基于改进区域生长法的电力设备红外图像分割

为实现电力设备红外图像中目标设备图像的分割,对传统区域生长法需要人工选择初始种子点,以及易产生过分割与欠分割的不足提出了改进,将红外图像中邻域均值最大的像素点作为种子点,实现种子点的自动选取。提出了使用Sobel算子计算梯度幅值作为附加限定条件的生长准则。改进的区域生长法的分割效果比传统的区域生长法效果更好。     

一种爆炸二极管机理研究及熄爆通道尺寸对其性能的影响

依据爆炸逻辑元件的工作原理设计了一种爆炸二极管。实验研究了元件内部结构,确定了关键参数为熄爆通道的长度、隔爆序列。隔爆序列内采用激发装置、一次PETN装药、两次PETN装药不同密度分层装药序列。在A、B端连接导爆索,改变熄爆通道尺寸, 确定分层装药参数,进行传爆可靠性、隔爆安全性实验。结果表明:爆轰信号由A端正向输入时,可以顺利通过10~35 mm的熄爆通道并且可靠引爆B端导爆索,满足可靠性功能;爆轰信号由B端反向输入,在熄爆通道长度为15~35 mm时,爆轰信号在通过隔爆序列、熄爆通道时被可靠阻断无法引爆A端导爆索,满足隔爆安全性功能。最终元件选取长度为15~35 mm的熄爆通道, 确定不同密度分层装药参数作为设计标准。应用于爆破网络设计中,使爆轰波信号在网络中单向传播,增加了网络的安全性。     

基于SARIMA-BP神经网络组合方法的MODIS叶面积指数时间序列建模与预测

植被叶面积指数(LAI)时间序列的建模及预测是陆面过程模型和遥感数据同化方法的重要组成部分。MODIS数据产品MOD15A2是目前应用最为广泛的LAI数据源之一,然而MODIS LAI时间序列产品包含了一些低质量的数据,例如由于云层、气溶胶等的影响,该产品在时间和空间上缺乏连续性。MODIS LAI时间序列包含线性部分和外在干扰产生的非线性部分,单一的线性方法或非线性方法都不能对其精确建模和预测。首先利用Savitzky-Golay(SG)滤波和线性插值平滑受到干扰的LAI时间序列,然后采用季节自回归积分滑动平均(SARIMA)方法、BP神经网络方法及二者的组合方法(SARIMA-BP)对MODIS LAI时间序列进行建模及预测。在SARIMA-BP神经网络组合方法中,各自在线性与非线性建模的优势得以充分发挥,其中SARIMA方法用于建模及预测LAI时间序列中的线性部分,BP神经网络方法用于对非线性残差部分进行建模及预测。实验结果显示：SG滤波和线性插值后的LAI时间序列比原LAI时间序列更平滑;SARIMA-BP神经网络组合方法的决定系数为0.981,比SARIMA和BP神经网络的0.941和0.884更接近于1;SARIMA-BP神经网络组合方法的预测值同观测值之间的相关系数为0.991,高于SARIMA(0.971)和BP神经网络(0.942)的相关系数。由此得出结论：SARIMA-BP神经网络组合方法对MODIS LAI时间序列具有更好的适应性,其建模和预测准确性高于SARIMA方法或BP神经网络方法。     

不同驱动力下瓦斯水合物生长过程Raman光谱特征

基于煤矿瓦斯(CH₄∶C₂H₆∶N₂=67.5∶22.5∶10)水合物相平衡曲线开展四种驱动力ΔP水合动力学实验,利用可见显微Raman光谱仪获取水合物生长过程光谱图,根据水合物相中C₂H₆ C-C键伸缩振动特征峰Raman位移确定了4组实验中水合物为sⅡ结构。基于van der Waals与Platteeuw模型获取瓦斯水合物生成过程中水合物相气体组分及水合指数变化规律。研究表明： 驱动力的大小影响水合物的稳定性,随着驱动力的增加,CH₄相比C₂H₆逐渐占据更多的孔穴结构,CH₄在水合物相内比例增加,水合物稳定性越强;瓦斯中N₂,CH₄和C₂H₆进入水合物孔穴优先级可以通过分子与水合物孔穴的直径比进行确定,分析认为在sⅡ水合物结构中小孔穴CH₄优先级最高,大孔穴C₂H₆最高;基于瓦斯水合物稳定性,对水合物生长过程客体分子的物质传递规律进行描述,为瓦斯水合物的微观生长提供理论基础。     

GaSb纳米线的CVD可控制备及其光学表征

采用CVD法合成GaSb纳米线,并分析生长时间对其长度的影响,随后对其进行光学表征.实验过程中,分别采用喷金法和滴金法对硅片进行预处理,再置于相同条件下制备GaSb纳米线;之后对其进行表征分析,根据扫描电子显微镜（SEM）表征结果证实,两种方法制备的纳米线都满足VLS生长机制.且发现GaSb纳米线的生长长度,可以通过改变其生长时间来进行控制.通过该纳米线的透射电子显微镜图（TEM）、X射线衍射图（XRD）等结构表征,表明该纳米线为结晶品质优良的立方闪锌矿结构;同时,从GaSb纳米线的拉曼光谱（Raman）及光致发光谱（PL）可以反映该纳米线具有优良的光学性质.由此证明,采用CVD法制得的纳米线光学性质优异,且可以实现可控制备.     

