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31.
Ⅱ型平面动力裂纹线场的弹塑性精确解   总被引:3,自引:1,他引:2  
本采用线场分析方法对理想弹塑性Ⅱ型平面应力裂纹裂纹线附近的应力场及弹塑性边界进行了精确分析,本完全放弃了小范围屈服条件,探讨了弹塑性边界上弹塑性应力场匹配条件的正确提法,通过将裂纹线附近塑性区应力场的通解(而不是过去采用的特解)与弹性应力场的精确解(而不是通常的裂尖应力强度因子K场)在裂纹线附近的弹塑性边界上匹配,本得出了塑性区应力场,塑性区长度及弹塑性边界的单位法向量在裂纹线附近的足够精确  相似文献   
32.
胶束荧光法测定维生素B_2含量   总被引:1,自引:0,他引:1  
维生素B_2(核黄素)为人体内黄酶类辅基的组成部分,参与人体内的生物氧化作用。药典规定其含量测定用分光光度法,文献报道有高效液相色谱法、荧光法等。但因维生素B_2(V_(B2))遇光易分解,尤其在碱性水溶液中,极易变质。其降解产物为感光黄素,二氢核黄素,光化色素等,因此给测定的准确度和灵敏度造成一定的麻烦,为了提  相似文献   
33.
不等式约束优化问题的一个势函数   总被引:1,自引:1,他引:0  
基于Carroll(1961)建立的罚函数,本文给出了不等式约束优化问题的一个势函数,并且讨论了该函数的性质.最后证明了在此基础上建立的对偶算法具有Q-线性收敛性.  相似文献   
34.
本文利用拟线性常微分方程解的非存在性定理得到了一类拟线性反应扩散方程(非牛顿渗流方程)爆破界的估计,从而推广了半线性反应扩散方程(牛顿渗流方程)相应结果.  相似文献   
35.
CCD光谱谱线标定方法研究   总被引:9,自引:5,他引:4  
张铁强  郑咏梅 《光学技术》2002,28(3):257-258
CCD作为光谱分析和测色仪器的光谱接收器件 ,光谱谱线定位受单色仪狭缝和CCD光敏元尺寸影响。提出采用最小二乘法做曲线拟合和质心法来确定光谱线在CCD上的精确定位 ,使光谱谱线的定位精度得到提高 ,并且不受CCD光敏元尺寸限制。实验结果表明 ,两种方法对光谱线的定位 ,具有重复性高 ,稳定性好等特点。在定位精度上 ,两者具有一致性。  相似文献   
36.
赵双锁 《计算数学》2006,28(4):409-418
对解强刚性块线代数方程组X=(A(?)J)X φ,本文提出了L-收敛的最佳单参数迭代法(L-OOPI)和L-收敛的多参数迭代直接法(L-MPID),并给出了数值例子.数例表明,对于强刚性块线代数方程组,该二迭代法是有效的.  相似文献   
37.
用HFR方法对CaⅨ-KrⅩⅩⅤ离子3s2,3s3p,3s3d,3p2组态能级结构进行了理论计算.在已有实验研究的基础上,通过分析离子能级沿等电子序列的变化规律,运用最小二乘拟合方法预言计算了GeⅩⅪ-SeⅩⅩⅢ离子3s2,3s3p,3s3d,3p2组态14条精细结构能级值.在此基础上,进一步计算了GeⅩⅪ-SeⅩⅩⅢ离子3s2-3s3p,3s3p-3s3d和3s3p-3p2跃迁的23条谱线波长和相应的振子强度.计算结果与已有的实验值十分吻合,波长的最大不确定度为0.008 nm.  相似文献   
38.
用相对论HartreeFock方法对YⅦ—AgⅩⅤ离子4s24p3和4s24p25s组态的能级结构进行了系统的理论计算.通过分析能级结构的Slater径向积分参数沿等电子序列的变化规律,运用参数拟合外推(或内插)的方法计算了上述离子组态的能级结构参数.在此基础上,计算了Rh,Pd和AgⅩⅤ离子4s24p3(4S32,2P12,32,2D12,32)和4s24p25s(4P12,32,52,2P12,32,2D32,52,2S12)组态的精细结构能级以及这两个组态之间电偶极允许跃迁的全部35条谱线波长与相应的振子强度,其中Pd和AgⅩⅤ离子的所有数据纯属目前的预测计算值.  相似文献   
39.
采用蒙特卡罗方法,对EACVD中氢原子的发射过程进行了模拟。给出了由氢原子谱线测定电子平均能量的方法,结果对EACVD生长金刚石薄膜过程中实时监测电子平均能量,进而可以有效地控制工艺条件,生长出高质量的金刚石薄膜具有重要意义。  相似文献   
40.
碳分子线基态特性理论研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
从第一原理出发,利用密度泛函理论B3LYP系统研究了碳分子线Cn(n=3~10)的电子结构特性.对优化结果分析发现,由于离域效应的作用,当n为奇数时,分子线基态为单重态,反之,当n为偶数时,三重态为其稳定的基态.对其电子结构分析可得,随着n的增加,体系能量逐渐降低;同时本文确定了分子线体系最高占据轨道HOMO能量EH、最低未占据轨道LUMO能量EL与n的关系式,即EHn-2<EHn<EHn+2,ELn-2>ELn>ELn+2.因而碳分子线的费米能级会表现出特有的奇偶性.该工作将有利于准确认识分子器件的伏安特性,设计出良好性能的分子器件.  相似文献   
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