首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   839篇
  免费   426篇
  国内免费   77篇
化学   341篇
晶体学   5篇
力学   33篇
综合类   23篇
数学   36篇
物理学   904篇
  2024年   1篇
  2023年   5篇
  2022年   21篇
  2021年   22篇
  2020年   47篇
  2019年   34篇
  2018年   22篇
  2017年   32篇
  2016年   41篇
  2015年   27篇
  2014年   88篇
  2013年   76篇
  2012年   99篇
  2011年   76篇
  2010年   92篇
  2009年   66篇
  2008年   74篇
  2007年   65篇
  2006年   73篇
  2005年   55篇
  2004年   66篇
  2003年   61篇
  2002年   28篇
  2001年   33篇
  2000年   24篇
  1999年   23篇
  1998年   13篇
  1997年   15篇
  1996年   10篇
  1995年   8篇
  1994年   12篇
  1993年   9篇
  1992年   8篇
  1991年   4篇
  1990年   8篇
  1989年   2篇
  1987年   1篇
  1957年   1篇
排序方式: 共有1342条查询结果,搜索用时 171 毫秒
81.
We theoretically examine the storage and retrieval of a light pulse in a medium comprised of four-level atoms of the V − Λ-type. The two intermediate levels are probed by a weak field and vacuum-induced coherence effects lead the system to transparency. The temporal variation of the intermediate levels' splitting is used as an external parameter which allows the transfer of the impinging field to a combination of spin coherences. An auxiliary and far-detuned control field in a standing-wave configuration is used to induce a variable photonic bandgap by cross-phase modulation. It is shown that dynamic control of such a bandgap can be used to coherently manipulate the previously stored probe pulse. We use a general scheme to take into account multiwave mixing effects and solve the combined Maxwell-Bloch equations for the relevant coherences. It is shown that the system acts as an all-optical router.  相似文献   
82.
 为解决光导开关耐受场强的提高问题,研制了2种体结构光导开关,并进行了实验研究。两种开关均由半绝缘GaAs材料制成,一种尺寸为10.0 mm×10.0 mm×0.6 mm,电极位于10.0 mm×10.0 mm面上相对位置,电极直径6 mm;另一种尺寸为15.0 mm×15.0 mm×3.0 mm,8 mm直径电极位于15.0 mm×15.0 mm面上相对位置。测试了第1种开关在不同半高宽脉冲加载电压下的击穿电压,结果表明其最大耐受电压达7.6 kV,击穿电场127 kV/cm。对第2种结构测试了开关在直流加载条件下的暗态伏安特性并进行了触发实验,结果表明在15 kV工作电压下,其放电最大电流超过3.5 kA。  相似文献   
83.
Blumlein双极脉冲形成线   总被引:2,自引:2,他引:0       下载免费PDF全文
 为了提高超宽带系统的辐射因子,对超宽带脉冲整形技术进行了深入研究,介绍了采用Blumlein线产生双极脉冲的高功率双极脉冲产生技术。对采用Blumlein线产生双极脉冲的原理进行了讨论,通过数值模拟分析了影响双极脉冲形成的主要因素。设计了一套Blumlein高功率双极脉冲形成线,在800 kV脉冲源上开展了高压实验研究,分析了开关及形成线长度对形双极脉冲的影响。在输入单极脉冲电压为652.0 kV、脉宽为2.1 ns的情况下,Blumlein双极脉冲形成线可以产生负峰电压为571.9 kV、正峰电压为550.4 kV、半周期为740 ps的双极脉冲,峰-峰值电压是入射脉冲峰值电压的1.72倍,辐射因子为4.54 MV。  相似文献   
84.
 根据Trigatron的触发要求设计了脉冲变压器型驱动源、三电极气体开关。在多种驱动模式下对三电极开关的自陡化参数进行统计分析,选择最优的自陡化工作模式。通过研究自陡化工作模式,优化了三电极开关工作极性、工作电场、紫外辐照强度和辐照时间。试验结果表明:增加陡化环节后,Trigatron的击穿概率有了明显提高,击穿时刻延迟和抖动明显降低,扩大了Trigatron稳定工作的欠压比范围。  相似文献   
85.
