全文获取类型
收费全文 | 5405篇 |
免费 | 1100篇 |
国内免费 | 880篇 |
专业分类
化学 | 1516篇 |
晶体学 | 46篇 |
力学 | 469篇 |
综合类 | 255篇 |
数学 | 2215篇 |
物理学 | 2884篇 |
出版年
2024年 | 48篇 |
2023年 | 137篇 |
2022年 | 151篇 |
2021年 | 187篇 |
2020年 | 129篇 |
2019年 | 179篇 |
2018年 | 98篇 |
2017年 | 176篇 |
2016年 | 171篇 |
2015年 | 208篇 |
2014年 | 378篇 |
2013年 | 301篇 |
2012年 | 366篇 |
2011年 | 391篇 |
2010年 | 366篇 |
2009年 | 364篇 |
2008年 | 469篇 |
2007年 | 338篇 |
2006年 | 368篇 |
2005年 | 284篇 |
2004年 | 305篇 |
2003年 | 271篇 |
2002年 | 195篇 |
2001年 | 201篇 |
2000年 | 179篇 |
1999年 | 156篇 |
1998年 | 124篇 |
1997年 | 131篇 |
1996年 | 129篇 |
1995年 | 108篇 |
1994年 | 99篇 |
1993年 | 71篇 |
1992年 | 79篇 |
1991年 | 70篇 |
1990年 | 55篇 |
1989年 | 58篇 |
1988年 | 14篇 |
1987年 | 8篇 |
1986年 | 5篇 |
1985年 | 6篇 |
1984年 | 4篇 |
1983年 | 2篇 |
1982年 | 3篇 |
1979年 | 1篇 |
1959年 | 2篇 |
排序方式: 共有7385条查询结果,搜索用时 15 毫秒
101.
1(2000年中国台湾数学奥林匹克)设,是正整数集到非负整数集的映射,满足f(1)=0,f(n)=max 1≤j≤n-1 {f(j)+f(n~j)+j|(n≥2),求f(2000)。 相似文献
102.
对于高温高压下氩等离子体的电离度和物态方程,本文给出了一种基于Thomas-Feimi(TF)统计模型的简化计算新方法:首先将TF模型电离势的数值结果进行函数逼近,给出一个便于数值求解的计算电离度的近似计算方法,并由此计算了局部热动平衡下的氩等离子体在10~1000 eV高温范围内的物态方程.计算结果与国外报道的其他几种理论模型的计算结果均符合很好,与实验值也吻合较好.本文所提出的简单模型也适用于计算混合物物态方程,可以在电磁发射技术领域中的强电离等离子体中有更为广阔的应用前景. 相似文献
103.
本文中所沿用的概念和符号除特别说明外,其意义与[4,5]相同.本文主要给出了集Pδ(A)的结构以及正规算子A有唯一最佳ω-非负逼近的特征. 相似文献
104.
基于专家动态权重的群组AHP交互式决策方法 总被引:2,自引:0,他引:2
为了能在群组决策中得到更为客观和准确的决策结果,在把专家权重划分为静态权重和动态权重的基础上,研究了在交互式决策中专家动态权重的确定方法,给出了共识度的一个定义.在此基础上,研究了群组AHP交互式决策方法中的一致性和相容性检验,给出了基于专家动态权重的群组AHP交互式决策方法流程,最后用一个示例说明了该方法的应用步骤. 相似文献
105.
106.
107.
Jian Zhong PAN Shao Bing WU 《数学学报(英文版)》2006,22(1):23-26
in this note, we answer positively a question by Belegradek and Kapovitch about the relation between rational homotopy theory and a problem in Riemannian geometry which asks that total spaces of which vector bundles over compact non-negative curved manifolds admit (complete) metrics with non-negative curvature. 相似文献
108.
研究了HfN/HfO2高K栅结构p型金属-氧化物-半导体(MOS)晶体管(MOSFET)中,负 偏置-温度应力引起的阈值电压不稳定性(NBTI)特征.HfN/HfO2高K栅结构的等效 氧化层厚度(EOT)为1.3nm,内含原生缺陷密度较低.研究表明,由于所制备的HfN/HfO2 高K栅结构具有低的原生缺陷密度,因此在p-MOSFET器件中观察到的NBTI属HfN/HfO2高K栅结构的本征特征,而非工艺缺陷引起的;进一步研究表明,该HfN/HfO2高K栅结构中观察到的NBTI与传统的SiO2基栅介质p-MOSFET器件中观察 到的NBTI具有类似的特征,可以被所谓的反应-扩散(R-D)模型表征: HfN/HfO2 栅结构p-MOSFET器件的NBTI效应的起源可以归为衬底注入空穴诱导的界面反应机理,即在负 偏置和温度应力作用下,从Si衬底注入的空穴诱导了Si衬底界面Si-H键断裂这一化学反应的 发生,并由此产生了Si+陷阱在Si衬底界面的积累和H原子在介质层内部的扩散 ,这种Si+陷阱的界面积累和H原子的扩散导致了器件NBTI效应的发生.
关键词:
高K栅介质
负偏置-温度不稳定性(NBTI)
反应-扩散(R-D)模型 相似文献
109.
这篇文章讨论边值问题-(| u′|p-2u′)′=λf(t ,u) ,t∈(0,1) ,p >1,u(0) =u(1) =0,其中f(t ,u)≥-M( M是正常数) ,对(t ,u)∈0,1×0,∞) .我们利用度理论和锥上的不动点定理得到方程存在两个正解. 相似文献
110.
符号几何规划的一种分解方法 总被引:1,自引:0,他引:1
针对符号几何规划提出了一种直接的分解方法,将难于求解的符号几何规划问题等价地转化为一个非线性程度很低的可分离规划,为寻求困难度高且规模较大的符号几何规划问题的求解提供了一种方法,特别是经此方法分解后的每个子问题均易于求解,最后给出了数值实例,验证了此方法的有效性. 相似文献