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91.
《低温与超导》2021,49(7):21-26,37
以二自由度动磁式作动器为研究对象,提出基于Maxwell与Icepak的电磁场、温度场、流体场耦合传递方法。将电磁场中的涡流损耗和铜耗映射到温度场,采用强制液冷对作动器进行散热设计,并与自然冷却的温升进行对比。分析冷却液流速对散热的影响规律,利用管内强制对流Dittus-Boelter关联式与数值模拟结果进行对比验证。结果表明,20℃环境下,自然对流散热和液冷强制对流散热的作动器的最高温度分别为137℃和22℃,液冷散热的温升仅为自然对流散热的20%,液冷散热热平衡时间缩短40%;对作动器温升实现有效抑制;冷却液最佳流速选择在1.6 m/s~1.8 m/s,在此范围内达到温升饱和区;冷却液在雷诺数5 000~11 000的湍流状态下,数值模拟结果与Dittus-Boelter关联式偏差控制在5%—10%,验证了数值模拟结果的正确性。 相似文献
92.
《工程热物理学报》2021,42(6):1423-1430
针对NASA的Rotor37转子,采用数值方法详细研究了气动前掠和压力面叶尖小翼两种控制方法对其总体性能和叶尖流场结构的影响机制。数值结果表明,单独采用前掠和同时采用前掠和小翼联合作用分别使压气机稳定工作范围提升20.1%和27.7%,且对压气机的效率和增压比影响较小。气动前掠一定程度上抑制了间隙区泄漏流引发的气动损失及低速区范围,但是会导致尖区边界层分离及损失明显增加。相比之下,压力面叶尖小翼对由泄漏流诱发的低速区和吸力面边界层分离区均有较好的抑制效果,从而实现压气机稳定工作范围的明显提升。此外,气动前掠和叶尖小翼的作用效果也表明,转子叶顶的静压差虽然是间隙泄漏流的直接驱动力,但不是影响泄漏流强度和作用范围的唯一因素。 相似文献
93.
采用高分子凝胶法制备尖晶石型Co0.5Zn0.5Fe2O4,原位聚合法制备纯聚苯胺和聚苯胺/Co0.5Zn0.5-Fe2O4纳米复合材料.使用傅立叶红外光谱(FTIR)、紫外可见吸收光谱(UV-Vis)、X射线衍射仪(XRD)和透射电子显微镜(TEM)对复合材料进行了表征.FTIR和XRD的结果表明样品为纯聚苯胺和聚苯胺/Co0.5Zn0.5-Fe2O4.UV-Vis光谱表明聚苯胺/Co0.5Zn0.5Fe2O4苯环上的π-π*和n-π*分别红移了23nm和5nm.TEM照片可知,聚苯胺和聚苯胺/Co0.5Zn0.5Fe2O4粒子的平均粒径分别约为50nm和70nm.在8.2~12.4GHz测试频率范围内,聚苯胺/Co0.5Zn0.5Fe2O4的ε″数值在9.2~12.3之间,u″数值在0.15~0.16之间;聚苯胺/Co0.5-Zn0.5Fe2O4介电损耗低于纯聚苯胺,而磁损耗高于纯聚苯胺. 相似文献
94.
95.
为获得直线加速器同轴负载材料FeSiAl的介电常数和磁导率,基于同轴传输反射法,利用矢量网络分析仪,对同轴负载磁性吸波材料FeSiAl的电磁参数进行了测试研究,同时利用电磁场分析软件Microwave Studio进行了测试仿真。研究表明,测量中加工样品与其夹具之间的装配间隙对电磁参数的测试值存在较大影响,进而制作了不同配比的FeSiAl微粉和固体石蜡混合样品,获得混合样品的稳定测试值。对求取电磁参数等效公式的适用性研究表明,Bruggeman,Looyenga,QCACP公式适用于描述该FeSiAl微粉的电磁特性,最后给出了FeSiAl材料的电磁参数。 相似文献
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97.
The security of the quantum secret key plays a critical role in quantum communications.Thus far,one problem that still exists in existing protocols is the leakage of the length of the secret key.In this letter,based on variable quantum encoding algorithms,we propose a secure quantum key distribution scheme,which can overcome the security problem involving the leakage of the secret key.Security analysis shows that the proposed scheme is both secure and effective. 相似文献
98.
为了研究强磁场下薄膜取向生长规律,采用真空蒸发气相沉积法分别制备了不同磁场方向生长的Zn和Bi薄膜.XRD结果发现磁化率差异较小的Zn薄膜在4T时产生了明显的取向生长,而磁化率差异较大的Bi薄膜在5T磁场强度还没有发生取向生长.SEM结果显示Zn薄膜和Bi薄膜晶粒尺寸上有明显的差别,利用Zn薄膜在4T磁场下的取向建立晶粒尺寸和取向生长的对应关系,提出薄膜发生取向时晶粒的磁化能须大于热能kT的420倍.薄膜是否发生取向生长取决于三个因素:薄膜单个晶粒的大小V,材料不同晶向的磁化率差异Δ关键词:
强磁场
磁取向
薄膜生长
材料电磁加工 相似文献
99.
The evolution of inter-device leakage current with total ionizing dose in transistors in 180 nm generation technologies is studied with an N-type poly-gate field device (PFD) that uses the shallow trench isolation as an effective gate oxide. The overall radiation response of these structures is determined by the trapped charge in the oxide. The impacts of different bias conditions during irradiation on the inter-device leakage current are studied for the first time in this work, which demonstrates that the worst condition is the same as traditional NMOS transistors. Moreover, the two-dimensional technology computer-aided design simulation is used to understand the bias dependence. 相似文献
100.