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用共蒸发法在室温下制备了ZnTe及ZnTe:Cu多晶薄膜,测量了电导率温度曲线,发现不掺杂的ZnTe薄膜的暗电导随温度的增加而线形增加,呈常规的半导体材料特征;掺Cu的ZnTe薄膜在温度较低时,lnσ随温度升高而缓慢增加,随后缓慢降低,达到一极小值,当温度继续升高时又陡然增加,呈现异常现象。用XPS研究了N2气氛下退火前后表面状态,发现不掺Cu的ZnTe薄膜呈现富Te现象。掺Cu后Te氧化明显,以ZnTe形式存在的Te明显减少;ZnTe:Cu薄膜中Zn的含量在退火前后变化明显,退火前,Zn主要以ZnTe形式存在,退火后Zn原子向表面扩散,使表面成分更加均匀,谱峰变宽;退火时,部分Cu原子进入晶格形成CuxTe相,引起载流子浓度变化,导致ZnTe:Cu多晶薄膜的电导温度关系异常。 相似文献
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采用了通用高速A/D采集器采集信号数据,用软件的方法开发出了具备多道能谱脉冲识别和计数分析能力的软件.用此软件实现了每次托卡马克放电后,在较短的时间内从庞大的原始采集数据中提取出能谱脉冲数据,计算和显示能谱图,这为下一步测量电子温度打下了基础,并同时实现了数据共享. 相似文献
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Using the relativistic Bethe-Salpeter method, the electron energy spectrum and the semileptonic decay widths of B^0 → Ds^- e+ve and B^0 → Ds^*-e+ve are calculated. We obtain a large branching fraction Br(Bs → Dseve) = (2.85 ± 0.35)% and Br(Bs→ D^*s eue) = (7.09 ±0.88)%, which can be easily detected in future experiments. 相似文献
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邓勇军 《工程物理研究院科技年报》2008,(1)
在利用活化法进行中子能谱的测量过程中,需要使用活化探测箔的多群截面。许多时候,由于设备、装置本身所能提供的中子注量率水平非常低,为了在合理的时间内使活化箔活化后的活度达到一定水平,需要采用较厚的活化箔。而目前在原始评价截面数据库来源中,都是ENDF格式的数据库。为此,需要首先将此ENDF格式的数据库转化为无限稀释多群截面,然后根据实验所采用的活化探测箔的厚度,将此无限稀释多群截面转换为解谱所需的相应厚度的活化箔多群截面。 相似文献
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对于YBa_2Cu_3O_(~7)超导体的Ba 3d X光电子能谱(XPS)存在分裂(出现肩峰)的现象有很多不同的解释.Kohiki等认为主峰和肩峰分别代表晶格Ba~(2 )离子和金属Ba;Han等则认为它们分别代表Ba~(2 )离子和更高价态的Ba离子;Ji等提出超导体中存在Ba~(2 )和Ba~((2-δ) )两种离子;唐有祺等报道超导体存在体相钡、表面BaCO_3的钡和绝缘相中的钡,它们的Ba 3d_(5/2)结合能分别为777.8,779。7和781.5eV;Fjellvag等也观察到Ba3d谱中出 相似文献
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