Study of Squeezed Excitons in Polar Semiconductors

Some properties of excitons in polar semiconductors are studied theoretically by means of squeezed state variational approach. This method makes it possible to consider bilinear terms of the phonon operators as well as linear terms arising from the Lee-Low-Pines (LLP)-like transformation. The exciton ground state energy andbinding energy are calculated numerically. It is shown that the squeezing effect is significant in the case of strong exciton-phonon coupling region.     

单层热激活延迟荧光有机发光器件及其激子分布特性

单层结构对简化有机电致发光器件(OLED)的制备工艺及降低其制造成本具有重要意义.本文采用非掺杂热激活延迟荧光(TADF)发光层,结合C60(2 nm)/MoO3(3 nm)/C60(2 nm)修饰的ITO阳极及4,7-二苯基-1,10-菲啰啉(Bphen,3 nm)修饰的Ag阴极,制备了单层TADF器件(TADF-O...     

ZnO纳米粒子结构对光电量子限域特性的影响

Zn O作为一种宽禁带 (3 .3 6e V)高激子结合能 (60 me V)的半导体材料已引起人们的关注 .Zn O纳米粒子的比表面积较大 ,表面活性较高 ,对周围环境敏感 ,使其成为传感器制作中最有前途的材料[1] ,还在太阳能转换[2 ] 、发光材料[3] 、半导体表面修饰与敏化[4 ] 、纳米电子学以及分子电子学器件[5] 等领域显示出广阔的应用前景 .制约这些应用的关键是 Zn O纳米粒子表面和界面的电子结构和电荷转移行为 ,但有关此方面的报道较少 .本文用溶胶 -凝胶法制备了不同粒径的 Zn O纳米粒子 ,应用表面光电压谱 (SPS)和场诱导表面光电压谱 (FISPS…     

能量在蛋白质α-螺旋链中传输模型的稳定性分析

引入了一个新的模型来描述α螺旋蛋白质分子中3条单肽链的振动能量的贮存和传输,在该模型中考虑了链间的相互作用能量,并对该模型进行了稳定性分析,发现该模型存在非线性局域模,数值模拟的结果表明,该模型存在静止和运动的局域模型.     

The Electron－Hole Pair in a Single Quantum Dot and That in a Vertically Coupled Quantum Dot

The energy spectra of low-lying states of an exciton in a single and a vertically coupled quantum dots are studied under the influence of a perpendicularly applied magnetic field. Calculations are made by using the method of numerical diagonalization of the Hamiltonian within the effective-mass approximation. We also calculated the binding energy of the ground and the excited states of an exciton in a single quantum dot and that in a vertically coupled quantum dot as a function of the dot radius for different vaJues of the distance and the magnetic field strength.     

电场对量子阱中激子能级宽度的影响

本文把固体中较大窨范围运动的粒子作为准经典粒子来描述。将已导出的能量测不准公式和激子的经典力学模型应用到电场下GaAs/GaAlAs量子阱中,激子能级宽度的计算结果与测量结果基本吻合,能较清楚、简单地解释纵向电场和横向电场下激子光吸收线宽的很大的差异。     

(CdZnTe,ZnS)/ZnTe复合量子阱的光学特性研究

设计并制备了一种新型的(CdZnTe,ZnS)/ZnTe复合量子阱结构.使CdZnTe量子阱中的激子有可能在短时间内隧穿到ZnS阱层,从而达到提高光双稳器件“关”速度的目的.并通过对发光特性的研究证实在我们设计的结构中横向激子隧穿的存在,从而为进一步研究超高速光开关提供了实验依据.     

中子诱发16O双微分截面的理论分析

应用已经发展的轻核反应新模型理论,计算和分析了中子诱发¹⁶O反应截面,比较和分析了出射中子双微分截面的理论计算结果和实验数据.从理论计算结果与实验的符合情况看,这一理论和方法对于计算轻核的双微分截面是成功的.     

两种铽配合物与PVK混合体系的发光机理研究

研究了稀土配合物Tb(p-MBA)₃phen(样品Ⅰ)和Tb(p-ClBA)₃phen(样品Ⅱ)与导电聚合物材料PVK掺杂体系的光致发光和电致发光特性。发现在样品Ⅰ与PVK混合薄膜的光致发光中,除了三价铽离子的发光外,还能看到明显的PVK的发光;而在电致发光中,PVK的发光完全被抑制,只能看到Tb3+的绿光发射。对样品Ⅱ与PVK的混合发光层,无论其光致发光谱还是电致发光谱,都没有看到410 nm处PVK的发射。进一步测量两种材料的激发光谱,初步探讨了器件的发光机理。样品Ⅰ的发光可能来源于两个方面,一是PVK到稀土配合物的不完全的能量传递,二是由于载流子俘获机理;样品Ⅱ的发光则是由于PVK到稀土配合物的完全的能量传递。     

氢对GaAs薄膜的钝化作用

报导了射频磁控溅射与沉积气氛掺氢相结合制备单层(13~20 nm厚)高质量GaAs多晶态纳米薄膜的方法,研究了氢钝化对薄膜微观结构及光学性质的影响.对GaAs薄膜进行了X射线衍射、原子力显微镜、吸收光谱、光致荧光谱的研究分析.结果表明,衬底温度500℃的掺氢薄膜和520℃的薄膜呈面心立方闪锌矿结构,薄膜的晶团尺寸较大,微观表面较为粗糙,其吸收光谱出现了吸收边蓝移和明显的激子峰,带隙光致荧光峰强明显增加,说明氢在衬底温度500℃~520℃下对薄膜有重要的钝化作用.