用相对论Brueckner-Bethe-Goldstone方程研究相对论微观光学位

本文用相对论Brueckner-Bethe-Goldstone(RBBG)方程研究核子-核的相对论微观学学势.核子的复有效质量是通过入射能量为200MeV的质子-⁴⁰Ca散射数据来确定,由此进一步研究了质子对不同靶核:¹⁶O,⁴⁰Ca,⁹⁰Zr,²⁰⁸Pb能量范围从160—800MeV的相对论微观光学位.我们用这种微观光学位研究入射能量为200MeV质子与⁴⁰Ca的弹性散射,并与唯象相对论光学位计算得到的截面,自旋可观测量进行了比较.     

光盘用2P胶应用研究进展

对光盘用２Ｐ胶的应用研究进展情况进行了评述，其中光盘制备用光聚合浮雕成型２Ｐ胶的基本组成为各类多官能团丙烯酸酯类单体；光盘保护涂层用２Ｐ胶主要组分为环氧丙烯酸酯类预聚体。     

光的碰撞再分布

光的碰撞再分布是２０多年来发展起来的研究原子碰撞过程的新技术，目前已成为研究原子相互作用的强有力的工具。文章简要介绍了碰撞再分布技术的基本原理和典型实验，并给出了应用实例。     

多勒普加宽斯塔克效应调制分析

用半经典理论分析了含多勒普加宽的斯塔克效应调制，使用密度矩阵近似，导出了吸收线附近ＮＨ３分子的吸收系数和调制度表达式，实验研究了１０．７８４μｍ波长的斯塔克效应调制特性，调制频率１ＭＨｚ时，调制度达到３３％。     

蒽酮高分子复合物发光体的光老化研究

通过５５５ｎｍ单色光照射下的２小时人工老化和露天中２６个月自然老化。研究了蒽酮高分子复合物发光体的光老化性质，经过２６个月的自然老化发光峰值强度下降了４８％，树脂的光透过度下降了４０％，表明光老化的原因主要是树脂老化引起的。     

关于光在介质表面反射的半波损失问题

对于光在反射时的半波损失问题，就《大学物理》上已发表的章和已出版的教科书中的有关论述作一回顾，阐明对此问题是怎样一步步讨论得全面、清楚的。     

Modulation Spectroscopy of GaAs Covered by InAs Quantum Dots

Contactless electroreflectance has been employed at room temperature to study the Fermi level pinning at undoped-n^ GaAs surfaces covered by 1.6 and 1.8 monolayer (ML) InAs quantum dots (QDs).It is shown that the 1.8 ML InAs QD moves the Fermi level at GaAs surface to the valence band maximum by about 70 meV compared to bare GaAs,whereas 1.6 ML InAs on GaAs does not modify the Fermi level.It is confirmed that the modification of the 1.8 ML InAs deposition on the Fermi Level at GaAs surface is due to the QDs,which are surrounded by some oxidized InAs facets,rather than the wetting layer.     

光的衍射法测量金属的线胀系数

给出测量金属线胀系数的一种新方法．利用光的衍射法可以较精确地测量长度变化这一特点，对黄铜的线胀系数进行了测量．     

长焦距光学系统杂光系数测试仪

报告了一种新的长焦距光学系统杂光系数测量装置,该装置除具有避免了制作大直径积分球的优点外,还能精确测量轴外杂光系数,分析各部分杂光源对杂光系数的影响.