正交异性双材料反平面界面端应力场分析

研究了正交异性双材料反平面平板搭接界面端问题,采用复合材料断裂复变方法,构造了特殊应力函数,通过求解一类广义重调和方程组的边值问题,推导出平板搭接界面端的应力场、位移场及应力强度因子的表达式,结果显示:反平面搭接界面端只有一个奇异性,上下材料常数比Γ＞0时,应力场具有幂次奇异性,且随着Γ增长,奇异指数趋于-1/2,并利用有限元算例分析验证了理论结果的正确性.     

Stress field near interface crack tip of double dissimilar orthotropic composite materials

In this paper, double dissimilar orthotropic composite materials interfacial crack is studied by constructing new stress functions and employing the method of composite material complex. When the characteristic equations＇ discriminants △1 〉 0 and △2 〉0, the theoretical formula of the stress field and the displacement field near the mode I interface crack tip are derived, indicating that there is no oscillation and interembedding between the interfaces of the crack.     

光弹法实测正交异性双材料界面裂纹断裂参数

采用光弹贴片法实测正交异性双材料界面裂纹尖端区域的应力应变场, 进而求出界面裂纹的断裂力学参量. 将正交异性双材料板加工成拉伸试件,在聚碳酸酯贴片 的单侧表面镀金属铝膜,以提高贴片的反射效率. 沿贴片后的双材料界面预制裂缝,逐渐加 大载荷,得到一系列清晰的等差线条纹图. 利用正交异性双材料界面裂纹尖端应力分量表达 式计算出应力强度因子. 实验表明,光弹贴片法可有效地分析正交异性双材料界面裂纹问题.     

Interface end stress field of antiplane of orthotropic bimaterials

The orthotropic bimaterial antiplane interface end of a flat lap is studied by constructing new stress functions and using the composite complex function method of material fracture. The expressions of stress fields, displacements fields and the stress intensity factor around the flat lap interface end are derived by solving a class of generalized bi-harmonic equations. The result shows that this type of problem has one singularity, the stress field has no singularity when two materials have constant ratio F 〉 0, the stress field has power singularity, and the singularity index has a trend to -1/2 as F increases. The derived equation is verified with FEM analysis.     

求解对称矩阵特征值及特征向量的初等变换法

 在力学中有一类量的求解可归结为矩阵特征值和特征向量的求解，而求解 矩阵的特征值将要求解高次方程的根，这在数学上将遇到难以克服的困难. 应用初等变 换方法，将对称矩阵的特征矩阵对角化. 利用这种方法，同时可求出该矩阵所有的特征值和 正交的特征向量，避免了求解高次方程根的困难与把各特征向量正交化的麻烦.     

Sn掺杂ZnO纳米针的结构及其生长机制(英文)

利用包括磁控溅射和热氧化的两步法在Si(111)衬底上制备了Sn掺杂ZnO纳米针.首先用磁控溅射法在Si(111)衬底上制备Sn:Zn薄膜,然后在650℃的Ar气氛中对薄膜进行热氧化,制备出Sn掺杂ZnO纳米针.样品的结构、成分和光学性质采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、能量散射X射线(EDX)谱和光致发光(PL)光谱等技术手段进行分析.结果表明,制备的样品为具有六方纤锌矿结构的单晶Sn掺杂ZnO纳米针,Sn掺杂量为2.5%(x,原子比),底部和头部直径分别为200-500 nm和40 nm,长度为1-3μm,结晶质量较高.室温光致发光光谱显示紫外发光峰比纯ZnO的发光峰稍有蓝移,这可归因于能谱分析中探测到的Sn的影响.基于本实验的实际条件,简单探讨了Sn掺杂ZnO纳米针的生长机制.     

正交异性双材料界面裂纹尖端应力场

通过构造新的应力函数,利用复合材料断裂复变方法,对正交异性双材料界面裂纹进行了研究.在特征方程组的判别式都大于零的情形下,推出了Ⅰ型界面裂纹尖端的应力场、位移场的理论公式,其结果没有振荡奇异性及裂纹面没有相互嵌入现象.     

基于光谱测试的纯净金刚石品质与缺陷研究

本文利用低温拉曼与光致发光光谱对纯净金刚石晶片的结晶质量、晶体应力分布进行表征分析,并结合电子辐照和快速退火对晶片的杂质缺陷结构开展研究。通过拉曼光谱对金刚石特征峰的表征分析发现,由于金刚石生长机制以及晶片的切割、抛光等因素影响,晶片的边缘与表面应力分布较高。光致发光光谱中的零声子线具有明显的温度依赖性,根据Jahn-Teller效应与电子-声子耦合理论阐明了测试温度变化引起中性单空位缺陷零声子线分裂与红移的机理。对晶片做电子辐照与退火调控处理后,晶片中氮-空位(NV)缺陷显著增多,表明在纯净晶片中氮主要以替代位氮杂质的形式存在。     

Allowable Generalized Quantum Gates Using Nonlinear Quantum Optics

In this paper, we give an efficient physical realization of a double-slit duality quantum gate. Weak cross- Kerr nonlinearity is exploited here. The probability of success can reach 1/2. Asymmetrical slit duality control gate also can be constructed conveniently. The special quantum control gate could be realized easily in optical system by our current experimental technology.     

正交异性双材料Ⅱ型界面裂纹问题研究

探讨正交异性双材料Ⅱ型界面裂纹问题,给出了它的力学模型.将控制方程化为广义重调和方程,借助复变函数方法推出了含两个应力奇异指数的应力函数.基于边界条件得到了两个八元非齐次线性方程组.求解该方程组,在双材料工程参数满足适当的条件下确定了两个实应力奇异指数.根据极限的唯一性定理推出了应力强度因子的公式和裂纹尖端应力场的理论解.作为特例,当两种正交异性材料相同时,可以推出正交异性单材料Ⅱ型断裂的已有结果.