针对12支路并联的快前沿直线脉冲变压器单级模块,给出了模块的电路结构和关键器件参数,实验获得了12只多间隙气体开关的自击穿特性和触发特性。同时,还给出了快前沿直线脉冲变压器模块输出电流的初步实验结果,工作电压150 kV时,次级短路放电电流幅值为235 kA,电流前沿88.2 ns(10%~90%)。次级带0.58 负载情况下,输出电流幅值114.5 kA,电流前沿88.9 ns(10%~90%)。利用微分环测量了12只开关的触发时延分散性,结果表明100次实验开关触发时延分散性近似符合正态分布,开关触发时延分散性对输出电流的影响不大,电流幅值和前沿的标准偏差分别小于2.0%,4.0%,电流波形的畸变主要以平顶为主。  相似文献   
86.
高功率窄脉宽半导体激光激励器设计   总被引:2,自引:0,他引:2  
为了获得高功率窄脉宽半导体激光,设计了半导体激光器相应的激励单元,论述MOSFET作为高速开关的工作机理,分析基于MOSFET作为高速开关产生窄的大电流脉冲的电路模型.为了使MOSFET开关速度尽可能快,根据前述分析,提出推挽式MOSFET栅极驱动方式并设计了触发窄脉冲的发生电路.当激光二极管接入放电回路时,实验表明:激光二极管输出光的峰值功率可达67.5 W,脉宽约为20 ns.最后,简要分析了影响光脉冲宽度的因素.  相似文献   
87.
赵鹏芳  张志杰  王代华 《应用光学》2011,32(6):1126-1129
 针对在高温环境中测试仪器的供电方式问题,利用光敏二极管响应时间短并对光灵敏的优点,将其作为供电电源的开关,吸收高温辐射源发出的红外光信号,通过光电转换,使电源导通,达到开关的效果。文中阐述了这种光控的供电方式的理论依据和实现方式,排除了日光等因素的干扰,并对该方法进行了验证。通过试验证明,该方法操作简单,实用性强,很适用于一些不适合人为操作的场合。  相似文献   
88.
An armchair graphene nanoribbon switch has been designed based on the principle of the Klein paradox. The resulting switch displays an excellent on-off ratio performance. An anomalous tunneling phenomenon, in which electrons do not pass through the graphene nanoribbon junction even when the conventional resonance condition is satisfied, is observed in our numerical simulations. A selective tunneling rule is proposed to explain this interesting transport behavior based on our analytical results. Based on this selective rule, our switch design can also achieve the confinement of an electron to form a quantum qubit.   相似文献   
89.
The proposed all-optical 2-D switching networks are (i) M×N-gon prism switches (M2, N3) and (ii) 3-D grids of any geometry N3. For the routing we assume (1) the projection of the spatial architectures onto plane graphs (2) the embedding of the latter guest graphs into (in)complete host hypercubes (N=4) and generally, into N-cube networks (N3) and (3) routing by means of the cube algorithms of the host. By the embedding mainly faulty cubes (synonyms: injured cubes, incomplete cubes) arise which complicate the routing and analysis. The application of N-cube networks (i) extend the hypercube principles to any N3 (ii) increase the number of plane host graphs and (iii) reduce the incompleteness of the host cubes. Several different embeddings of the intersection graphs (IGs) of 2-D switching networks and several different routings are explained for N=4 and 6 by various examples. By the expansion of the grids (enlargement) internal waveguides (WGs) and internal switches are introduced which interact with the switches of the original 3-D grid without increasing the number of stages (NS). The embeddings by expansion apply to interconnection networks whereas dilation-2 embeddings (dilation ≡ distance of the nearest-neighbour nodes of the guest graph at the host) are rather suitable for the emulation of algorithms. Concepts for fault-tolerant routing and algorithm mapping are briefly explained.  相似文献   
90.
等离子体断路开关的一维磁流体力学数值模拟   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
 采用磁流体力学的方法对等离子体端路开关进行了一维数值模拟,通过对给定的进入等离子体的电流波形模型的计算,给出了轴向上等离子体的运动及其不同时刻的密度分布,分析了磁场在等离子体内部的异常渗透过程,指出考虑Hall效应是产生这一异常现象的最为主要的因素。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号