高精度的光纤衰减系数测试系统的设计

利用常规仪器设备，设计了一套集光、机、电为一体的光纤衰减测量,实现了数字化监测显示，并可与微机接口；采用双光路法，消除了由于光源光强不稳定产生的误差。     

松纵坑切梢小蠹虫害的仿真模型与生态防治的优化策略

根据松纵坑切梢小蠹的主要生物学特征,通过分析抚育间伐持续控制松纵坑切梢小蠹虫害的机理,应用复杂适应系统(CA S)理论,建立了模拟松纵坑切梢小蠹虫害的一种动态演化数学模型,并讨论了模型的收敛性.然后选用昆明小哨林场为背景,进行了各种抚育间伐决策的仿真,从中优选抚育间伐决策.结果表明:模拟优化方案与实际调查统计分析结果一致:均为弱度间伐与中弱度间伐控制蠹害效果最好.最后通过森林积材量与虫害程度之间的优化,给出了抚育间伐的优化策略.     

一类平面七次多项式系统赤道环的稳定性与极限环分支

本文研究一类平面七次多项式系统赤道环的稳定性和极限环分支，给出了系统的前12个奇点量公式，可积性条件及在赤道附近存在3个极限环的条件，较为精细地指出了极限环的存在位置。     

亚皮秒光脉冲在密集色散管理光纤中的传输特性

文章从包含高阶效应的非线性薛定谔方程出发,基于一种二阶和三阶色散都作了完全补偿(零路径平均色散)的光纤级联系统模型,用数值法对亚皮秒(几百飞秒)高斯光脉冲在密集色散管理光纤(放大周期远远大于色散补偿周期,La>>Lc)中的传输特性做了研究.结果表明啁啾化亚皮秒光脉冲在短周期色散补偿光纤中可以实现稳定传输.色散管理的密集化程度越高,即色散补偿周期越短,光脉冲在光纤中传输时的呼吸度越小,前后脉冲间的相互作用也越弱,有利于提高光纤传输系统的性能.此外,由于色散管理孤子的系统功率较小,因此高阶非线性项的影响不大.     

第七届亚洲模糊系统学会2006年学术年会会议纪要

2006年9月17日至19日,由中国系统工程学会模糊数学与模糊系统专业委员会、哈尔滨工业大学和河北大学联合主办的第七届亚洲模糊系统学会(AFSS)学术年会在中国保定河北大学召开。来自中国、日本、新加坡、印度、伊朗等国家的与会代表100余名参加了此次会议。9月17日上午8时,第七届亚洲模糊系统学会学术年会开幕式在河北大学教学主楼304报告厅隆重举行。在主席台就座的专家领导有:全国人大常委、中科院院士、本次会议主席、四川大学教授刘应明;亚洲模糊系统学会主席、本次会议程序委员会联合主席、日本明治大学教授Masao Mukaidono;中国数学…     

19F+27Al耗散反应中双核系统的转动与形变

测量了¹⁹F+²⁷Al耗散反应产物B,C,N,O,F和Ne的激发函数,入射束流的能量从110.25MeV到118.75MeV, 能量步长为250keV. 从产物的 能量自关联函数中提取了反应中所形成的中间双核系统的转动惯量, 与相粘模型计算的刚体转动惯量相比较, 结果表明形成的双核系统有大的形变.     

基于TRNSYS的太阳能集热系统能量转化分析与优化

建立了太阳能集热器非稳态数学模型。以工程实例为研究对象,借助于TRNSYS软件,分析不同集热器类型,集热面积,水箱容积,水箱流量对太阳能集热系统性能的影响。优化集热器和水箱设计参数,采用变流量水箱系统,对提高太阳能集热系统综合性能有指导意义。     

146Ce核的八级形变带和准γ带

通过测量²⁵²Cf自发裂变所产生的瞬发γ射线, 对¹⁴⁶Ce核的高自旋结构进行了重新研究, 结果更新了以前报道的能级纲图, 把八级形变集体带扩展到更高的自旋, 并且重新构建了可能的准γ带结构. 此外, 用反射不对称壳模型(RASM)对¹⁴⁶Ce核的八级形变带进行了计算, 低自旋处的计算结果与实验数据符合得很好.     

Formation of Interfacial Layers in LaAlO3/Silicon during Film Deposition

We have studied the interracial reactions between amorphous LaAlO3 thin films and Si substrates, using high- resolution transmission electron microscopy and x-ray photoelectron spectroscopy. It has been shown that the interracial layer between LaAlO3 film and Si substrate chemical states show that the ratio of La 4d3/2 to Al 2p is SiLaxAlyOz. The depth distributions of La, Si and Al of the interfacial layer remains unchanged with the depth compared to that of the LaAlO3 film. Moreover, the Si content, in the interracial layer gradually decreases with increasing thickness of the interracial layer. These results strongly suggest that the Al element is not deficient in the interracial layer, as previously believed, and the formation of a SiLaxAlyOz interracial layer is mainly due to the diffusion of Si from the substrate during the LaAlO3 film deposition. With the understanding of the interracial layer formation, ones can control the interface characteristics to ensure the desired performances of devices using high-k oxides as gate dielectrics.