℃下生长的水稻根的GS活性明显高于32℃下生长的活性，而23℃下生长的叶的GS活性显著低于生长在32℃下的叶的活性。Native-PAGE和活性染色以及蛋白质印迹表明，根和叶的GS活性变化主要是由于GSrb和GS2活性及其相应蛋白质水平变化所致。23℃下生长的水稻根的NADH－GOGAT活性显著高于32℃下生长的活性，而叶的活性则基本保持恒定。     

磁控溅射方法制备直径120mm高均匀性Mo/Si多层膜

为满足极紫外、软X射线和X射线大口径多层膜反射镜的需求,采用基板扫掠过矩形靶材表面的镀膜方法,在直径120 mm的平面基板上镀制了Mo/Si周期多层膜。通过调整基板扫掠过矩形靶材表面的速率修正了薄膜的沉积速率,极大地提高了薄膜厚度的均匀性。采用X射线衍射仪对反射镜不同位置多层膜周期厚度进行了测量,结果表明,在直径120 mm范围内,Mo/Si多层膜周期厚度的均匀性达到了0.26%。同步辐射测量多层膜样品不同位置处的反射率,结果表明,在直径120 mm范围内,多层膜的膜层厚度均匀,在入射角10°时13.75 nm波长处平均反射率为66.82%。     

虚晶近似法研究AlN-Al2O3固溶体系的力学性能和电子结构

基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法, 运用虚晶近似方法计算了AlN-Al₂O₃固溶区内尖晶石相氮氧化铝(Al₂₄O₂₄N₈, Al₂₃O₂₇N₅和Al₂₂O₃₀N₂)和α-Al₂O₃, AlN的力学性能和电子结构. 结果证明虚晶近似法应用到氮氧化铝结构计算中是可行的. 力学常数计算结果和弹性模量B, 剪切模量G, 杨氏模量E反映的材料硬度变化趋势与实验基本一致;Al₂O₃-AlN固 溶区内五种结构均为脆性性质且Al₂₃O₂₇N₅脆性最低, 硬度高、脆性低的特性反映了Al₂₃O₂₇N₅优异的抗弯强度性能. 五种结构满足力学结构上的稳定性, 立方尖晶石相氮氧化铝表现为弹性各向异性. 能带和态密度的计算分析表明这五种结构均为直接宽带隙结构. 在费米能级附近, 氮氧化铝结构中阴离子的2p态和阳离子的3s, 3p态发生了轨道杂化. 理论结果与实验数据基本符合, 为进一步研究提供了一定的理论方法和依据.     

用安培环路定理求载流无限长螺线管磁场

本文区别一般教材中毕奥—萨伐尔定律与安培环路定理相结合的方法 ,仅用安培环路定理求出载流无限长螺线管磁场分布 ,突显了安培环路定理在磁场分布方面的作用与意义 ,加深对安培环路定理的理解