应力对La0.83Sr0.17MnO3薄膜输运性能的影响

采用溶胶-凝胶方法在Si(111)上制备了LSMO(x=0.17)薄膜.研究了块体材料和不同厚度薄膜R -T曲线、红外光谱和X射线衍射.结果表明，LSMO薄膜属于正交晶体结构，薄膜取向与膜厚度 有关，当膜厚度为450nm或680nm时，主要取向〈200〉，而膜厚度为900nm时取向为〈020〉 ：根据离子对相互作用能和谐振子模型，得到了红外吸收与Mn—O—Mn键长和键角关系式，6 00cm^-1附近红外吸收与晶格常数b的变化有关；块体与薄膜的金属—绝缘体转变 温度(T_MI)存在较大差别，薄膜转变温度显著低于块体，并与厚度有一定关系. 认为是LSMO薄膜中的应力诱导了晶格常数变化，引起键角改变及JT效应是转变温度变化的主 要原因. 关键词： 单晶硅 晶格常数 金属—绝缘体转变温度 应力诱导     

钙钛矿型La_((1 x)/2)Sr_((1-x)/2)Co_(1-x)Cu_xO_3催化CO氧化活性与表征

研究了钙钛矿型LaSrCoCu_xO_3催化剂对CO氧化反应的催化活性及其表面氧的催化作用．结果表明，x＝0．4的催化剂对CO氧化具有最高催化活性，常压及本实验条件下CO完全氧化的最低温度为168℃；催化剂均为氧缺陷化合物，吸附于表面晶格氧缺陷上的吸附氧是CO氧化反应的活性氧物种；并发现催化剂中存在有非常价态的C04 ，认为CO氧化反应是通过吸附氧调变Co3 和Co4 价态而进行．     

交联网络和浓溶液中高分子链运动的NMR研究Ⅲ.质子自旋-晶格弛豫时间与凝胶和浓溶液体系中高分子链段的运动

用自旋－晶格弛豫时间（Ｔ１）研究了溶胀的交联聚丙烯酰胺－丙烯酸网络和线型聚苯乙烯溶液中质子的弛豫行为。交联网络中，随着交联度增大，Ｔ１ＣＨ／Ｔ１ＣＨ２的值由１．１７逐渐趋近于１；而线型聚苯乙烯溶液中，Ｔ１ＣＨ／Ｔ１ＣＨ２的值由最稀浓度下的１．７过渡到１。说明在交联网络中，交联度很低时，链段的运动已经相当受约束；但交联度很大时，充分溶胀的交联网络中链段运动仍有一定自由度。而在线型高分子浓溶液中，链段的运动严重受阻，导致自旋扩散效应非常完全，彻底平均掉了各质子间Ｔ１时间的差异。     

ANN原子参数法预报合金相晶型及晶格常数

运用人工神经网络方法，以二元合金组成元素的电子结构为基本特征，对二元合金相晶型作了区分，进一步对其晶格常数作了预报，结果令人满意。     

Al掺杂对尖晶石型Li[Mn(Al)]2O4结构的影响

采用共沉淀法按不同Al掺杂比例x[x=n(Al)∶n(Mn+Al)=0, 0.025, 0.050, 0.100, 0.150, 0.200]制得了Al(OH)3和Mn3O4混合物, 将其与LiNO3按一定比例混合, 在空气中于700 ℃烧结得Li[Mn(Al)]2O4样品. X射线衍射和Raman光谱结果表明, 在0≤x≤0.20范围内均得到了单相的尖晶石型样品, 随着x的增加, 晶胞参数减小, 晶格振动能量增加, Mn(Al)-O的结合增强, 结构稳定性增强.     

红外光谱研究甲烷和氧与SrO-La2O3/CaO表面的相互作用

在甲烷氧化偶联（ＯＣＭ）反应条件下，用原位红外光谱研究ＳｒＯ－Ｌａ２Ｏ３／ＣａＯ催化剂，结果表明，晶格氧使甲深度氧化，Ｌａ２Ｏ３和ＣａＯ具有活泼的晶格氧，ＳｒＯ的晶格氧比较稳定，气相氧通过催化剂表面消耗掉的晶格氧，加速甲烷了深度氧化，另一方面，催化剂表面的碳酸根物种在氧气氛下分解，在Ｌａ２Ｏ３和ＬＣ催化剂中，催化剂表面Ｌａ２Ｏ２（ＣＯ３）的分解形成配位不饱和的晶格氧Ｏ＾２－，并为气相氧吸附提供氧空     

复合氟化物中铕(II)f-f 跃迁发射的判据及其运用

建立了Eu^2^+离子f→f跃迁发射产生的判据运用这-判据预测, 设计并合成了近四十种掺Eu^2^+的复合氟化物, 在这些基质中均观察到Eu^2^+的f-f跃迁尖峰发射。本文对所提供的判据从化学键性质和晶场效应方面作了简要解析, 并对判据的运用条件作了讨论。     

Cu-ZSM-5分子筛上[Cu-O-Cu]2+物种的原位红外光谱研究

通过原位监测Ｃｕ－ＺＳＭ－５分子筛的振动动红外光谱随温度及不同处理条件的变化情况,观察到［Ｃｕ－Ｏ－Ｃｕ］＾２＋物种的形成过程,即两个Ｃｕ（ＯＨ）＾＋在脱水过程中经二聚形成［Ｃｕ－Ｏ－Ｃｕ］＾２＋,低交换度样品开始产生［Ｃｕ－Ｏ－Ｃｕ］＾２＋物种所需脱水温度较高,通过观察不同处理条件对［Ｃｕ－Ｏ－Ｃｕ］＾２＋的影响,说明Ｃｕ＾２＋是通过脱出［Ｃｕ－Ｏ－Ｃｕ］＾２＋中的超各氧而被还原为Ｃｕ＾＋,较高     

激光Raman光谱研究2,4己二炔-1,6二醇的双苯异氰酸酯的聚合——晶型对固相聚合活性的影响

用激光Raman光谱研究了三种不同晶型的2,4-已二炔-1,6二醇的双苯异氰酸酯(HDPU)的聚合,发现不同晶型的HDPU的聚合活性与其C=C伸缩振动频率的频移之间存在内在联系。这说明单体晶格与聚合物晶格的匹配是HDPU具有高的聚合活性的必要条件。