具有均匀壳层的纳米功能材料：构筑与应用

表面修饰是一种重要的材料处理手段,被广泛应用于催化、光化学、电化学等领域。本文阐述了通过表面均匀包覆构建具有特定功能核壳结构的意义,并分析了构筑均匀包覆层的典型合成方法。同时,针对锂离子电池电极材料这一特定应用对象,综述了进行电极材料表面均匀包覆处理的途径,强调了电极材料核壳结构的构筑对于电极材料表面稳定、电化学性能优化等意义。     

镀碳石英坩埚生长ZnGeP2单晶体

在熔体法生长ZnGeP2单晶体的过程中,如何解决熔体与坩埚的粘连问题是一个研究关键.本文研究了石英坩埚的镀碳工艺,采用化学气相沉积法成功在坩埚内壁镀上结合牢固且均匀的碳膜.采用垂直布里奇曼法,并结合适时补温技术,在内部镀碳的双层坩埚中成功生长出φ20 mm× 50 mm外观完整,无裂纹的ZnGeP2单晶体.经XRD,TEM,FTIR分析结果表明:生长的ZnGeP2晶体缺陷少,结构完整,红外透过率高,是质量较高的单晶体.     

纳米镁铝水滑石的合成、微结构及吸附性能研究

本文以硝酸镁、硝酸铝为原料,以碳酸钠和氢氧化钠为沉淀剂和pH值调节剂,采用液相沉淀法制备了纳米镁铝水滑石层状化合物(Mg-Al-LDHs),利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)及X射线能谱分析仪(EDS)系统比较研究了pH值、反应温度、镁铝比等条件对合成LDHs晶体微结构及晶体生长的影响,同时利用生长基元的配位体理论对其生长机理进行了初步探讨,在此基础上,以甲基橙(MO)模拟染料废水为吸附对象,考察了最佳条件下制备的LDHs培烧产物的吸附性能和吸附机理.研究结果表明:pH值、温度的增加有利于生成结构单一、结晶性、规整性较好的镁铝水滑石晶体,产物晶粒尺寸及径厚比呈增大趋向.当反应温度等于或大于80℃时,温度的升高对镁铝水滑石晶体的形态影响较小.镁铝比的改变对产物的物相影响较小,但影响产物的结晶及生长,当镁铝比为3∶1时,所得产物晶粒的规整度、均一性最好,尺寸约为70-100 nm,厚度为20 nm左右,镁铝比为1∶1时,晶粒粒径明显减小,约为30 nm左右.最佳条件下合成的纳米镁铝水滑石焙烧产物具有较好的吸附性能,随着时间的增加,吸附脱色率逐渐增加,当吸附时间达到70 min,LDO对染料的吸附逐渐达到饱和平衡,脱色率达到90;以上,吸附动力学研究表明LDHs对甲基橙的吸附过程更符合准一级动力学方程,其R2值更接近1,吸附等温线符合Iangmuir模型.     

有向循环的平衡样本设计

鉴于平衡样本设计在抽样调查中有广泛的应用背景, 因此利用组合设计理论, 讨论了带循环自同构的不含邻点的平衡样本设计, 建立了有向CBSEC 存在的充要条件.     

光照强度对缢蛏稚贝生长的影响

为考察缢蛏育苗过程中光强的控制幅度, 研究了不同光照强度对缢蛏稚贝生长的影响. 试验分别选择1mm和5mm不同附着基厚度和4组不同光照强度试验, 时间为10d, 平均光强分别为A: (12244±5290)lx、B: (3792±2105)lx、C: (380±145)lx、D: (14±11)lx(光暗比12h:12h). 当附着基厚度为1mm时, 初始大小(0.26±0.02)mm缢蛏稚贝在A、B、C、D组的生长大小和成活率分别为(1.17±0.11)mm和(72.2±3.9)%、(1.25±0.12)mm和(84.6±4.1)%、(1.55±0.13)mm和(89.7± 4.5)%, (1.32±0.11)mm和(82.1±3.6)%. C组缢蛏稚贝生长大小和成活率都最大, 各组差异显著. 当附着基厚度为5mm时, 缢蛏稚贝在A、B、C、D组的生长大小和成活率分别为(1.48±0.12)mm和(86.3±3.7)%、(1.52±0.13)mm和(89.6±3.9)%、(1.62±0.14)mm和(88.4±4.0)%, (1.41±0.11)mm和(84.3±3.9)%. C组缢蛏稚贝生长大小和成活率都最大, 但是各组没有显著差异. 当实验对象换成较大(1.45±0.16)mm缢蛏稚贝, 光照强度对于薄附着基内稚贝的生长的影响更为明显. 结果表明: 光照强度对缢蛏稚贝生长有明显影响, 稚贝生长过程中最适的光照强度为(380±145)lx, 高于或低于此光照范围, 稚贝的生长率都会受到不同程度的抑制; 适当增加附着基厚度有利于高光强下大规格稚贝的发育生长.