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11.
根据通电的环向场(TF)线圈在磁场作用下将产生侧向力和径向力,提出了抗扭转支撑结构方案。该方案能够降低这两种力对 TF 线圈的影响,并且保证线圈连接面的紧密接触和绝缘层不会发生相对错动。对抗扭转支撑结构进行计算分析,确定该结构的受力方式以及传力路径。结果表明,在实验运行以及极端工况下结构的应力、位移能够到达设计要求,通过疲劳计算得出抗扭转支撑结构能满足 20 年以上的实验运行,能够保证 HL-2M装置安全、平稳和可靠的运行。 相似文献
12.
分散固相萃取净化-超高效液相色谱-串联质谱法测定鸡蛋和鸡肉中金刚烷胺和金刚乙胺残留 总被引:1,自引:0,他引:1
建立了鸡蛋和鸡肉中金刚烷胺和金刚乙胺残留量的分散固相萃取-超高效液相色谱-串联质谱测定方法。鸡蛋和鸡肉样品经氨水-乙腈(2 : 98, v/v)提取后,提取液经氮气吹干至1 mL后,利用C18和NH2填料进行分散固相萃取净化,过滤膜后分析。采用ZORBAX C18色谱柱分离,用1 mmol/L乙酸铵水溶液(含0.1%(v/v)甲酸)-甲醇作为流动相进行梯度洗脱,正离子多反应监测模式。结果表明,金刚烷胺和金刚乙胺在0.15~10.0 μ g/L范围内具有较好的线性关系,鸡蛋和鸡肉中的检出限均为0.05 μ g/kg,定量限均为0.20 μ g/kg。当2种药物在鸡蛋和鸡肉中的加标水平为0.2、1.0和2.0 μ g/kg时,平均回收率范围为89%~108%,相对标准偏差范围为5.0%~8.6%。该方法能够满足鸡蛋和鸡肉中金刚烷胺和金刚乙胺残留量分析的要求。 相似文献
13.
以5-(4-羧基苯氧基)烟酸配体(H2cpna)和稀土金属离子Dy3+、Ho3+、Er3+和Tm3+为原料,采用水热法合成了4种稀土金属配合物[M(Hcpna)(cpna)(H2O)3]n,其中M=Dy(1)、Ho (2)、Er (3)、Tm (4)。单晶X射线衍射分析表明配合物1、2、3和4为同构配合物,均为一维链状结构。通过红外、元素分析以及粉末X射线衍射对所得配合物进行了表征,同时对配合物的荧光和磁学性质开展了研究。荧光测试结果表明,配合物1~4的荧光强度均低于配体H2cpna的荧光强度。在2~300 K温度范围内1 kOe直流电场下测试了配合物1~4的磁性,结果表明配合物1、2、3和4的χmT值分别为14.04、14.15、11.08和6.83 cm3·mol-1·K,与文献理论值相符合。 相似文献
14.
Investigation of Zn_(1-x)Cd_xO films bandgap and Zn_(1-x)Cd_xO/ZnO heterojunctions band offset by x-ray photoelectron spectroscopy 下载免费PDF全文
A series of Zn_(1-x)Cd_xO thin films have been fabricated on sapphire by pulsed-laser deposition(PLD), successfully. To investigate the effect of Cd concentration on structural and optical properties of Zn_(1-x)Cd_xO films, x-ray diffraction(XRD),ultraviolet-visible spectroscopy(UV-vis), and x-ray photoelectron spectroscopy(XPS) are employed to characterize the films in detail. The XRD pattern indicates that the Zn_(1-x)Cd_xO thin films have high single-orientation of the c axis. The energy bandgap values of ZnCdO thin films decrease from 3.26 eV to 2.98 eV with the increasing Cd concentration(x)according to the(αhν)~2–hν curve. Furthermore, the band offsets of Zn_(1-x)Cd_xO/ZnO heterojunctions are determinated by XPS, indicating that a type-I alignment takes place at the interface and the value of band offset could be tuned by adjusting the Cd concentration. 相似文献
15.
