基于抖动测试的AFDX端到端延迟紧性修正

AFDX引入虚拟链路(Virtual Link)实现物理带宽资源的逻辑分隔。由于数据帧的异步到达和多路复用输出造成虚拟链路的时延抖动现象,并最终导致流量端到端延迟分析的不确定性。本文提出了一种基于抖动测试值的网络演算紧缩方法。通过分布式测试,获得虚拟链路在网络中的实际传输抖动,并以此为基础,建立了流量传输精确化模型,通过流量模型的逐级修正,使端到端延迟计算结果逐级精确化。通过将抖动实际值与理论分析结果相结合,提供了网络演算悲观度及其扩散影响度量的直观对比,提高了延迟计算的紧性。     

航磁姿态数据收录系统设计

随着计算机的发展,航空磁法测量的磁补偿方式已从手动补偿转变为自动补偿方式,其磁补偿干扰系数的计算,也在补偿标定飞行中自动完成,磁补偿系数的准确程度是由标定飞行所完成动作(摇摆、俯仰、偏航)的准确性来决定,因而对飞机姿态角度的数据记录和显示,可以为航磁补偿质量的评价提供一种依据,还可以在测区做业的数据处理中,检查航磁探头在测区中工作角度的变化,排除航磁探头进入到死区内的干扰数据;因此在航空物探测量中对飞行姿态数据的采集是很有必要的,该软件应用C++Builder编译系统,实现了在航空磁法测量中对航磁数据、GPS数据、飞行姿态动作数据的实时采集、记录和显示,也为补偿软件的开发提供飞行姿态数据的支持。     

消息重复型ARINC429总线事件消息包机载实时处理技术研究

ARINC429总线广泛应用于民用飞机中,在飞行试验中,消息重复型ARINC429事件信息的实时监控占用很大的遥测带宽资源;采用机载嵌入式数据处理模块,通过将其嵌入到机载测试系统中,通过采集器底板总线获取ARINC429采集模块采集到的数据,对飞机事件信息进行解析处理,并将处理结果通过遥测系统遥测下传至地面监控中心,大大降低了遥测带宽需求,对于飞行试验实时安全监控有重要意义。     

航空超短波通信链路余量分析系统设计

为分析飞行器位置、姿态和工作频率对航空超短波通信链路性能的影响,构建了航空超短波通信链路模型,利用FEKO7.0电磁仿真软件计算了机载天线与飞行器一体化电磁辐射特性,基于MATLAB软件设计了系统的主程序,系统主程序通过调用天线的辐射特性数据,结合飞行器的位置、速度和姿态变化,可计算出通信双方之间的天线极化衰减和空间衰减等数据,分析了飞行器在相应状态下航空超短波通信链路性能的数值变化,具有较强的实用性。     

基于STAMP的航空管制空中危险目标识别方法研究

为了保证航空管制中航空器的完整性,提高航空器的使用寿命,并且可以最大限度的保障航空乘客和其他航空人员的人身安全,需要对航空管制空中危险目标进行识别。但采用当前目标识别方法对空中危险目标识别时,识别系统对空中危险目标无法稳定识别,存在空中危险目标识别精度低的问题。为此,提出一种基于STAMP的航空管制空中危险目标识别方法。该方法先利用STAMP模型对航空管制空中危险目标识别系统各组成部分进行任务分配,然后采用Harris法对空中危险目标进行特征选择和提取,依据Mean-Shift法的Bhattacharyya系数,描述候选空中危险目标和空中目标的危险概率分布相似度,随着Bhattacharyya系数的不断增加,候选空中危险目标和空中危险目标的相似度越大,使危险目标跟踪系统朝着空中目标危险密度增大的位置移动,在最优位置收敛,从而实现空中危险目标跟踪,最后利用D-S理论对跟踪结果进行识别,通过引入空中目标危险性基本概率赋值函数获得空中目标危险基本概率,采用Dempster组合规则对空中目标危险证据进行合成,依据空中危险目标证据融合结果完成对航空管制空中危险目标的识别。实验仿真证明,所提方法增强了航空管制空中危险目标识别的效果,提高了航空管制空中危险目标识别的精度。     

