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通过优化合金成分设计与改进速凝片铸技术、烧结技术,应用国内通用的工业生产烧结钕铁硼磁体的各类原材料,在工业生产线上实现了45UH高性能烧结钕铁硼磁体的批量生产。SEM观察和XRD分析结果表明:磁体具有比较高的取向度;其显微组织致密、精细而均匀,平均晶粒尺寸约为5μm。45UH烧结钕铁硼磁体的典型磁性能为Br=1.363 T,Hcb=1060 kA.m-1,Hcj=2140 kA.m-1,Hk=1625 kA.m-1,(BH)max=366.0 kJ.m-3;其Hcj/79.6 kA.m-1+(BH)max/7.96 kJ.m-3=72.8。在295~453 K温度区间,其剩磁与内禀矫顽力的温度系数分别为-0.108%.K-1和-0.486%.K-1。当L/D=0.7时,在473 K保持2 h磁体开路磁通不可逆损失为4.1%左右。批量生产的45UH烧结钕铁硼磁体,其常温磁性能优异,温度稳定性良好。 相似文献
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对于合成化学家来说,通过合成策略调控单离子磁体的磁动力学是一项艰巨的任务。我们以三(2-羟基亚苄基)三氨基胍配体(L)合成了2例单核Dy(Ⅲ)配合物[Dy(L)2(H2O)2]ClO4·2H2O·2CH3CN·CH3OH(1)和[Dy(L)2(H2O)2]CF3SO3·4H2O·2CH3OH(2)。对其结构和磁性研究表明,不同的抗衡阴离子对于配合物1和2的动态磁行为有显著影响。2个配合物中,Dy(Ⅲ)中心都具有三角形十二面体D2d对称性,在零直流场下表现出单离子磁体的行为,其有效能垒分别为358 K(1)和309 K(2)。结构参数对比表明轴向位置的键长和键角微小变化对轴向配体场产生了显著的影响,而轴向配体场的微小变化导致了2个配合物交流磁性的差异。 相似文献
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铜氧化物高温超导体的发现, 打破了基于电声子相互作用BCS理论所预言的超导转变温度极限, 掀开了高温超导材料探索和高温超导机理研究的序幕. 根据掺杂类型的不同, 铜氧化物超导材料可以分为空穴型掺杂和电子型掺杂两类. 受限于样品, 对电子型掺杂铜氧化物的研究工作远少于空穴型掺杂体系. 本文简要回顾有关电子型掺杂铜氧化物超导体近期研究成果, 通过对比电子型掺杂和空穴型掺杂铜氧化物的相图来阐明电子型掺杂铜氧化物的研究对探索高温超导机理的必要性, 并特别针对电子型掺杂样品制备中的关键因素“退火过程”展开讨论. 结合课题组最新实验结果和相关实验报道我们发现电子型掺杂铜氧化物超导体在制备过程中除受到温度和氧分压的影响外, 退火效果还受到界面应力的强烈调制. 在综合考虑样品生长过程中温度、气氛及应力等多种因素的基础上, 探讨了“保护退火”方法导致电子型体系化学掺杂相图变化的起因. 相似文献
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利用和频光谱技术详细研究了磷酸钾缓冲溶液与带负电荷的生物仿生膜(d54-DMPG磷脂双层膜)相互作用的实时过程.通过监控CD2、CD3、磷脂分子头部的磷酸根以及羰基官能团的光谱信号随加入磷酸钾缓冲溶液的实时变化,获得了磷脂双层膜分子结构的动力学变化.结果表明K+能够结合到细胞膜上,并且很快地引起了CD2、CD3、磷脂头部磷酸根以及羰基官能团信号的变化.根据各官能团的和频信号响应,磷酸钾缓冲溶液很可能是通过在双层膜中形成环形气孔来与磷脂双层膜发生作用.该结果可以很好地解释磷酸钾缓冲溶液环境下的离子协助蛋白质的跨膜过程. 相似文献
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本文报道了一个含混合多齿螯合配体的四核Mn配合物Na2[MnIII2MnII2(pdmH)2(L)2(N3)2]·2CH3OH·2H2O(1·2CH3OH·2H2O,pdmH2为2,6-吡啶二甲醇,H2L为2,6-吡啶二甲醇与2,2-二吡啶酮水合物的脱水物),并对其进行单晶结构分析、红外、元素分析和磁性研究。单晶结构分析表明,该化合物属于三斜晶系P1空间群,分子中2个Mn2+、2个Mn3+及6个来自pdmH-或L2-配体的O原子构成1个双缺口立方烷结构。磁性研究表明Mn2+与Mn3+之间为弱的反铁磁性耦合作用(J1=-0.89 cm-1,J2=-1.13 cm-1),Mn3+离子之间为稍强的铁磁性耦合作用(J3=3.20 cm-1),基态自旋值S=2,交流磁化率研究表明,在所测试条件下,其虚部没有表现出单分子磁体所具有的频率依赖现象。 相似文献
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第一过渡系中的顺磁性离子CrⅢ、MnⅡ/MnⅢ、FeⅡ/FeⅢ、CoⅡ、NiⅡ和CuⅡ及抗磁性离子CoⅢ和ZnⅡ均可与DyⅢ在多齿螯合配体配位下形成单分子磁体配合物。在本文中,我们阐述或汇总了几乎所有的第一过渡系金属-镝单分子磁体。对于由顺磁性第一过渡金属离子和DyⅢ离子形成的配合物,有2个有趣的现象需要引起人们的注意:一是一些Cr-Dy配合物具有较高的阻塞温度和较大的矫顽场,这可归功于配合物内CrⅢ离子和DyⅢ离子之间较强的磁耦合作用(|J|>10 cm-1)。二是报道的FeⅡ2-Dy配合物的能垒可达到319 cm-1(459 K),这在第一过渡系金属-镝单分子磁体中也是比较高的。这可能与FeⅡ2-Dy中DyⅢ具有较高的轴向对称性(D5h)有关,且从头计算表明该配合物中Dy的第一激发态也具有较高的轴向对称性。除了部分Cr-Dy和FeⅡ-Dy配合物外,其他顺磁性第一过渡金属-Dy的能垒较低,这可能由配合物内顺磁离子间弱的磁耦合造成的。为了消除磁耦合对磁弛豫行为影响,近年来人们关注于使用抗磁性第一过渡金属离子与DyⅢ构建单分子磁体配合物。相比其他核数的Zn-Dy配合物,三核Zn2Dy配合物被报道的数目最多且研究得最为深入,这可能与较易调控Zn2Dy中Dy配位几何对称性有关。最后,我们提出了几点关于进一步提升第一过渡系金属-镝单分子磁体的磁性能的建议,其中最为重要的是控制Dy配位几何的轴向对称性及Dy的基态mJ的电荷分布。对于第一过渡系金属-镝单分子磁体中的DyⅢ离子,DyⅢ基态mJ的电荷与配体的电荷之间的静电排斥应该降到最低。 相似文献