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101.
针对磷化铟(InP)复合沟道高电子迁移率晶体管(HEMT)的特点,对常规单沟道HEMT的小信号物理模型进行了修正,提出了一种新的用于复合沟道HEMT的小信号物理模型,用商用器件模拟软件ISE(integrated systems engineering)对其进行了仿真验证,对比了实测和仿真的I-V特性及转移特性曲线,重点研究了在InGaAs/InP双层沟道中考虑量子效应后的电场和电流密度随着不同栅电压的变化趋势,研究结果表明,由于在沟道中存在量子效应,在栅下靠源端低电场区域,电流主要分布在InGaAs沟道 关键词: 高电子迁移率晶体管 复合沟道 物理模型 磷化铟  相似文献   
102.
为了进一步研究纳米导线阵列的排列形状以及阵列数目对其场发射行为的影响,利用镜像悬浮球模型对正方形以及六边形排列的纳米导线阵列的场发射行为进行计算与模拟,近似的得到纳米导线阵列的场发射增强因子满足如下的变化趋势:β=h/ρ(1/1+W)+1/2(1/1+W)2+3,其中h为纳米导线的高度,ρ为纳米导线的半径,W是以R为自变量的函数,R为纳米导线阵列的间距.结果显示纳米导线阵列的排列形状对其场发射性能的影响较小,而阵列间距则是影响场发射性能的关键因素:当R<R0时,场发射增强因子随着阵列间距的减小而急剧减小;当R>R0时,场发射增强因子基本不变,其中R0为导线阵列场发射的最佳间距.进一步研究表明改变纳米导线阵列的数目基本不会改变阵列的场发射性能随间距的变化趋势,但是随着阵列数目的增加,R0会有一定程度的减小,场发射增强因子也会降低. 关键词: 纳米导线 场发射 增强因子 阵列数目  相似文献   
103.
塑料闪烁体的辐照特性   总被引:2,自引:0,他引:2  
利用60Co放射源分别对3种塑料闪烁体(BC-408, EJ-200, BC-404)进行辐照损伤研究, 比较辐照前后的透射谱、发射谱及光产额的变化, 发现3种闪烁体在低剂量具有较好的抗辐照性能; 当照射剂量超过1.44×104Gy时,透射谱明显变坏, 光输出减少很严重, 但发射谱却保持不变.  相似文献   
104.
采用蒙特卡罗方法,对EACVD中氢原子的发射过程进行了模拟。给出了由氢原子谱线测定电子平均能量的方法,结果对EACVD生长金刚石薄膜过程中实时监测电子平均能量,进而可以有效地控制工艺条件,生长出高质量的金刚石薄膜具有重要意义。  相似文献   
105.
北京大学DC-SC光阴极注入器的升级设计   总被引:1,自引:1,他引:0       下载免费PDF全文
 基于直流电子枪-超导加速腔(DC-SC)光阴极注入器样机的初步实验结果,北京大学提出了新的注入器的改进设计。新注入器核心结构包括皮尔斯枪和3+1/2超导腔。文章给出了它们的详细结构参数,然后采用程序,对注入器的束流动力学进行了模拟。结果发现:新注入器可以提供具有高束流品质、高平均流强的电子束,束团的电荷量100 pC,横向发射度低于2 mm·mrad,脉宽5 ps,rms束斑可达0.5 mm,重复频率81.25 MHz;也可以提供电荷量为300 pC低重复频率的高峰值流强的电子束,其横向发射度小于3 mm·mrad,脉宽约为9 ps,以满足北京大学自由电子激光(PKU-FEL)实验平台的要求。  相似文献   
106.
掺杂对碳纳米管拉曼光谱及场发射性能的影响   总被引:3,自引:0,他引:3  
采用高温热解法在860℃分别制备出了镓、氮以及硼和氮掺杂的碳纳米管,提纯后利用丝网印刷工艺分别将它们制备成薄膜,并测试了它们的拉曼光谱与场发射性能。测试结果表明,掺杂纳米管的缺陷密集度比纯碳纳米管明显增大,而它们的场致电子发射性能则与掺杂元素的性质密切相关。镓和氮掺杂的纳米管均具有非常优异的场发射性能,而硼和氮共掺杂的纳米管的场发射性能很差。掺杂引起碳纳米管费米能级附近能态密度的变化及功函数的降低是其具有优异场致电子发射性能的主要原因。  相似文献   
107.
纳米晶ZrO2:Er3+-Yb3+的制备及其室温上转换发射   总被引:5,自引:0,他引:5       下载免费PDF全文
俞莹  吕树臣  周百斌  辛显双 《物理学报》2006,55(8):4332-4336
用化学共沉淀法制备了ZrO2:Er3+-Yb3+纳米晶粉体,所制备的纳米晶粉体具有较强的室温上转换发射和红外发射.研究了样品的晶体结构和上转换发光性质随着Yb3+掺杂浓度和煅烧温度的变化关系.通过X射线衍射谱分析发现,经800℃煅烧2h后得到的ZrO2:Er3+-Yb3+纳米晶是四方相和单斜相的混合结构,经950℃煅烧2h后得到的样品以单斜相为主,随着Y  相似文献   
108.
109.
赵志国  吕百达 《物理学报》2006,55(4):1798-1802
对用拉盖尔-高斯(LG)光束加速电子作了研究.结果表明,仅模指数为p和l=1的LG光束的纵向电场可用于加速电子.模指数为p和l=1的线偏振和圆偏振LG光束都对电子有加速效果.对轴上光场的相速度和群速度以及电子能量增益等物理特征作了讨论.给出了轴上光场的相速度和群速度、加速电位及电子能量增益等的解析表达式,并作了数值计算和分析. 关键词: 激光电子加速 拉盖尔-高斯光束 线偏振和圆偏振 能量增益  相似文献   
110.
掺杂Er^3+的TiO2的发射光谱研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
用无水乙醇、冰醋酸、钛酸丁酯凝胶法制备了掺杂Er^3+的TiO2粉末,测量了其在488m激发下的Stokes发射光谱和980nm激发下的上转换发光光谱。在可见光范围内,观察到了绿光和红光,绿光从500-570nm,对应Er^3+的^2H11/2,^4S3/2→^4I15/2,红光从650~690m,对应Er^3+的^4F9/2→^4I15/2的跃迁。由ln Ivis-In Iin曲线可知,绿光和红光均为双光子过程,光强正比于泵浦功率的二次方,即Iout ∝Iin。初步研究了此材料的上转换过程。  相似文献   
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