量子代数模的张量积与不可分解模

令M是Z[v]的由v-1和奇素数p生成的理想,U是A=Z[v]M上相伴于对称Cartan矩阵的量子代数.k是特征为零的代数闭域,A→k(v(?)ξ)是环同态.U_k=U(?)_Ak,u_k是U_k的无穷小量子代数.令ξ是1的p次本原根.本文证明了:若有限维可积U_k模M,V中至少有一个是内射模,或者M,V中有一个模作为u_k模是平凡的,则有U_k模同构M(?)V≌V(?)M.我们还证明了:若有限维可积U_k模V作为u_k模是不可分解的,有限维可积U_k模M是不可分解的,且M|_(uk)是平凡的,则V(?)M是不可分解U_k模.令V和M是有限维可积U_k模,作为u_k模是同构的且具有单基座,本文证明V和M作为U_k模也是同构的.由此得到:不可分解内射u_k模提升为U_k模是唯一的.     

A Characterization of Quasitriangular Hopf Algebras

In this paper,we show that if H is a finite dimensional Hopf algebra then H is quasitri-angular if and only if H is coquasi-triangular. As a consequentility ,we obtain a generalized result of Sauchenburg.     

原子与单模场相互作用中克尔效应与斯塔克效应的统一处理

处理了包含克尔效应和斯塔克效应的原子与场相互作用模型。由于在其有效哈密顿中作了旋转波近似，两种效应的影响可以归结为对原子与场失谐的改变，这种失谐变化依赖于一个系统的守恒量。研究表明，克尔效应和斯塔克效应在一定条件下是等价的。研究了当场的初态为宏观可区分量子迭加态时，光子的反聚束效应。探讨了在广义的克尔介质中原子与场相互作用模型的求解。     

用振荡偶极子模型计算能级寿命

对能级寿命的物理意义作了较全面的阐述，并运用半径费、半量子理论近似，采用振荡偶极子模型对能级寿命进行了计算，所得结果与各种文献所用结论十分一致。     

高阻恒流LED产生亚泊松光的理论研究

本文研究高阻恒流源驱动的光发射二极管（ＬＥＤ）的输出光场的振幅噪声压缩与电，光量子效率，漏电流效应，泵浦残余噪声频率的关系，指出高阻恒流技术不仅使任意纵模产生振幅噪声压缩，而且由于仅在高阻恒流下各纵模间存在负量子相关，使得ＬＥＤ总输出光场的振幅噪声压缩加深。     

高速CCTS光双稳激光器的研究

从速率方程出发对双区共腔（ｃｏｍｍｏｎ－ｃａｖｉｔｙｔｗｏｓｅｃｔｉｏｎ简称ＣＣＴＳ）光双稳激光器进行了精确的理论分析与计算，并对其稳态特性进行了实验研究和测试，得出了定量和定性的分析结果，同时还首次发现当激光输出高态出又出现了一次光双稳和开关效应。经研究确认是量子阱探测器的自电光效应，并提出一种可集成双逻辑功能显示的新型网络模型器件。     

表示张量积与量子对称

利用量子对称群的概念，我们给出Ｕ＿ｑ（ｓｌ＿ｎ）－多项式、Ｕ＿ｑ（ｓｌ＿ｎ）－外积的定义，说明Ｕ＿ｑ（ｓｌ＿ｎ）的ｑ－振子、ｑ－旋量表示不过是Ｕ＿ｑ（ｓｌ＿ｎ）标准表示的量子对称、量子反称张量积，这和经典情形是一致的。     

用深能级瞬态谱方法研究赝晶Si/Ge0.25Si0.75/Si单量子阱的价带偏移

应变的Ge_xSi_1-x层和未应变的硅层间的能带偏移主要是价带偏移。量子阱中载流子的热发射能与界面的能带偏移有着密切的关系。本文用深能级瞬态谱(DLTS)研究分子束外延生长的p型Si/Ge_0.25Si_0.75/Si单量子阱的价带偏移,阱宽为15nm,考虑到电场的影响和量子阱中第一子能级的位置,对从DLTS得到的热发射能进行适当的修正,可以计算出Si/Ge_0.25Si_0.75/S 关键词：     

GaAs/GaAlAs多量子阱反射型光调制器及自电光效应器件

采用分子束外延技术生长含有大周期数的GaAs/GaAlAs多量子阶(MQW)及分布布喇格反射器(DBR)的PIN结构器件。研究了量子限制斯塔克效应(QCSE),分布布喇格反射及非对称腔模(ASFP)效应对光的反射调制作用及这三种效应的兼容性对光调制及逻辑器件的重要影响。给出我们研制的反射型光调制器及自电光效应器件的实验结果。对于常通型及常闭型调制器,其两态衬比度可达10dB.所研制的SEED器件,其导通光能耗低于10fJ/(μm)²,实现其光学双稳态及R-S光触发器工作。     

ZnCdTe-ZnTe多量子阱的电场效应

本文报导了电场作用下ZnCdTe-ZnTe多量子阱的激子发光特性.用激子局域化的观点解释了激子发光峰随电场增强而增强的现象.在Zn0.8Cd0.2Te-ZnTe多量子阱中观察到了电场作用下自由激子发光谱峰较大的红移和较快的发光淬灭