玻璃衬底上p型ZnO薄膜的制备

本文主要采用超声喷镀法在玻璃衬底上制备了N-Al共掺的p型ZnO薄膜.研究了前驱溶液的不同配比对薄膜电学、结构特性的影响.X射线衍射的结果显示:共掺与本征ZnO具有很相似的结晶特性.霍耳测试结果表明:随着Al原子掺入量的逐渐增加,制备ZnO的类型逐渐由n型转换成p型,进一步提高后又转换成n型,文中对其中的原因进行了讨论.在普通玻璃衬底上制备出了空穴浓度达到4.6×1018cm-3,同时迁移率和电阻率分别为0.4cm2·V-1·s -1、3.3Ω·cm的p型ZnO薄膜.     

纳米Ag颗粒表面等离子激元对上转换材料光致发光性能影响的研究

本文采用共烧结工艺将纳米Ag颗粒引入Yb³⁺, Er³⁺共掺的NaYF₄上转换材料中, 利用X射线衍射及扫描电子显微镜技术对制备的NaYF₄材料进行结构特性和表面形貌的表征, 通过吸收谱及荧光光谱测试技术对NaYF₄材料光吸收及光发射特性进行表征. 通过对纳米Ag颗粒引入量的优化, 获得了Yb³⁺, Er³⁺共掺的NaYF₄上转换材料荧光发射峰的增强, 300—800 nm全光谱范围内增益达28%, 在544 nm处获得最大增益55%, 具有显著的荧光增强效果. 同时分析了不同数量纳米Ag颗粒的引入对NaYF₄材料吸收谱及光致发光特性影响, 指出了表面等离子激元的光猝灭及共振吸收增强作用机理.     

Hydrothermal synthesis of hexagonal-phase NaYF4: Er, Yb with different shapes for application as photovoltaic up-converters

Hexagonal β-NaYF4 co-doped with Yb3+ and Er3+ is directly synthesized under mild conditions using a hydrothermal method.The variation of the ratio of Ln3+ to F-and ethylenediaminetetraacetic acid(EDTA) causes the shape of the microcrystal to change from microplate to microcolumn.The NaYF4 powder is mixed with polydimethylsiloxane(PDMS) to create an up-converter for thin film amorphous silicon solar cells so as to evaluate the effectiveness of the synthesized material as an up-converter.In order to overcome the difficulty in measuring the effectiveness of up-conversion material,a new method of using near infrared illumination to measure the short circuit current densities of solar cells both with and without up-converters is developed.An up-converter with pure hexagonal NaYF4:Yb3+/Er3+ microcrystal produces a high current output.Emission intensity data obtained by photoluminescence suggest that pure hexagonal NaYF4:Yb3+/Er3+ microcrystals are more efficient than nanocrystals when used as up-converting phosphors.     

GaAs量子阱半导体微腔中腔极化激元的动态行为

GaAs量子阱半导体微腔中, 光子同时与重空穴激子、轻空穴激子耦合形成腔极化激元. 本文采用三谐振子耦合模型, 计算了腔极化激元的三支的色散关系、线宽、有效质量及其群速度; 结果表明, 由于腔极化激元的三支中光子、重空穴激子、轻空穴激子所占的权重随着平面波矢（或入射角度）变化, 腔极化激元三支的线宽、有效质量及其群速度呈现出不同的动态行为.     

SiO2阻挡层对电子束沉积法生长高迁移率IWO薄膜性能的影响

利用电子束沉积技术在玻璃衬底上制备了IWO( In2O3∶WO3)薄膜和SiO2缓冲层,并将SiO2缓冲层对IWO薄膜性能的影响作了探究.SiO2缓冲层在室温生长.SIMS测试表明:SiO2缓冲层能有效阻挡浮法玻璃中的杂质进入到IWO薄膜.实验获得的具有SiO2阻挡层的IWO薄膜的电子迁移率μ～54.5 cm2·V-1·s-1,电阻率p ～5.86×10-4Ω,cm,电子载流子浓度n～ 1.95×1020 cm-3,400～1600nm砌光谱区域内的平均透过率～76;.