溅射制备纳米晶GaN:Er薄膜的室温发光特性

利用直流磁控共溅射方法制备了GaN:Er薄膜.X射线衍射结果显示薄膜为纳米多晶结构,根据谢乐公式,计算得到了GaN薄膜晶粒的平均大小为5.8nm;透射电子显微镜结果显示为非晶基质中镶嵌了GaN纳米颗粒,尺寸在6-8nm之间;紫外可见谱结果表明在500-700nm的可见光范围内,薄膜的平均透过率大于80%,在紫外可见谱基础上,利用Tauc公式计算得到了纳米晶GaN薄膜的光学带隙为3.22eV;最后,测量了GaN:Er薄膜的室温光致发光谱,获得了Er3 离子在554nm处的强烈绿光发射.     

基于X射线衍射的GaN薄膜厚度的精确测量

结合Williamson-Hall plot方法和线型分析方法的优点,提出了一种有效分离有限晶粒尺寸和非均匀应力等X射线衍射展宽效应的方法,可以用于GaN外延层厚度等参数的快速精确测量.用该方法对一系列在蓝宝石衬底上生长的厚度在0.7—4.2μm的GaN外延膜进行了测量,并与椭圆偏振光谱法测量结果进行了比较,结果表明其差别<4%,反应了这种方法的准确性. 关键词： GaN薄膜 厚度测量 X射线衍射     

磁场测量方法及其应用

磁场测量的发展有着悠久的历史,早在两千多年前,人们就用司南来探测磁场,用于指示方向。随着物理学、材料科学和电子技术的不断发展,磁场测量技术取得了很大进展,磁场测量方法也越来越多。当前,磁场测量技术已广泛应用于地球物理学、空间科学、生物医学、军事技术、工业探伤等领域,成为不可或缺的手段。磁场测量常以磁场强度的大小作为度量标准,针对不同场合下磁场强度的不同,需要采用不同的测量方法。本文将总结与讨论磁场测量的常用方法及其应用。     

大约公元前240年6月：Eratosthenes测量地球

公元前500年前后,大部分希腊人已相信地球是圆的,而非平的。但直到公元前240年左右,在Eratosthenes设计出一个估算地球周长的巧妙方法之后,他们才知道地球有多大。     

夫琅和费衍射与大角度衍射

众所周知,夫琅和费衍射的解析强度分布和暗纹位置是在一系列近似情况下导出的。其中最重要的条件是观测点必须限制在傍轴附近,衍射角不能太大,否则得不到简单的解析公式,也就不能称之为夫琅和费衍射。最近发现有人发明错误的理论将夫琅和费衍射概念及其测量扩展到90°角,其结论与常识截然相反,因此,有必要把混淆的概念予以澄清。     

扫描白光干涉测量技术的算法比较

干涉条纹零光程差位置的确定是扫描白光干涉测量的关键技术之一。介绍了扫描白光干涉法测量物体轮廓的原理,讨论了确定白光干涉条纹零级条纹位置的几种方法,并对随机生成的表面进行了大量的数字模拟测量和分析比较,得出了各种算法对测量准确度的影响。研究结果对白光干涉的应用研究提供了可靠的理论根据。     

光学非接触廓形测量技术研究进展

表面轮廓、几何尺寸、各种模具及自由曲面的精确测量是提高零件数字化制造水平的重要环节。对光学非接触测量方法及其关键技术进行了分析。介绍了光学非接触廓形测量的两种方法:光学被动式廓形测量法和光学主动式廓形测量法。对光学非接触廓形测量常用方法进行了分析。论述了光学非接触测量的关键技术和发展趋势。     

轴对称流场干涉条纹折射率的模拟计算

提出一种获取流场干涉条纹折射率分布的新方法。该方法首先采用不等间隔的环带分割轴对称流场,使折射率变化大的地方获得的数据点密,然后通过对Abel变换进行离散数值计算来获取流场的折射率分布。通过模拟轴对称流场的实时全息干涉条纹证明了该方法不仅简单易行,而且所获取的折射率分布精度高。     

平面偏振光偏转角测量技术的应用

平面偏振光偏转角的测量技术,通过测量光束经过某种物质时偏振面的旋转角度来测量物质的某种特性。此项技术对待测样品不产生影响,所以在无损测量、科学研究、工业和医疗中应用广泛,在生物和化学领域以及新兴生命科学领域中也有重要应用,随着科学技术的发展,此项技术将具有更为广泛的应用前景。     

翻转线圈系统在波荡器积分场测量中的应用

 为了更有效地测量用于上海同步辐射光源波荡器的积分场误差,在已有的伸展线磁测系统的基础上研制了一套翻转线圈磁测系统,该系统的运动控制、数据采集和数据分析处理均可自动完成。在利用这套磁测系统测量3.4×10^-6 T·m磁场积分时获得高于1×10^-6 T·m的测量精度,初步的实验结果表明这套波荡器积分磁场测量系统具有测量精度好、速度快的特点,与已有的伸展线磁测系统、平移线圈磁测系统和霍尔点测系统相比,它更适合于测量波荡器的一、二次场积分和多极场分量。