介质层厚对含负折射率介质Bragg微腔的影响

研究了介质层厚对含负折射率介质一维光子晶体Bragg微腔的缺陷模和双稳态的影响.在中心频率附近将传输矩阵各矩阵元采用泰勒级数展开并取一级近似,得到了缺陷模频率与介质层厚的关系式及品质因子公式.研究结果表明：一级近似法能很好地解释中心频率附近介质层厚对缺陷模频率的影响.理想Bragg微腔结构的缺陷模品质因子最大；递增正折射率介质层厚和增大缺陷层介质层厚、递减负折射率介质层厚及同时等量递减正和负折射率介质层厚,均可使缺陷模红移,双稳态阈值降低.     

一维光子晶体缺陷模的偏振特性研究

利用周期结构的布洛赫定理推导了一维无限光子晶体缺陷模方程,研究了缺陷模的偏振特性,以及在不同入射角和缺陷层厚度下缺陷模位置的变化.利用传输矩阵方法对有限周期数光子晶体也进行了研究,分别对应一维无限光子晶体和有限周期数光子晶体给出了数值计算结果.通过比较这两者的数值结果得出了缺陷模随入射角和缺陷层厚度变化的一般规律.     

一维光子晶体缺陷模偏振特性的研究

利用一维光子晶体的透射率公式,计算出一维光子晶体掺杂后TE波和TM波缺陷模的波长随入射角的响应曲线、缺陷模透射峰随入射角的响应曲线、缺陷模透射峰随入射波长的响应曲线.研究发现,TE波和TM波的缺陷模透射峰均随入射角的增加而向短波方向移动；TE波缺陷模透射峰的半高宽度(FWHM)和峰值随入射角的增加而减小,而TM波缺陷模透射峰的半高宽度(FWHM)和峰值确随入射角的增加而增加；对TM波其波长为λ0的缺陷模也存在明显的“广义布儒斯特角”现象, TE波的缺陷模不存在“广义布儒斯特角”现象.     

Effect of Te doping on superconductivity and charge-density wave in dichalcogenides 2H-NbSe2-xTex （x = 0, 0.1, 0.2）

Single crystals of Te-doped dichalcogenides 2H-NbSe2-xTex （x ---- 0, 0.10, 0.20） were grown by vapour transport method. The effect of Te doping on the superconducting and charge-density wave （CDW） transitions has been investigated. The sharp decrease of residual resistance ratio, RRR = R（3OOK）/R（SK）, with increasing Te content was observed, indicating that the disorder in the conducting plane is induced by Te doping. Meanwhile the superconducting transition temperature, Tc, decreases monotonically with Te content. However, the CDW transition temperature, TCDW, shown by a small jump in the temperature dependence of the resistivity near 30 K, increases slightly. The results show that the suppression of superconductivity might be caused by the enhancement of CDW ordering. The disorder has little influence on the CDW ordering.     

Nd0.67Sr0.33MnOy(Y＜3.0)中的自旋相关电致电阻效应

用固相反应法制备系列Nd0.67Sr0.33MnOy(y=3.00-2.80)多晶样品.样品输运性质表现出自旋相关电致电阻特征.对氧含量等于化学计量样品,在测量温度范围内电阻不随负载电流变化,I-V曲线符合线性欧姆定律.对氧含量低于化学计量样品,当高于某一特征温度时,电阻变化符合线性欧姆定律;但低于这一特征温度时,电阻大小与负载电流有关,I-V曲线偏离线性规律;在绝缘体-导体相转变点附近,样品电阻随负载电流增大而迅速减小,表现出巨大电致电阻效应.对于y=2.85样品,当电流从1μA增加到30μA时,电致电阻接近80%.这种自旋相关的电致电阻行为与氧含量和界面有很大关系.     

美国科学家首次研制成功人造骨髓

美国密歇根大学的一个实验室首次研制成功人造骨髓，可以在试管中源源不断地制造出红细胞和白细胞。此项科研成果对于研究抗癌药物、简化药物检测、研究免疫系统缺陷以及输血用血液的不间断供应等创造了条件。     

MULTIAXIAL BEHAVIOR OF NANOPOROUS SINGLE CRYSTAL COPPER： A MOLECULAR DYNAMICS STUDY

The stress-strain behavior and copper are studied by the molecular dynamics incipient yield surface of nanoporous single crystal （MD） method. The problem is modeled by a periodic unit cell subject to multi-axial loading. The loading induced defect evolution is explored. The incipient yield surfaces are found to be tension-compression asymmetric. For a given void volume fraction, apparent size effects in the yield surface are predicted： the smaller behaves stronger. The evolution pattern of defects （i.e., dislocation and stacking faults） is insensitive to the model size and void volume fraction. However, it is loading path dependent. Squared prismatic dislocation loops dominate the incipient yielding under hydrostatic tension while stacking-faults are the primary defects for hydrostatic compression and uniaxial tension/compression.     

MgO缺陷和不规则表面吸附Cl2的电子结构研究

采用从头算程序对MgO表面 3种不同配位位置吸附Cl2 的构型进行优化 ,并用扩展休克尔紧束缚 (EHT)晶体轨道方法对MgO的缺陷和不规则表面吸附Cl2的可能构型进行能带计算 ,讨论了吸附前后能带组成和成键性质的变化。研究表明 :MgO表面吸附Cl2 将更趋向于吸附在O原子上而非Mg原子上 ,而且在 3种配位中MgO表面三配位氧最有利于吸附Cl2 ;吸附时 ,电子从O原子转移到Cl2 分子的反键轨道 ,但是各种吸附构型的MgO表面对Cl2 的吸附作用均比较微弱 ,是典型的物理吸附。     

等能谷间杂质散射对无序层状系统电导率的影响

本文研究了等能谷间杂质散射对无序层状系统电导率的影响,求得了依赖于平面间耦合t的系统的有效维数的电导率修正。并且发现在计及等能谷间杂质散射时,电导率修正比只考虑谷内杂质散射时小一半,我们研究了层伏系统从二维过渡到三维的跨越维数效应,发现跨越行为依赖于谷间散射时间τ′,当t<1/τ(τ₀/τ′)^1/2时,系统具有二维行为,反之系统具有三维特征。 关键词：