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11.
(Tm,Ho):YLF晶体激光器的实验研究 总被引:2,自引:1,他引:1
报道了一台连续792nmTi:Al2O3激光器纵向抽运的(Tm,Ho):YLF微片激光器。在室温条件下,当抽运功率为680mW时,激光器在2.06μm波长的输出功率达到90mW。激光器阈值为380mW,光光转换效率为13%,斜率效率为26%. 相似文献
12.
应用显式的五阶WENO格式,结合k-ω湍流模型,求解三维Favre平均N-S方程,计算了从方孔横向喷出的声速气流与马赫数为3.0的超声速气流的干扰流场。结果表明,在射流上游,射流的阻碍便超声速气流产生分离,形成两个主要的回流区域,主回流导致在方孔射流两侧形成马蹄涡区域,射流下游存在低压区域,形成较小的回流以及一对螺流形旋涡。 相似文献
13.
开展数学实验课程教学促进大学数学教学改革 总被引:5,自引:0,他引:5
本主要阐述了开设数学实验课程教学对促进数学教改所起的作用,探索了数学实验课程的教学内容、教学方法、教学手段以及考试改革等。全面总结了重庆大学近年来开展数学实验课程教学及深化理工科数学教学改革的一些思路。 相似文献
14.
15.
通过重离子核反应与在束γ谱的实验技术, 对A=130缺中子核区的双奇核136La的高自旋态进行了研究, 所用核反应为130Te(11B,5n). 实验结果扩展了136La的能级纲图, 包括3个集体转动带, 最高自旋态达20h. 对于\uppi h_{11/2}\otimes \upnu h_{11/2}$~带, 观测到了旋称反转与集体回弯现象. 通过系统学比较, 对旋称反转特性进行了讨论. 由推转壳模型的计算指出, 此集体回弯是由一对中子的角动量顺排引起的. 另外两个集体带为具有~$\gamma\approx -60^\circ$~的扁椭形变带, 其可能的组态为: $\uppi h_{11/2}\otimes \upnu g_{7/2}h_{11/2}^2$~与~$\uppi g_{7/2}\otimes\upnu g_{7/2}^2 d_{5/2} h_{11/2}^2$. 相似文献
16.
A positive Mg-Al-nitrate layered double hydroxides(LDHs) has been synthesized using a non-steady coprecipitation method.The shape.size,chemical composition,electrical property and anion exchange property of the positve nanoparticle were studied by SEM,XRD,FTIR,chemical analysis,spectroanalysis and meaxsuring of electrophoretic mobilities.Preliminary results show the positive nanoparticle is a promising precursor of polymer/LDHs nanocomposite. 相似文献
17.
The paper discusses the relationship between weights and control vertices of two rational NURBS curves of degree two or three with all weights larger than zero when they represent the same curve parametrically and geometrically, and gives sufficient and necessary conditions for coincidence of two rational NURBS curves in non-degeneracy case. 相似文献
19.
20.
We study the pulsed laser ablation of wurtzite gallium nitride(GaN) films grown on sapphire,using the femtosecond laser beam at a central wavelength of 800nm as the source for the high-speed ablation of GaN films.By measuring the backscattered Raman spectrum of ablated samples,the dependence of the ablation depth on laser fluence with one pulse was obtained.The threwshold laser fluence for the ablation of GaN films was determined to be about 0.25J/cm^2,Laser ablation depth increases with the increasing laser fluence until the amount of removed material is not further increased.The ablated surface was investigated by an optical surface interference profile meter. 相似文献