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Er2O3纳米晶光伏特性及谱带解析 总被引:1,自引:0,他引:1
纳米做教是介于体相材料和分子或原子之间的新型材料,表现出许多超常的电、热、光、磁及催化的特性,因此引起人们高度的重视[1,2].目前对其光学、磁学、力学和比热等研究已有大量的报导[3].但是,对于稀土氧化物纳米材料的合成及性质的研究,尤其对它们的电学性质、电子输运方式和光电行为报导较少.本文利用表面光电压谱(SPS)技术对不同粒径的Er2O3纳米晶进行了表面光伏特性的研究,并结合漫反射吸收光谱对其谱带进行了解析,发现,除f→f跃迁外,在300~550nm区间有一定吸收边带,此带可归属于O2p→Er4f电荷转移跃迁.随着样品… 相似文献
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采用表面光电压谱法对乙酰丙酮-5,10,15,20-四-对氯苯基卟啉稀土配合物Ln(p-Cl)TPPacac和卟啉配体进行了研究,并对谱带的归属和光电压产生的机制进行了探讨。发现配合物的光伏响应明显小于配体的光伏响应,且随中心离子的不同,其响应也不同。 相似文献
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在 p H2 .0的 K2 SO4 介质中 ,有机锗 (Ge- 132 )在单扫描示波极谱仪上于 - 0 .13V(vs.Ag Cl/ Ag)和- 1.0 5 V(vs.Ag Cl/ Ag)处产生两个还原波 ,其中 - 1.0 5 V(vs.Ag Cl/ Ag)波灵敏、波形好。峰电流与 Ge-132在 1.0× 10 - 5— 5 .0× 10 - 4mol/ L范围内呈良好的线性关系 ,其检出限为 8.9× 10 - 5mol/ L。该方法用于有机锗营养口服液中 Ge- 132的测定 ,结果较好 相似文献
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In this letter, we investigate the structural, optical, and electrical properties of Al-doped ZnO (AZO) thin film coating prepared by direct current (DC) facing-target sputtering method at room temperature, of which the average optical transmittance is 81% between 400 and 700 nm while the sheet resistance is about 10 Ω/□. Then, based on this AZO coating, in order to enhance the transmittance, interfacial adhesion strength and weathering resistance, two kinds of antireflective coatings are designed for different application purposes. For the two kinds, the highest transmittances in the visible region (400 700 nm) can reach 86.9% and 81.8%. resoectivelv. The design is performed using Macleod Optical Design software. 相似文献
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拖尾(smear)现象是面阵CCD器件的固有问题。在推扫式成像光谱仪中,拖尾对成像的作用形式较为特殊,传统的扣除方案已不再适用,急需新的适合这一应用场合的方法。通过建立光谱仪中拖尾现象的数学模型,分析并仿真了常规拖尾扣除方法的失真问题,提出了适合推扫式光谱仪器的新方法。新方法使用已知图像信息估计景物的光谱分布,以此计算光学暗行通道所代表的拖尾信号在每个应用通道中的贡献,进而实现拖尾现象的扣除。遥感图像处理结果的较为理想的LSF表明,新方法效果良好,适用于推扫式成像光谱仪中CCD拖尾现象的扣除。 相似文献
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本文所研究的是根据过氧化氢氧化对苯二酚铜可起催化作用,利用对苯二酚被紫外线照射可发射荧光,而反应产物对苯醌则不发荧光的特点,通过测量对苯二酚的荧光熄灭,间接地测定天然水中痕量铜的荧光熄灭法。 相似文献
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表面光电压技术发展于六十年代初期,Goodman[‘]曾用来测量半导体中少数载流子的扩散长度.在少数载流于扩散长度的计算公式中,无光照射时的表面带弯K。是极重要的参数,改变K。以检验公式的物理意义尤为重要.但早期的研究工作不能显著地改变Vso值.近年来虽出现了一些调制表面带弯的物理手段,如在涮量电极和样品间加一层铁电晶体【到或花样品两侧施加电场等【司,但其效果均不十分理想.表面光电压技术与化学的联系日益密切,王德军等P问到曾尝试将其应用到化学领域中以研究界面电行转移与固体表面酸度.本文则考虑应用化学方法来… 相似文献