高聚物固体电解质聚氧化乙烯－溴化铜复阻抗谱及介电常数的静水压效应

采用分子量５００万的聚氧化乙烯和无水溴化铜，通过混溶蒸发法制备成高聚物固体电解质Ｐ（ＥＯ）ｎ－ＣｕＢｒ２薄膜，并在０．１～３００ＭＰａ范围不同的流体静水压下详细测量其复平面阻抗谱，分别得到在不同压力下离子电导率和介电常数与测量频率的关系．进一步解谱准确地求出Ｐ（ＥＯ）ｎ－ＣｕＢｒ２（ｎ＝１２、１６）薄膜离子电导率和介电常数的静水压效应，并结合Ｘ－光物相分析，根据离子迁移通道的物理图象和高聚物的极化机构进行了初步的讨论．添加２０％的增塑剂碳酸丙烯酯，较大改进了压力下的导电性．１２０～３００ＭＰａ的离子电导率提高一个数量级     

新型聚芳醚酮与热致性液晶高聚物共混物流变性能和力学性能的研究

本文研究了新型聚芳醚酮与热致性液晶高聚物(PEK-C/LCP)共混物的流变性能及力学性能。结果表明:由于LCP的加入,PEK-C的熔体粘度降低;随着剪切速率的增加,共混物熔体流动活化能从223.5KJ/mol降为102.2KJ/mol。共混物的玻璃化转变温度从纯PEK-C的218℃降为199℃;除模量增加外,其它力学性能均有所下降。同时利用SEM观察了共混物冲击断面形貌,未发现有LCP微纤维生成。     

单硼五元杂环配体(C~4BH~5)过渡金属夹心高聚物的理论研究

用一维自洽场晶体轨道法探讨了过渡金属夹心高聚物[(C~4BH~5)M]~n(M=Cr,Mn,Fe,Co,Ni)的一维链结构和电子结构.计算表明,堆积单元(C~4BH~5)M中价电子数为奇数的高聚物结构会发生Peierls畸变,而价电子数为偶数的将取规则结构,由能带结构得到, [(C~4BH~5)Mn]~n的前线能带出现交叉,可能会发生进一步的结构畸变,但也有可能保持非满状态,成为异体.[(C~4BH~5)Ni]~n可能是不稳定的.其余三个高聚物为半导体或绝缘体,这系列高聚物电荷载流子通路主要依赖于金属d轨道重叠.     

水溶性高聚物萃取分离光度法测定Ca2+的研究

利用在无机盐存在下,水溶性高聚物可分为两相的特点,研究了在聚乙二醇-邻苯二酚紫-邻二氮菲-硫酸铵体系中,Ca2+、Al3+、Co2+、Cu2+、Fe3+、Ni2+、Pb2+、Zn2+混合溶液中Ca2+的分离及测定条件,实现了Ca2+与Al3+、Co2+、Cu2+、Fe3+、Ni2+、Pb2+、Zn2+的定量分离和测定.Ca2+质量浓度在0.05～1.0 μg/mL范围内具有良好的线性关系,回收率92%～105%.     

带功能基的全氟烷基乙烯基醚的研究——4.四氟乙烯与全氟-3,6-二氧杂-4-甲基-△~7-辛基磺酰氟溶液共聚反应单体竞聚率的测定

在乙烯-四氟乙烯溶液共聚合体系研究中,我们曾编制了一个简易的计算机程序,用于测定二种单体的共聚竞聚率,这一方法计算方便,而且可以避免原先作图法中的误差,结果较为可靠。前文我们报道了四氟乙烯与两个新的全氟烷基乙烯基醚的共聚合反应,并对其中一个新单体——7,7-二氯-3-氧杂-全氟庚烯-1——与四氟乙烯的共聚进行了单体竞聚率的测定。结果表明,这一新的含氟烯醚单体的聚合活性较其它已有报道的同类单体大。为了验证这一     

高聚物非等温结晶动力学

由于等温ＤＳＣ法测定结晶动力学参数在实验上存在着一定的局限性，这些缺点可通过非等温ＤＳＣ法来克服。本文基于上述观点介绍了高聚物非等温结晶动力学的理论和实验方法，并对影响动力学过程的一些因素进行了讨论，对非等温结晶动力学的最新情况及发展倾向，应用情况作了介绍。     

PETN基PBX结合能和力学性能的理论研究

PETN(季戊四醇四硝酸酯)是著名的硝酸酯类猛炸药,用量子力学(QM)、分子力学(MM)和分子动力学(MD)方法,计算模拟其与高聚物组成的PBX(高聚物粘结炸药)的结合能和力学性能.以AM1-MO法和MM方法取PETN与系列高聚物的尺寸匹配原子簇模型,经几何全优化计算,发现两种方法求得的结合能彼此线性相关.对PETN超晶胞及其与系列氟聚物组成的双组分PBX,实施COMPASS力场下的分子动力学(MD)周期性模拟,求得其弹性系数、拉伸模量、体模量、剪切模量和泊松比,发现添加少量高聚物确能有效改善炸药的力学性能.     

二维高分子链形态的计算机模拟

介绍在“高分子物理实验”教学中新开设的又一个计算机模拟实验，即应用自编的改进型四位置模型，模拟二维空间中的自回避行走链和无规行走链，并验算均方末端距和均方回转半径与聚合度的标度关系，所得结果与de Gennes的理论符合良好。     

水溶性高聚物的研究进展

自八十年代初，水溶性高聚物再次成为高分子科学研究热点，评述了水溶性高聚物，特别是疏水缔合型改性水溶性高聚物的最新进展。     

某些含二维液晶基元的热致液晶高分子的向列态纹影响构

发现某些含二维液晶基元的热致液晶高分子容易产生反向壁织构与含有高强度有错点（│Ｓ│大于１）的向列态纹影织构。这类液晶高分子的织构与形态学特点与含一维棒状液晶基元的其他液晶高分子不同。