间断磁探针阵列诊断数据的振荡模式分析

托卡马克磁探针阵列通常是围绕等离子体均匀布置的完整环形系统。由于受到布置空间的限制，HL-2A装置的磁探针只能组成带空白区域的间断阵列。在分析了HL-lM极向磁场振荡——Mirnov振荡模式的基础上，探索了HL-2A磁探针阵列诊断应注意的问题。     

包埋Ru（bpy）3C12非线性光催化薄膜在图像处理中的应用

用so1-gel法以正硅酸乙酯、乙醇和蒸馏水为原料，以盐酸为催化剂，包埋三联吡啶钌[Ru(bpy)3C12]制备催化Belousov-Zhabotinsky(BZ)反应的非线性光催化薄膜，并利用紫外分光光度法测定了在薄膜中Ru(bpy)3Cl2的包埋量．通过投影图像的方法光激发BZ反应，在包埋Ru(bpy)3C12的薄膜上产生化学波图像．在薄膜中演化形成的图像具有相当高的图像清晰度．在图像的演化过程中，具有图像反转、边界增强、图像分割等图像处理能力，并可以通过改变BZ反应条件来调控增强某些图像处理能力．     

变In组分沟道的MM-HEMT材料电子输运特性研究

在变缓冲层高迁移率晶体管（MM_HEMT）器件中，二维电子气的输运性质对器件性能起着决定作用.通过低温下二维电子气横向电阻的量子振荡现象，结合变温度的Hall测量，系统研究了不同In组分沟道MM_HEMT器件中子带电子迁移率和浓度随温度的变化关系.结果表明，沟道中In组分为0.65的样品，材料电学性能最好，In组分高于0.65的样品，严重的晶格失配将产生位错，引起迁移率下降，大大影响材料和器件的性能. 关键词： 变缓冲层高迁移率晶体管 Shubnikov_de Hass 振荡     

基于Delaunay三角法的电压门控钾离子通道的分类和拓扑结构识别

本文构建了一个Delaunay模型对电压门控钾离子(Kv)通道进行预测。该方法通过建立一系列带有隐含变量的单纯形来分类电压门控钾离子通道,然后通过未知序列在主成分空间里面的投影来预测结构。结果表明该模型无论是在分类和结构预测上均可以得到很好的结果。     

"电动势"教学难点的突破

电动势是中专物理教材“恒定电流”中的一个重点概念，又是学生难以理解的难点内容．电动势描述了电源内部非静电力移动电荷做功的能力大小，在教学中学生对电源、电动势、电压之间的关系很容易混淆，对电源能持续向外供电的原因不理解，特别是对电源内部由于非静电力搬移电荷做功，使电源两极间保持恒定电势差的事实无法体会，同时，也很难利用实验做到让学生直观、形象地认识，因此形成了教学难点．鉴     

利用J2432交流电特性演示仪做自感演示实验

利用J2432演示仪和指针式演示电表演示了自感过程中电感的电流与电压的相位关系。     

Threshold of Non－Destructive Pulse for Pt Tip of STM on Graphite Surface

The experimental relationship between width and amplitude of the non-destructive threshold pulse for Pt tip of a scanning tunneling microscope (STM) on graphite surface have been studied strictly and systematically in a wide range of pulse width for the first time. The threshold curve of amplitude versus width indicates that the amplitude of threshold pulse will increase with the decrease of the pulse width. A more rigorous explanation is suggested to interpret the dependence of threshold pulse amplitude on width. Fitted with the experimental data,a new empirical formula is given, extrapolated from which the threshold pulse amplitude will rise to 50 V when the pulse width decreases to 10ns.