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31.
面缺陷是纳米带中非常普遍和非常重要的一类缺陷.在有些情况下,面缺陷对于高表面能指数面的出现起着决定性的作用, 同时,它们可以诱导纳米带沿着特殊的方向生长.面缺陷可以是孪晶或双晶,层错和由杂质原子聚集在特定原子面所形成的间隙原子层.在本文中,利用透射电子显微术,我们将介绍氧化锌纳米带中被发现的几种面缺陷.我们确认了两种孪晶/双晶结构,它们的孪晶面分别是(0113)和(2112)面.基面层错有I1 和I2两种.在大尺寸的纳米带中,I1基面层错可以折叠到(2110)面形成棱面层错.当少量的In离子掺入氧化锌纳米带后,我们发现伴随着杂质In在基面的聚集,形成了两种倒反畴界. 相似文献
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液晶研究(Ⅰ)──4'-酰基-4-羟基-1,1'-联苯酯类液晶的合成与性质 总被引:1,自引:0,他引:1
以4'-羟基联苯为原料合成了8种新型4'-酰基-4-羟基联苯酯类化合物.除化合物5_h外,均为新的近晶相液晶化合物.它们具有较宽的相变温度范围和较高的热稳定性.用偏光显微镜和差热分析仪研究了它们的相行为,讨论了分子结构对液晶相行为的影响. 相似文献
34.
晶化温度对中孔分子筛(M41S)结构转变的影响 总被引:11,自引:6,他引:11
在低表面活性剂浓度及低表面活性剂与氧化硅比的条件下,研究了十六烷基三甲基溴化铵-硅酸钠体系中晶化温度对中孔分子筛M41S材料结构转变的影响。结果有,晶化温度提高至135℃改变了原六方晶相MCM-41的结构,晶化温度提高到150℃后,中孔结构六方MCM-41晶格转变为变不稳定的层状相, 相似文献
35.
Highly Effective Phenol Hydroxylation over Ti-ZSM-5 Catalyst Prepared Using B-ZSM-5 as Precursor 以B-ZSM-5为母体合成Ti-ZSM-5高效苯酚羟基化催化剂 总被引:3,自引:0,他引:3
以改进方法合成的B-ZSM-5为母体,采用气固相同晶取代法合成了较小晶粒的Ti-ZSM-5分子筛. 考察了样品的物化性能和催化苯酚羟基化性能. 结果表明: 所合成的小晶粒Ti-ZSM-5具有较高的结晶度,尺寸为100~200 nm,且不含锐钛矿型TiO2,对苯酚羟基化反应的催化性能优异. 相似文献
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37.
以巯基乙酸为稳定剂,在水相中合成了CdTe纳米晶,通过考察红外光谱、紫外光谱和光致发光光谱的变化,确定了苯丙氨酸(Phe)对CdTe纳米晶的光致发光效率以及稳定性的影响.结果表明苯丙氨酸与CdTe纳米晶之间存在着较强的相互作用,这种作用导致CdTe纳米晶的发光强度增大,稳定性增强,苯丙氨酸不仅是配位剂,它同时又起到了稳定剂的作用,并初步确认这种加强和稳定作用来自于苯丙氨酸和CdTe纳米晶之间所形成的配位键和静电作用以及苯丙氨酸与巯基乙酸之间形成的氢键.此外,苯丙氨酸的特殊结构对防止纳米晶的聚集有很大作用. 相似文献
38.
将钛酸四丁酯和硬脂酸在熔融状态下混合均匀后置于冷水浴中,使其凝固成凝胶,通过控制烧结过程中氧气的含量,成功地制备出粒度均匀、介电性能好的纳米晶TiO2.通过采用X射线光电子能谱和表面光电压谱对纳米晶TiO2表面状态的分析发现,材料表面存在大量的氧空位缺陷,暴露在粒子表面上的主要是一些金属Ti4+.纳米材料的这种表面状态对其极化性质具有重要的影响,使其在接近静态条件下的低频介电常数远大于常规材料的介电常数. 相似文献
39.
BaTiO_3纳米晶的制备和结构方佑龄,赵文宽,邹化民,王仁卉(武汉大学化学系,武汉大学物理系,武汉,430072)关键词钛酸钡纳米晶,过氧化物,制备,结构BaTiO3具有高介电常数及优异的铁电、压电性能,是一种重要的电子陶瓷材料,因此,对其纳米晶的?.. 相似文献
40.
二茂铁液晶因其独特的稳定性和易于衍生化受到研究人员的青睐[1- 8] 。我们曾经报道过一类单取代二茂铁液晶的合成与介晶性[9] 。这里我们报道另外一类二茂铁单取代液晶 ,并对分子的长度、溴原子取代对介晶性的影响进行探讨。合成路线如下 :1 实验部分BruckerACE -2 0 0spectrometer,CDCl3作溶剂。NicoletMagna-IR 5 0 0Spectrometer,SeriesⅡ ,KBr压片。WRS -IA ,CarloErba 1 1 0b。Perkin -Elmer 7Series热分析仪 ,分温速度 1 0℃ /mi… 相似文献