L3中心径迹室顶点位置分辨的改进

运用两种方法对L3中心任迹漂移室的顶点位置分辨进行了改进,一种是利用高能量分辨的电子和高动量分辨的μ子测量,限定轻子径迹的曲率半径,对径迹进行重新拟合;另一种是对中心径迹室每半边单元的径迹零位置位移进行校正.结合两种改进方法将轻子的顶点位置分辨由原来的137μm提高到60μm.     

用玻色化顶点算子实现与Zn对称的BelavinR矩阵相关的Z-F代数

根据Asai,Jimbo,Miwa和Pugai给出的玻色化的A⁽¹⁾_n－1面模型的顶点算子,用面顶点对应关系,得到了与Z_n对称的Belavin R矩阵相关的玻色化顶点算,它们实现了与这种R矩阵对应的Zamolodchikov-Fadeev代数.     

双折射位相差的拟合表达式及其应用

探讨双折射晶体的ｏ光和ｅ光的位相差的表达式，对文献中常引用的表达式作近似展开，得到一个适用性的拟合表达式及其拟合系数与昌体或液晶双折射率之间的关系，并给出该表达式的简单应用。它可作为设计晶体旋转法测试液晶双折射和预角测试仪的原理。     

能动薄主镜技术模拟研究

利用有限元法对模拟能动薄主镜的两块变形反射镜拟合象差模式的能力进行计算，并进行了象差拟合实验，计算结果与实验结果相符．     

强Faudree—Schelp定理

提出了和证明了强Faudree-Schelp定理，且本中对强Faudree-Schelp定理的证明Faudree,Schelp和Cai对Faudree-Schelp定理的证明简洁。     

X射线粉末衍射的新起点——Rietveld全谱拟合

Ｒｉｅｔｖｅｌｄ全谱拟合法及高分辨Ｘ射线粉末衍射实验方法的出现与发展，使Ｘ射线粉末衍射进入了一个新阶段，不但提高了分析结果的质量，并且使从头晶体结构测定成为可能。本文扼要介绍了Ｒｉｅｔｖｅｌｄ全谱拟合法的理论；高分辨高准确的粉末衍射装置，从头晶体结构测定方法及多晶材料结构表征的全谱拟合法（包括作物相定性分析、物相定量分析、晶粒大小及点阵畸变的测定等）     

类镓等电子序列ZrⅩ-RhⅩⅤ离子的4s~24p-4s~24d、4s~24p-4s4p~2、4s~24p-4s~25s、4p~3-4s~25s以及4s4p~2-4p~3跃迁谱线和振子强度的理论计算

本文对类镓等电子序列ＧａⅠ—ＸｅⅩⅩⅠⅤ离子４ｓ２４ｐ、４ｓ２４ｄ、４ｓ４ｐ２、４ｐ３和４ｓ２５ｓ组态能级结构和组态相互作用进行了理论分析，找出沿等电子序列的变化规律。用作者提出的半经验公式［１］，内插预测了ＴｃⅩⅢ离子的４ｓ２４ｐ、４ｓ４ｐ２和４ｓ２５ｓ组态能级，外推预测了ＴｃⅩⅢ—ＲｈⅩⅤ离子的４ｐ３和４ｓ２４ｄ组态能级，并给出了４ｓ２４ｐ４ｓ２４ｄ、４ｓ２４ｐ４ｓ４ｐ２、４ｓ２４ｐ４ｓ２５ｓ、４ｐ３４ｓ２５ｓ和４ｓ４ｐ２—４ｐ３谱线波长和ＨＸＲ方法理论计算振子强度。用作者提出的半经验公式对组态能级的预测值与实验值的最大偏差小于１００ｃｍ－１。     

密度曲线的一种画法及其在h分布模型中的应用

当单调函数的反函数不能显性表示时 ,连续型随机变量的分布密度曲线仍可通过参数方程的形式获得。将这种方法应用到用h分布模型的密度曲线拟合t(6 )分布的密度曲线上面 ,拟合效果良好。     

一类二元样条空间的维数

We establish the dimension formula of the space of C^r bivsriate piecewise polynomials of total degree 3r defined on a so-called QT triangulation Δ*. Our approach is to construct a minimal determining set and an associated explicit basis for the space S3r^3(Δ*).