掺铒聚合物狭缝波导放大器的增益特性研究

设计了一种高浓度稀土铒掺杂聚合物填充硅狭缝结构的平面光波导放大器（工作波长1 550 nm,泵浦波长1 480 nm）,能够在低泵浦下获得高增益,可以应用于硅基光互联的损耗补偿。通过扫描电镜照片观察发现,合成的铒掺杂聚合物材料具有良好的纳米狭缝填充能力。考虑铒离子的合作上转换和激发态吸收,利用铒离子四能级跃迁模型,建立原子速率方程和光功率传输方程,数值仿真分析了聚合物光学性质、狭缝波导结构参数及信号光泵浦光功率等放大器增益特性的影响因素。这种具有纳米截面尺寸的光波导放大器,获得4.5 dB的信号光相对增益仅需要1.5 mW的泵浦光,展现了良好的集成光学应用前景。为了进一步提高增益,引入了多层狭缝结构,四层狭缝波导的重叠积分因子比一层狭缝的高42%。     

有限宽板孔边弹塑性变形测试

测量应变集中区域的弹塑性变形，对于研究材料损伤或微裂纹的产生，以预防宏观裂纹的产生及扩展具有重要的意义。为给航空发动机轮盘的损伤容限设计研究提供相关材料的力学实验参数，做了两个有限宽中心带孔试件的拉伸试验。试验中，采用单调逐级加、卸栽的循环加栽方式，并应用自动网格法和数字图像相关技术测量了孔用的全场位移分布。再应用最小二乘法将离散的位移分量拟合成二元多项式函数，求解出拉伸方向的应变分布，并给出孔边应力σ与孔边应变εy的关系曲线。     

航空成像系统检调焦技术分析与展望

介绍了航空成像系统的特殊工作环境及应用需求对检调焦技术的要求,讨论了当前3种主要检调焦方法：程序标定法,光学自准直法及图像对比度法,总结并比较了3种方法的检调焦精度、检调焦时间等性能指标。最后着重讨论了基于光场成像理论与光学系统离焦深度之间的关系,对基于光场成像原理的快速检调焦技术进行了深入的分析、讨论,并对该技术在航空成像系统的应用前景进行了展望分析。     

Current Density-Dependent Thermal Stability of ZnSe Nanowire in M-S-M NanostructureD

Due to semiconductor nanowire （NW） having a very tiny diameter, the electronic devices based on metal-semiconductor NW-metal （M-S-M） nanostruc- ture can carry a very large current density com- pared to electronics based on bulk semiconductors. A small mass of a NW also means a small heat capacitance. In this case, any small energy trans- fer from the current-carry electrons to local ionic or/and lattice vibrations in NWs may cause a sub- stantial self-heating of the NWs. Thus thermal insta- bility of NWs in M-S-M nanostructure due to Joule heating has become a fundamentally and technolog- ically important issue concerning the performance of semiconductor NW-based nanoelectronics and has at- tracted a lot of attention. The failure behaviors of various semiconductor and metallic NWs inves- tigated by in situ transmission electron microscopy （TEM） and confocal micro-Raman spectroscopy re- spectively have confirmed semiconductor NWs includ- ing Si, Ge, GaN, ZnO, Sn02, Ti02, ZnSe and ZnTe NWs electrically broken by thermal evaporation due to Joule heating and metallic NWs electrically de- stroyed by electromigration. Electron-phonon in- teraction that transfers energy from conduction elec- trons to the ions in the material causes Joule heating. Electromigration due to the transfer of the momentum of conduction electrons to the ions causes migration of atoms in the material when high current density flows through a circuit. The different failure mechanisms of these NWs are significantly materials-dependent due to the difference of their chemical and physical prop- erties and have a very close relation with the param- eters governing the electron transport mechanism at the metal-semiconductor （M-S） nanocontact such as Schottky barrier and bias polarity .     

Engineering Double-Walled Carbon Nanotubes by Ar Plasma

Double-walled carbon nanotubes （DWCNTs） have been found to be promising nano-materials for nano-mechanical and nano-electrical devices due to their double-walled structures. Modifying DWCNTs would be one of the key technologies for device construction. We demonstrate engineering the geometry of DWCNTs by etching with Ar plasma. The characterization by atomic force rnicroscopy indicates that single atomic carbon layers could be removed from DWCNTs by Ar plasma. The etching effect is further investigated by electrical measurements on DWCNT field-effect transistors, which allow us to study the interwall screen effect as well.