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171.
带有微结构的连续统中新的能量守恒定律和C-D不等式   总被引:7,自引:6,他引:1  
对带有微结构的连续统中现有的基本定律、均衡方程和Clausius-Duhem不等式进行了系统的再研究,发现所有的能量均衡方程和相关的C-D不等式都是不完整的.本文对现有的结果进行了评注,并提出新的能量均衡方程和相关的C-D不等式.  相似文献   
172.
表面修饰的钛酸钡纳米粉体的制备   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用水热法制备出表面包裹有硬脂酸的钛酸钡纳米粉体,并运用一系列手段对其微结构进行了表征.结果表明:产物粒径较小,粒度分布较窄,单分散性较好,其表面为非极性,同时表现出良好的流动性能.认为钛酸钡纳米粉体表面极性的改变是由于其表面包裹了一层硬脂酸,并且包裹层降低了粉体间的相互作用力,从而提高了粉体的流动性.  相似文献   
173.
掺杂纳米硅薄膜中电子自旋共振研究   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
研究了掺杂纳米硅薄膜(nc∶Si∶H)中的电子自旋共振(ESR)及与之相关的缺陷态.样品是用等离子体增强化学气相沉积方法制成,为两相结构,即纳米晶粒镶嵌于非晶本体之中.对掺磷的nc-Si∶H样品,测量出其ESR信号的g值为1.9990—1.9991,线宽ΔHpp为(40—42)×10-4T,ESR密度Nss为1017cm-3数量级.对掺硼的nc-Si∶H样品,其ESR信号的g值为2.0076—2.0078,ΔH关键词: 纳米硅薄膜 微结构 电子自旋共振  相似文献   
174.
采用基于单轴各向异性完美匹配层吸收边界的频域有限差分方法研究一种椭圆芯高双折射微结构光纤的特性.通过计算,分析了空气孔尺寸和孔距对模式双折射、泄漏损耗以及模式截止波长的影响;综合研究了双折射微结构光纤的几种特性及其相互之间的影响和制约关系;并首次采用有效面积的方法研究高双折射微结构光纤的模式截止特性,分析单模传输条件;从而为高双折射微结构光纤的设计提供了一定的理论依据.  相似文献   
175.
基于对NiTi形状记忆合金的实验观察及有限元分析,考虑两相间的应变不协调关系,采用应变修正法建立了计及片层状微结构的本构模型,本模型考虑了两相间的相互约束,及其约束随微结构演化的变化规律.研究了NiTi形状记忆合金微圆管在拉伸和扭转下的响应特性.计算结果与实验结果的对比表明所建本构模型较好地描述了伪弹性响应尤其是较好地描述了拉伸实验过程中的应力跌落现象.  相似文献   
176.
微纳尺度的微结构可调制光场,提高传感器的灵敏度,是新一代功能器件或传感器件中广泛使用的重要结构特征。包含微细加工在内的先进制造技术的快速发展,对多种型式微纳尺度微结构的无损测量技术提出了紧迫的需求。本文从多维视角论述了国内外行业发展中出现的微结构种类、型式,围绕具有高精度无损检测特质的光学显微技术,阐述了国内外仍在继续发展的微结构无损检测四种主流方法,分析了这些方法的技术特点、适用对象,给出了典型样品的检测结果,其中部分结果是首次发表。结果表明,暗场显微机器视觉法,是振幅型颗粒、凹坑、划痕等有害微结构的有效检测方法,可以实现大尺度样品的快速检测;共焦显微成像和低相干显微干涉法是“相位”型微结构的最佳检测方法,可以得到微结构的三维形貌;光谱反演-过焦扫描法与近红外显微干涉法,是应高深宽比微结构无损检测需求而发展起来的新方法,前者可以快速测得线宽和深度,后者可以测得物镜视场范围内高深宽比微结构的三维形貌,二者可以相互验证与补充。  相似文献   
177.
黄威嫔  任科峰  计剑 《化学进展》2020,32(10):1494-1503
聚合物材料表面微结构对其功能化的实现具有至关重要的作用。在过去几十年的时间里,通过电纺、光刻、等离子处理等经典方法制备了各种各样的结构功能表面,实现在光、电、生物、化学等领域的广泛应用。然而为满足技术发展需求,实现表面微结构调控新策略的开发势不可挡。本文主要从分子扩散、材料内应力、外力的施加/释放,以及多种机制协同作用四个角度出发对聚合物表面结构调控的新策略进行介绍,并对今后聚合物表面结构调控的发展方向进行简要论述。  相似文献   
178.
黄昆 《物理》1993,22(5):257-261
  相似文献   
179.
高氢稀释制备微晶硅薄膜微结构的研究   总被引:11,自引:2,他引:9       下载免费PDF全文
采用高氢稀硅烷热丝化学气相沉积方法制备氢化微晶硅薄膜.其结构特征用Raman谱,红外透射谱,小角X射线散射等来表征.结果表明微晶硅的大小及在薄膜中的晶态比χc随氢稀释度的提高而增加.而从红外谱计算得到氢含量则随氢稀释度的增加而减少.小角X射线散射结果表明薄膜致密度随氢稀释度的增加而增加.结合红外谱和小角X射线散射的结果讨论与比较了不同相结构下硅网络中H的键合状态.认为随着晶化的发生和晶化程度的提高H逐渐移向晶粒表面,在硅薄膜中H的存在形式从以SiH为主向SiH2 关键词:  相似文献   
180.
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