城市可持续发展综合评价的一种方法

用层次分析法设计城市可持续发展评价模型.采用熵技术支持下的层次分析法确定系统指标权重,用加权平均法对可持续发展状态进行综合评价.并对鞍山市进行实例分析,指出鞍山市可持续发展能力总体呈上升趋势,但表现一定的波动性,与鞍山市的发展现状相符.     

新型酰腙类荧光探针的合成及其对Al(Ⅲ)的传感性质

合成了两个酰腙类荧光探针1和2,在DMSO-H_2O(7∶3,体积比)体系中,两者分别在478 nm和460 nm处对Al~(3+)具有较好的荧光选择识别作用。Job's法、核磁滴定、质谱分析表明,探针1和2与Al~(3+)的配位比均为1∶2,且对Al~(3+)的检出限分别为9.58×10~(-8) mol/L和6.52×10~(-8) mol/L。同时提出了探针1和2对Al~(3+)的荧光传感机理。实际应用研究表明,探针1和2可用于河水和自来水中一定浓度范围内Al~(3+)的检测。     

电化学聚合吡咯/噻吩导电共聚物纳米纤维阵列及其表征

导电聚合物因其具有良好的空气稳定性、电化学成膜性和导电性等特点,在二次电池、电色显示及固体电容器等方面都有诱人的应用前景.近年来人们研究导电聚合物的纳米结构时发现,由于超分子效应,纳米纤维中聚合物链会以平行于纤维轴向为优先取向,这种优先取向使导电聚合物纳米纤维的电导率比块材有极大提高.     

纳米SnO2@TiO2包覆催化剂的制备及表征

采用活性层包覆法在自制超细SnO     

带有HollingⅠ类功能反应离散半比率依赖捕食-食饵系统的持久性

研究了一个带有HollingⅠ类功能反应和时间延迟的离散半比率依赖捕食-食饵系统,给出了系统保持持久性的充分条件.     

Christoffel方程方法研究带有初应力压电介质中的表面波

利用Christoffel方程的方法研究了带有初应力的半无限大压电介质中的表面波.基于带有初应力的压电介质的控制方程和本构方程,构建带有初应力的Christoffel方程.再结合半空间应力自由的表面条件和电学的边界条件,得到了电学开路和电学短路时表面波的波速方程.这些结果可以为新型压电介质表面波器件的研究提供重要的理论依据.     

树脂锚定SiO2粒子构建减反射表面模拟

结合当前塑料基材表面构建减反射结构的现状和趋势,使用COMSOL Multiphysics软件在可见光谱范围内研究了中空二氧化硅粒子（HSP）和HSP-实心二氧化硅粒子混合对所构成的减反射表面的光学性能的影响。具体考察的因素包括：HSP的尺寸、空心度、粒子间距、树脂覆盖高度、入射角和排布方式等几何参数。结果表明,当采用半径为100 nm的HSP,且树脂覆盖粒子一半高度时,在六方格子排布的HSP间隙掺入小尺寸实心二氧化硅粒子,可在整个可见光谱范围内获得较低的反射率,涂层的平均反射率可低至0.24%。     

准直管磨料射流中各相介质在管内的流动机理与实验研究

介绍了准直管磨料射流的工作原理和特点,准直管磨料射流在准直管内的流动属于气（汽）、液、固多相混合介质的瞬变流动,分析了磨料在多相流体介质中的受力,推导了多相流体介质在准直管内有阻运动时的磨料运动方程式,提出了各种损失的经验计算方法,研究表明,气（汽）、液流体介质和磨料介质在准直管中的速度和密度是逐渐变化的,在０．４～３ｍ管长范围内磨料速度基本保持不变,短管时采用细磨粒,长管时长采用粗磨粒。     

飞秒脉冲激光辐照对硅发光性能的影响

利用飞秒脉冲激光对单晶硅进行辐照,研究了在不同环境(纯水和空气)和能量密度条件下激光刻蚀过后硅片的光致荧光特性.对于辐照后的硅片,利用了场发射扫描电子显微镜(FESEM)、能谱仪(EDS)、傅里叶红外光谱仪(FT-IR)、光致荧光光谱仪(PL)进行表征.结果显示:在空气中样品表面形成了条纹状微结构,纯水中硅片表面生成了尺寸更小的珊瑚状微结构;激光刻蚀后在硅片表面的生成物主要是SiOx(x2),在纯水中处理后硅片氧元素的含量接近是空气中的4倍;傅里叶变换红外透射谱中主要为Si—Si键(610 cm-1)和Si—O—Si键(1105 cm-1)的振动;在空气和纯水中激发出的荧光均为蓝光(420—470 nm),在各自最佳激发波长下,纯水中荧光强度比空气中强2到3倍,但是在可见光范围内荧光峰的位置和形状都基本没有发生变化.研究表明:氧元素在光致发光增强上起着重要作用,光致发光最主要是由形成的氧缺陷SiOx(x2)导致的,生成低值氧化物SiOx的多少决定了发光的强弱.     

飞秒脉冲激光辐照下硅表面光致荧光特性(英文)

采用钛宝石飞秒脉冲激光对单晶硅在空气中进行辐照,研究了硅表面在不同扫描速度和能量密度下的光致荧光特性。光致荧光谱(PL)测量表明,在样品没有退火处理的情况下,激光扫描区域观察到橙色荧光峰(603nm)和红色荧光带(680nm附近)。扫描电子显微镜(SEM)测量显示,在飞秒脉冲激光辐照硅样品的过程中硅表面沉积了大量的纳米颗粒。利用傅里叶变换红外光谱仪(FT-IR)检测到了低值氧化物SiOx(x2)的存在,并且结合能谱仪(EDS)检测结果发现氧元素在光致发光中起着重要作用。研究表明:603nm处橙色荧光峰来自微构造硅表面低值氧化物SiOx,680nm附近红色荧光带来自量子限制效应。同时样品表面硅纳米颗粒的尺寸和氧元素的浓度分别决定了红色荧光带和橙色荧光的强度,通过调节飞秒激光脉冲的扫描速度和能量密度,可以有效地控制样品的荧光强度。