基于蒙特卡洛方法的钛氧化物忆阻器辐射损伤研究

纳米钛氧化物忆阻器有望成为新一代阻性存储器基本单元并应用于辐射环境中的航天器控制及数据存储系统. 辐射能量, 强度, 方向, 持续时间等要素发生改变均可能对钛氧化物忆阻器受到的辐射损伤构成影响, 然而, 目前尚无相关具体研究. 基于以蒙特卡洛方法为核心的SRIM仿真, 本文针对宇宙射线主体组成部分——质子及 α射线定量研究了各个辐射要素与钛氧化物忆阻器辐射损伤的关联, 依据器件实测数据研究了辐射要素与导通阻抗, 截止阻抗及氧空缺迁移率等忆阻器主要参数的关系, 进一步利用SPICE仿真讨论了辐射对杂质漂移与隧道势垒共存特性的影响, 从而为评估及降低钛氧化物忆阻器辐射损伤, 提高器件应用于辐射环境的可靠性提供依据.     

关于Wrpp半群上的Lawson偏序(英文)

In this paper,we introduce Lawson partial order ≤ w on wrpp semigroups.After obtaining some properties of ≤ w,we determine when ≤ w is(left;right) compatible with the multiplication.These results extend and enrich the related results of Lawson and GuoLuo on abundant semigroups,of Guo-Shum on rpp semigroups and of Liu-Guo on wrpp semigroups.     

一种玻璃微流控芯片的实用制作工艺研究

本文提出了一种在商品化的SG4009玻璃上制作50×50 mm微流控芯片的方法。SG4009玻璃表面有厚度570 nm的光刻胶S-1085和厚度145 nm的Cr层组成的掩蔽层,省去制作掩蔽层的时间和设备,降低了生产成本,缩短了生产周期。对芯片制作过程中的一些问题进行分析研究,提出相应的解决方案,保证了芯片的制作质量。     

空化单气泡外围压强分布

关键词：     

水蒸气对声致发光单气泡稳定性的影响

在考虑水蒸气凝结与水的蒸发过程的基础上，推导了球形气泡形状稳定性方程-利用这个方程以及气泡运动时的气体扩散平衡条件，分别研究了环境水温217℃时声驱动频率为206kHz（溶于水中的氩气含量是其饱和度的14％）、环境水温0℃时声驱动频率为319kHz（溶于水中的氮气分压为20kPa，其中含1％氩气），以及环境水温20℃时声驱动频率为338kHz（溶于水中的氮气分压为20kPa，其中含1％氩气）可控制条件下气泡稳定性问题-理论计算结果与前人的实验数据比较，发现考虑水蒸气以后比忽略水蒸气对单气泡稳定区域 关键词： 声致发光 水蒸气 形状不稳定性 扩散平衡     

左富足半群上的同余（英文）

本文研究了一类特殊的左富足半群,即左GC-lpp-半群上的R^*-同余.我们利用类似正则半群上同余的核迹方法分别刻画了这类半群上具有相同核和迹的最大和最小同余.同时,我们也得到了左GC-lpp-半群上的幂等元R*-同余的一些性质,并建立了这种同余的结构.     

Silicon Light Emitting Devices in CMOS Technology

Two silicon light emitting devices with different structures are realized in standard 0.35pro complementary metal-oxide-semiconductor （CMOS） technology. They operate in reverse breakdown mode and can be turned on at 8.3 V. Output optical powers of 13.6nW and 12.1 n W are measured at 10 V and l OOmA, respectively~ and both the calculated light emission intensities are more than 1 mW/cm^2. The optical spectra of the two devices are between 600-790 nm with a clear peak near 760 nm.     

高压下BeP2N4结构相变和电子结构的第一性原理计算

 基于密度泛函理论的第一性原理方法,计算了硅铍石型和尖晶石型结构BeP₂N₄的总能量随体积的变化关系。利用Brich-Murnaghan状态方程,通过能量和体积拟合,得到了2种结构的体变模量及其对压强的一阶导数。在压力作用下,BeP₂N₄的相变是从硅铍石型结构（空间群R-3,No.148）转变到尖晶石型结构（空间群Fd-3m,No.227）,计算出的相变点与其它理论值符合得非常好。同时计算了BeP₂N₄的相对晶格常数a/a₀和相对体积V/V₀的压缩率,在低压下发现,尖晶石结构BeP₂N₄的压缩率接近金刚石,进一步计算了不同压力下的体弹模量B_H、剪切模量G_H、B_H/G_H和杨氏模量E。此外,对两种结构的BeP₂N₄的电子态密度和带隙随压强的变化关系进行了计算和分析。结果表明：在压力作用下,上价带顶向费米能级移动,并有一定的展宽。Be—N、P—N键缩短,电子转移增加,导致电荷发生重新分布。     

反转法消除硅片重力附加变形适用性研究

建立了计算硅片重力附加变形的有限元模型,模型包含硅片残余应力的影响.通过有限元与实验方法研究了反转法对抛光与磨削加工硅片适用性.结果表明,反转法适用于抛光硅片,有限元与反转法所得重力附加变形差值小于1 μm;对#5000砂轮磨削的300 mm直径394 μm厚度硅片,硅片残余应力使反转前后重力附加变形不再相同,误差超过最大重力附加变形值的5;;对#2000砂轮磨削的200 mm直径194 μm厚度硅片,残余应力超过临界值,硅片变形发生分岔,硅片自由面形与重力附加变形不再符合叠加关系,反转法不再适用.