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1.
2.
Eu3+掺杂的Sr2CeO4荧光材料的燃烧法合成及其性能研究 总被引:8,自引:0,他引:8
以尿素作燃料,Sr,Ce和Eu的硝酸盐作反应物,采用燃烧法得到了稀土Eu3 掺杂的Sr2CeO4前驱体粉末.将前驱体在一定温度下烧结3 h,合成了红色荧光材料.经过对材料进行X射线衍射(XRD)分析,确定了烧结温度在1050~1200℃时,能够得到纯度较高的产品.用扫描电镜(SEM)观察到样品烧结后的形貌为不规则的椭圆形,粒径范围在1~3 μm之间.样品的发射光谱和激发光谱表明,Eu3 在Sr2CeO4基质中有很高的猝灭浓度(10%,摩尔分数),随着Eu3 掺杂浓度的增加,可以使蓝白光调整到红白光,进而到红光. 相似文献
3.
4.
研究了纳米银对稀土铕-吡啶-2,6-二羧酸配合物(Eu(Ⅲ)C7H5NO4,Eu(Ⅲ)DPA)的荧光性质的影响。随着纳米银浓度增加,荧光强度先增强而后逐渐下降。较大粒径的纳米银使Eu(Ⅲ)DPA荧光增强效率较大,且达到最大荧光增强效率所需的纳米银浓度较低。在高浓度Eu(Ⅲ)DPA溶液体系中,纳米银导致荧光猝灭。电偶极子跃迁发射荧光增强效率大于磁偶极子跃迁发射荧光增强效率。分析认为,纳米银对Eu(Ⅲ)DPA荧光性质的影响与表面等离子体共振与激发态荧光中心强烈耦合以及表面等离子体再吸收有关。同时,纳米银对铕配合物的不对称率有影响,其影响因素与局域电磁场增强,折射率以及配位场有关。 相似文献
5.
6.
焦散线法及其与应力“解冻”相结合的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
详细地阐述了焦散线法原理,对焦散线的形成作了说明,简述了焦散线法在平面问题中的应用,结合笔者研究工作介绍了将焦散线法拓广应用于三维问题的关键技术和实例。 相似文献
7.
8.
稀土离子掺杂Ⅲ-Ⅴ族半导体的发光是近年来开展起来的新的研究领域.在GaAs,InP和GaP等材料中,用离子注入、LPE、MBE、MOCVD以及单晶生长等方法掺杂Er、Yb和Nd等稀土离子,得到了尖锐稀土离子的特征发光.这些发光来自占据正常立方格点和非立方格点的稀土离子的内部4f能级跃迁,其发光行为与掺杂条件关系很大.这种稀土一半导体材料已开始用来制备具有稳定发射波长的发光和激光器件. 相似文献
9.
10.
制备了由单分散聚苯乙烯微球构成的结晶化胶体阵列结构, 并制备了结晶化胶体阵列聚丙烯酰胺水凝胶薄膜. 通过微区反射光谱研究了其光子带隙位置随外加压力的变化规律. 实验结果表明, 该薄膜在垂直表面方向存在光子带隙, 并在一定载荷范围内带隙波长随外加压力呈可逆线性变化. 相似文献