几率量子隐形传态的离子阱方案

本文提出了一个在分别囚禁于不同离子阱中的两个离子间实现几率量子隐形传态的简单方案,Alice对离子1和离子2的内态进行联合测量并通过经典通道告诉Bob测量结果,Bob利用一束经典驻波场激光与离子3相互作用并控制相互作用的时间就能够在离子3上最佳几率地重现离子1的初始内态.     

强流脉冲离子束辐照靶及其喷发的数值研究

利用拟合实测的TEMP Ⅱ型加速器磁绝缘二极管(MID)电压波形及其焦点附近束流密度曲线，建立了Gaussian分布模型，据此计算了与靶作用的离子的能量及数量，采用Monte Carlo(MC)方法计算了沉积在靶内的能量.并以此作为热源，与流体动力学(HD)模型相结合，对不同的靶状态采用相应的状态方程，模拟计算了靶内压力演化情况; 同时对烧蚀产生的等离子体采用理想气体状态方程, 结合HD方程组, 模拟计算了喷发过程中压力的空间演化过程. 关键词： 强流脉冲离子束 Gaussian模型 HD方程 数值研究     

离子阱中热库诱导退相干的控制

对单个囚禁离子在热库作用下的退相干的控制问题进行了研究.本文提出的控制方法是基于消除自由哈密顿技术和脉冲重聚技术的结合.前者是利用一个经典大失谐激光场作用于囚禁离子来实现的,而后者是利用一系列的激光π脉冲来实现的.解析与数值表明,应用这种控制方法可以有效消除量子退相干且比纯粹应用脉冲重聚技术要好.     

考虑到束-波相互作用的速调管离子噪声二维模拟

采用粒子模拟的方法并考虑电子束与电磁波的相互作用，首次直接得到了速调管输出信号的离子噪声图像，阐述了束电子、二次电子、离子、电磁场之间的相互作用的动力学过程. 指出离子噪声所表现出来的相位波动是由电子束速度的波动引起的，电子束速度的变化来源于管内离子数量的变化，离子的数量的变化又与电子束状态变化相互影响，这是离子噪声产生的根本原因. 二次电子对离子噪声产生过程的影响甚微，但是其行为却反映了离子噪声的形成机理. 离子噪声引发的输出信号幅度波动取决于电子束速度和半径的改变，与离子行为密切相关. 关键词： 离子噪声 速调管 粒子模拟 电子束     

Efficient microwave induced direct α-halogenation of carbonyl compounds

A novel and direct method for the synthesis of α-halocarbonyl compounds using sequential treatment of carbonyl compounds with [hydroxy(tosyloxy)iodo]benzene followed by magnesium halides under solvent-free microwave irradiation conditions is described.     

Sorption Behaviour of Molybdenum on Different Antimonates Ion Exchangers

Various antimonate compounds are well known as important inorganic ion exchangers, since they resist radiation and chemical degradation and also exhibit selectivities towards different cations. Ceric, silicon, titanium and ferric antimonates were prepared as inorganic ion exchangers. Characterization of these materials has been described using different techniques, including thermal analysis, surface area measurements, X-ray diffraction and IR-spectroscopy. In batch distribution experiments the influence of HNO₃ molarity and Mo concentration for Mo sorption on different matrices is described in terms of their retention capacities and distribution coefficients.The selectivities of these exchangers towards molybdenum are in the order: CeSb > SiSb > FeSb > TiSb.     

Highlights and Prospects of Hyperspherical Approach in Few-Body Quantum-Mechanical Systems

The binding energy of excitonium negative ion for ground ¹S-state in bulk conductors: Ge, Si, CdSe and for green and yellow lines of Cu₂O in hyperspherical coordinate method are found. Angular and radial correlations between electrons are taken into account by the channel functions, which are the eigen-functions of operator on the surface of sphere in six-dimensional sphere. The calculation of energies have been done using the adiabatic and Born-Oppenheimer approximations. In Born-Oppenheimer approximation is enough to give a binding energy with only 1.2% error, in adiabatic approximation this error drops to 0.7 %.     

类铍离子低激发态等电子系列的能量、精细结构和超精细结构

采用多组态相互作用方法及Rayleigh-Ritz 变分方法，并考虑相对论修正和质量极化效应，获得了类铍离子等电子系列（Z=4-10）低激发态1s²2p2p ¹D^e和1s²2p3p ³P^e的相对论能量。同时还计算了精细结构和超精细结构。计算结果与其他理论和实验符合的很好。     

非晶金刚石膜的性能及其应用

非品金刚石薄膜具有超高硬度等一系列优异的特殊性能，为工程界孜孜追求的材料表面镀膜。用百纳科技公司研发制造的过滤阴极真空电弧离子镀膜机镀制的非晶金刚石薄膜，SP^3金刚石结构量≥80％，硬度高，膜／基结合力高，摩擦系数小，耐磨损，耐腐蚀，透光率高，在电子，机械，光学，生物医学上有广泛应用前景。我们已在视窗玻璃，丝锥，模具，硬质合金刀头等产品上成功应用。     

HI—V族化合物半导体的高能重离子辐照缺陷研究·

用正电子湮没寿命谱技术研究了2.4×1O15/cm2、2.2×1016/cm2注量的85MeV19F离子辐照N型GaP和1.6×1016/cm 2注量的85MeV19F离子辐照P型InP所产生的辐照缺陷.结果表明:两种注量辐照在GaP中均产生较高浓度的单空位.其浓度随着辐照注量的增大而增加;辐照也在InP中产生较高浓度的单空位.