具有共轭主链聚合物单晶的低温电导测定

用自行组装的低温电导测定装置对77～373K温度范围内双(对甲苯磺酸)-2,4-己二炔-1,6-二醇酯(TS)及其聚合物PTS单晶体的暗电导进行了测定。在c方向上相应于它们低温相转变的温度,TS和PTS的电导均出现异常,此时TS的相变温度是163K和208K。     

用NMR法研究铜(Ⅱ)-氨基酸二元配合物配体交换反应动力学

采用Varian XL200超导核磁谱仪,在200.057MHz和25±0.5℃条件下,测定了水溶液中Cu(Ⅱ)分别与脯氨酸、缬氨酸、α-氨基丁酸、苏氨酸、丙氨酸和甘氨酸配合物的配体交换反应速率常数.根据NMR原理导出了实验线宽与配体交换反应速率常数之间的关系,解释了弛豫时间随配体浓度的变化关系.实验表明,交换反应速率大小顺序与氨基酸配体的空间因素一致,即随氨基酸的碳原子数增加,交换反应速率常数减少.根据实验结果提出涉及三角双锥过渡态的反应机理.     

SOI SiGe HBT电学性能研究

研究了SOI衬底上SiGe npn异质结晶体管的设计优化.给出了器件基本直流交流特性曲线,分析了与常规SiGeHBT的不同.由于SOI衬底的引入使SOI SiGe HBT成为四端器件,重点研究了衬底偏压对Gummel曲线、输出特性曲线以及雪崩电流的影响.最后仿真实现材料物理参数和几何物理参数对频率特性的改变.结果表明SOI SiGeHBT与常规器件相比具有更大的设计自由度.SOI SiGe HBT的系统分析为毫米波SOI SiGe BiCMOS电路的设计提供了有价值的参考.     

配合物生成反应速率常数与平衡常数之间的直线自由能关系——Ⅳ.5位取代-1,10-邻菲啰啉-铜(Ⅱ)与镍(Ⅱ)的金属交换反应动力学和机理研究

本文用UV分光光度法研究了Cu(Ⅱ)和5位取代-1,10-邻菲啰啉(5-R-phen)配合物与Ni(Ⅱ)的金属交换反应动力学,实验在25℃、pH2.3—3.5范围内和离子强度为1.0mol·dm_(-3)。条件下进行.结果表明反应对配合物Cu(5-R-phen)~(2+)的浓度呈一级关系,反应通过三条不同的途径进行,这三条途径分别为配合物的离解途径、质子催化离解途径和镍(Ⅱ)亲电缔合途径,反应遵循如下速率方程: r={k_0+k_H[H~+]+k_(Ni)[Ni~(2+)]}[Cu(5-R-phen)~(2+)] 本文根据动力学数据讨论了反应机理,实验结果表明金属交换反应速率随配体碱性减小而增大,配合物Cu(5-R-phen)~(2+)的反应活性和配体5-R-phen的碱性强度之间存在直线自由能关系.     

SiC电子输运特性的Monte Carlo数值模拟

利用系综MonteCarlo法研究了2H ,4H和6HSiC的电子输运特性.在模拟中考虑了对其输运过程有着重要影响的声学声子形变势散射、极化光学声子散射、谷间声子散射、电离杂质散射以及中性杂质散射.通过计算,获得了低场下这几种不同SiC多型电子迁移率同温度的关系,并以4H SiC为例,重点分析了中性杂质散射的影响.最后对高场下电子漂移速度的稳态和瞬态变化规律进行了研究.将模拟结果同已有的实验数据进行了比较,发现当阶跃电场强度为10×106V·cm-1时,4H Sic电子横向瞬态速度峰值接近33×107cm·s^-1,6H Sic接近30×107cm·s^-1.     

Cu互连应力迁移温度特性研究

提出了一种基于扩散-蠕变机制的空洞生长模型, 结合应力模拟计算和聚焦离子束分析技术研究了Cu互连应力诱生空洞失效现象, 探讨了应力诱生空洞的形成机制并分析了空洞生长速率与温度、应力梯度和扩散路径的关系. 研究结果表明, 在Cu M1互连顶端通孔拐角底部处应力和应力梯度达到极大值并观察到空洞出现. 应力梯度是决定空洞成核位置及空洞生长速率的关键因素. 应力迁移是空位在应力梯度作用下沿主导扩散路径进行的空位积聚与成核现象, 应力梯度的作用与扩散作用随温度变化方向相反, 并存在一个中值温度使得应力诱生空洞速率达到极大值. 关键词： Cu互连 应力迁移 应力诱生空洞 失效     

一种非均匀线型的互连线能量分布模型

基于互连线信号传输微分方程,推导非均匀互连线的电压和电流分布表达式,根据实际情况,考虑非理性激励提出包括前端驱动和后端负载的二端口非均匀互连电路各部分能量分布表达式.基于65 nm CMOS工艺参数,对方法进行计算仿真验证,计算结果与Hspice仿真结果比较误差小于5%,具有很高的精度.该方法适用于高性能全局互连的前端优化设计分析.     

表面预处理对SiO2/Si结构上APCVD生长SiC薄膜的影响

采用S iH4-C3H8-H2气体反应体系在S iO2/S i复合衬底上进行了S iC薄膜的APCVD生长。实验结果表明,H2表面预处理温度过高或时间过长会导致衬底表面S iO2层熔化再结晶或被腐蚀掉。通过“先硅化再碳化”的工艺方法可以较好地解决S iO2/S i复合衬底上S iC成核困难以及粘附性差的问题,同时还可以有效抑制S iO2中的O原子向S iC生长膜扩散。选择预处理温度和薄膜生长温度为1180℃、H2预处理、S iH4硅化和C3H8碳化时间均为30 s的最佳生长条件时,可以得到<111>晶向择优生长的多晶3C-S iC外延薄膜,薄膜生长速率约为2.0~2.5nm/m in.     

过渡金属五卤苯基化合物的研究 Ⅸ. 双(二苯基甲基膦)合(五氯苯基)氯化镍(Ⅱ)与吡啶及取代吡啶亲核取代反应动力学和机理

前文报道了配合物trans-(Ph_2PR)_2Ni(C_8Cl_5)X(R=Me、Et、n-Pr;X=Cl、Br、I)与无机离子的亲核取代反应动力学和机理研究。反应遵循两项速率定律k_(obs)=k_1+k_2[Y],共中k_1、k_2分别为溶剂途径和试剂途径速率常数,[Y]为试剂浓度。然而,与吡啶或取代吡啶(am)进行反应时,表观速率常数