高J＿cTl系2223相银包套带材的磁通钉扎和耗散

测量了Ｔｌ系２２２３相银包套超导带（Ｊ＿ｃ＝１．５×１０￣４Ａ＊ｃｍ￣（－２），７７Ｋ，０Ｔ）在０－０．８Ｔ磁场下电阻转变展宽，实验结果引用热激活磁通蠕动模型加以解释。磁场平行于带面（Ｈａｂ面）和磁场垂直于带面（ＨＪ⊥ａｂ面）两种情况下，激活能与磁场之间满足幂指数关系：Ｕ＿（０）＝０．２１，其中Ｈ的单位为ｋＧ。对Ｈａｂ面，ＨＩ时出现的与宏观洛仑兹力无关的耗散进行了讨论。     

FeCo-石墨烯纳米复合材料的新奇磁电阻特性

本文报道了FeCo-石墨烯(FeCo-G)纳米复合材料的磁电阻效应.通过改进的方法对一种类普鲁士蓝材料进行热分解,制备出具有核-壳结构的FeCo-G纳米复合材料.对不同条件下制备的FeCo-G样品进行了低温磁性质、电输运和磁输运测量.发现1000℃下制备并经氢气退火的FeCo-G纳米复合材料,室温下呈现高达-9.6%磁电阻效应,且磁电阻值随着温度的升高而增大.如此高的磁电阻可归因于此材料中FeCo-石墨烯界面质量的改善以及载流子在石墨烯基体内高效的跳跃传输.     

GaAs表面硫化学钝化,CH3CSNH2处理新探

应用同步辐射光电子谱（SRPES）和光致荧光（PL）方法探讨不同钝化条件对GaAs表面键合状态和电子态的影响．发现无论在酸性溶液或碱性溶液条件下，经过CH₃CSNH₂处理的GaAs表面S都与Ga和As成键，形成硫化物钝化层；钝化层形成后，PL谱的强度明显增强，表明GaAs表面复合中心的减少和缺陷态密度的降低 关键词：     

高度取向的半导体聚合物薄膜的溶液浸涂法生长及其电荷传输特性研究

有效地控制有机半导体分子取向和堆积特性对实现高性能电子器件具有非常重要的意义,而发展简便高效的溶液相成膜技术是实现这一目的的重要途径.本文采用改进的溶液浸涂法,成功地成长出大面积宏观取向的半导体聚合物P(NDI2OD-T2)和PTHBDTP薄膜.偏光显微镜和极化的紫外-可见光吸收谱测量显示,薄膜中聚合物分子主链骨架沿成膜时液面下移方向择优取向.原子力显微镜观察到聚合物薄膜由纳米尺度的取向有序晶畴构成,畴的取向与分子链的取向一致.采用衬底-溶液界面处表面张力和溶剂蒸发诱导的分子自组织过程来解释浸涂法生长聚合物取向薄膜的微观机理.使用取向的P(NDI2OD-T2)薄膜制备场效应晶体管,显著地提高了电子迁移率(可达4倍),并实现高达19的迁移率各向异性度.这可归因于共轭的聚合物主链骨架择优取向引起电荷传导通路的变化.