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The effects of ^60Co γ-ray irradiation on the DC characteristics of enhancement-mode A1GaN/GaN high-electron-mobility transistors 下载免费PDF全文
The effects of ^60Co γ-ray irradiation on the DC characteristics of AlGaN/GaN enhancement-mode high-electron- mobility transistors (E-mode HEMTs) are investigated. The results show that having been irradiated by^60Co γ-rays at a dose of 3 Mrad (Si), the E-mode HEMT reduces its saturation drain current and maximal transconductance by 6% and 5%, respectively, and significantly increases both forward and reverse gate currents, while its threshold voltage is affected only slightly. The obvious performance degradation of E-mode A1GaN/GaN HEMTs is consistent with the creation of electronegative surface state charges in the source-gate spacer and gate-drain spacer after being irradiated. 相似文献
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通过探究实验,结合文献资料,对镁在空气中燃烧是否有氮化镁生成和为何难以观察或检验的原因提出个人看法. 相似文献
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爆破震动信号模极大值小波消噪方法的改进 总被引:3,自引:0,他引:3
针对模极大值小波消噪方法不利于所有信号特征的识别这一缺点,对该算法进行了改进,采用自适应的小波尺度来替换二进小波尺度,以更好地适应测试信号消噪的要求。应用改进前、后的消噪算法分别对实测爆破震动信号进行了分析,并将分析结果进行了比较。比较结果说明:改进后的算法消噪效果更好,消噪后信号同轴清晰、连续性好,信噪比由17.25提高到20.16,可以更好地实现爆破震动信号消噪的目的。 相似文献
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叶臣 《宁波大学学报(理工版)》2009,22(2):222-226
定义了两指标B值强鞅空间和强原子,利用Banach空间的光滑性建立了两指标B值强鞅空间s~∑α^p的强原子分解定理,应用强原子分解定理证明了一些两指标B值强鞅不等式. 相似文献
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不同X射线管电压下CsI和CsI(Tl)晶体的X射线辐照致发光 总被引:1,自引:0,他引:1
在室温(290 K)和低温(25 K)下,测量了从11~40 kV的一系列管电压下X射线激发纯CsI和CsI (Tl)晶体的辐照致发光(RL)谱.结果表明:在固定温度下,管电压变化后, 305 nm和340 nm的本征发光带和580 nm的非本征发光带的形状结构均不发生变化,只是其强度发生变化.对所测得的各发光带强度随管电压的变化关系用抛物线模型进行了拟合分析,得到了较好的结果.同时还发现纯CsI和CsI (Tl)晶体中所有本征RL发光带强度与X射线强度基本上成正比关系,而当管电压增加时,CsI (Tl)晶体中非本征发光带强度的增加速度慢于本征发光带.分析认为,290 K时这可能与样品中另一个位于400 nm左右的发光带有关;而在25 K时则可能和H心与VK心的竞争有关. 相似文献