Zn杂质扩散诱导AlGaInP/GaInP量子阱混杂 总被引:1,自引:0,他引:1
杂质扩散诱导量子阱混杂技术可用于制作腔面非吸收窗口,提高大功率半导体激光器的输出功率.以Zn2As2为扩散源,采用闭管扩散方式,在550℃下对650 nm半导体激光器的外延片进行了一系列Zn杂质扩散诱导量子阱混杂的实验.实验发现,随着扩散时间从20~120 min,样品光致发光(PL)谱蓝移偏移增加,峰值波长蓝移53 nm;当扩散时间超过60 min后,样品的PL谱中不仅出现了常见的蓝移峰,同时还出现了红移峰,峰值波长红移32 nm.分析表明PL谱蓝移来自Zn扩散引起的AlGaInP/GaInP间的量子阱混杂;红移来自Zn杂质扩散对样品中Ga0.51In0.49P缓冲层的影响.还研究了扩散温度(550℃)和扩散时间对样品晶体品质的影响,并在理论上计算了AlGaInP/GaInP量子阱混杂巾的Al-Ga的互扩散系数. 相似文献
16.
17.
为了解决在单晶硅衬底上生长的InGaN/GaN多层量子阱发光二极管器件发光效率显著降低的问题,使用周期性δ型Si掺杂的GaN取代Si均匀掺杂的GaN作为n型层释放多层界面间的张应力。采用稳态荧光谱及时间分辨荧光谱测量,提取并分析了使用该方案前后的多层量子阱中辐射/非辐射复合速率随温度(10~300 K)的变化规律。实验结果表明引入δ-Si掺杂的n-GaN层后,非辐射复合平均激活能由(18±3)meV升高到(38±10)meV,对应非辐射复合速率随温度升高而上升的趋势变缓,室温下非辐射复合速率下降,体系中与阱宽涨落有关的浅能级复合中心浓度减小,PL峰位由531 nm左右红移至579 nm左右,样品PL效率随温度的衰减受到抑制。使用周期性δ型Si掺杂的GaN取代Si均匀掺杂的GaN作为生长在Si衬底上的InGaN/GaN多层量子阱LED器件n型层,由于应力释放,降低了多层量子阱与n-GaN界面、InGaN/GaN界面的缺陷密度,使得器件性能得到了改善。 相似文献
18.
用中和法合成了氨基酸离子液体1-乙基-3-甲基咪唑丙氨酸([C2mim][Ala]),并利用恒温环境的溶解反应热量计,在(288.15±0.01) K-(308.15±0.01) K温度范围内每隔5 K,测定不同质量摩尔浓度离子液体在水中的溶解焓(ΔsolHmθ).根据Archer的方法,通过线性拟合得到了该离子液体的标准摩尔溶解焓(Δsol),并计算了其相对表观摩尔溶解焓(ΦL).在298.15 K下,根据Glasser经验方法得到了格子能UPOT = 566 kJ·mol-1,并计算了其阴阳离子水化焓值(ΔH+ + ΔH-) = -620 kJ·mol-1及阴离子水化焓ΔH-([Ala]-) = -387 kJ·mol-1.此外,估算了[C2mim][Ala]水溶液的热容(Cp(sol))和表观摩尔热容(ΦCp). 相似文献
19.
传统的BODIPY荧光染料具有荧光量子效率高、摩尔消光系数大、紫外吸收和荧光发射峰窄等优点,然而这类荧光染料普遍存在荧光发射波长短和Stokes位移小的缺点,因而限制了它们在体内生物传感及成像方面的广泛应用。为了得到荧光发射波长较长和Stokes位移大的BODIPY荧光染料,以BODIPY母核为基本结构,通过在它的8位连接吸电子性质的酯基来增加分子内电荷转移程度,同时在其3,5位引入供电子的芳香取代基增加分子的π共轭结构,合成得到了一类8位酯基取代的新型BODIPY荧光染料。所得到的新型BODIPY荧光染料的化学结构经过1H NMR, 13C NMR和HR-MS得以确认。光谱测试结果表明,这类染料的紫外吸收光谱(λabs=536 nm)和荧光发射光谱(λem=592 nm)与普通的BODIPY相比都发生显著红移(80 nm),并且保持了较高的荧光量子效率(Ф=0.43)。此外,这类BODIPY荧光染料的紫外可见吸收光谱和荧光发射光谱几乎完全分开,Stokes位移长达60 nm,可以有效地避免自吸收和生物样品的背景干扰。密度泛函理论计算结果表明,这种相对较大的Stokes位移主要是由于染料分子在基态和激发态下不同的几何构型所造成的。该类化合物的光物理性能受溶剂的影响小,是一类性能优良的新型荧光染料。细胞成像结果表明,染料1具有良好的细胞渗透性和光稳定性,可以实现对细胞的荧光成像。 相似文献
20.