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设计、合成了含核酸碱基的双亲化合物N6-十四酰基-9-辛基腺嘌呤三甲基溴化铵;用目标化合物和卵磷脂制备混合脂质体受体。分别研究了受体与巴比妥酸、核黄素药物在混合脂质体亲脂区通过互补氢键进行的分子识别。紫外可见光谱研究表明,底物巴比妥酸在258nm的吸收峰,核黄素在222nm,264nm的吸收峰随时间的延长而逐渐降低,这种减色作用归因于脂质体内的巴比妥酸和核黄素在亲脂区分别与双亲化合物上的腺嘌呤形成了氢键。 相似文献
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聚芳香杂环甲烯的三阶非线性光学效应与时间分辨光克尔效应 总被引:6,自引:4,他引:2
合成了一系列聚芳香杂环甲烯,包括聚吡咯甲烯和聚噻吩甲烯.采用四波混频法研究材料的共振三阶非线性光学效应(λ=532nm),其共振二阶超分子极化率γ三阶非线性光学系数分别达到10-30esu和10-8esu.选择具有良好溶解性、成膜性的聚吡咯对二甲氨基苯甲烯(PPDMAB),采用飞秒时间分辨光克尔效应方法研究材料的非共振三阶非线性光学效应(λ=790nm).实验表明,翠绿亚胺碱溶液的光克尔信号仅表现一超快响应的成分,归功于π电子云扭转产生的非共振激发.PPDMAB的非共振二阶超分子极化率γ三阶非线性光学系数分别达到γ=5.78×10-32esu和χ(3)=1.26×10-10esu. 相似文献
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就如何在4英寸热氧化硅衬底上沉积高质量的磁性隧道结纳米多层薄膜材料和如何利用光刻方法微加工制备均匀性较好的磁性隧道结方面做了初步研究,并对磁性隧 道结的磁电性质及其工作特性进行了初步测量和讨论.利用现有的光刻设备和工艺条 件在4英寸热氧化硅衬底上直接制备出的磁性隧道结,其结电阻与面积的积 矢的绝对误差在10% 以内,隧穿磁电阻的绝对误差在7% 以内,样品的磁性隧道结性质具有较好的均匀性和一致性,可以满足研制磁随机存储器存储单元演示器件的基本要求.
关键词:
磁性隧道结
隧穿磁电阻
磁随机存储器
4英寸热氧化硅衬底 相似文献
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Nd:GdVO4单晶的生长、位错和形貌 总被引:4,自引:1,他引:3
用提拉法生长出掺钕钒酸钆(Nd:GdVO4)单晶,并且采用化学浸蚀法在偏光显微镜下观察了位错蚀坑,测定了(100)面晶体位错密度为600个/mm^2。观察了不同提拉方向的晶体生长形貌,可采用简单光学方法确定晶体方向。 相似文献
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90.
Generation of Ultrashort Light Bullets in Dispersive Kerr Media Using the Fourth—Order Dispersion—Dependent Spatiotemporal Instability 下载免费PDF全文
A new method for generation of a train of ultrashort pulses or a sequence of ultrashort light bullets is proposed. This method is based on the fourth-order dispersion-dependent spatiotemporal instability in dispersive Kerr media. The repetition-rate of the generated bullets can be made quite large by increasing the corresponding spatial modulation frequency locating in the new instability region resulted from fourth-order dispersion. 相似文献