Energy Variable Slow Positron Beam Study of Li^＋-Implantation-Induced Defects in ZnO

ZnO films grown on sapphire substrates are implanted with lO0-keV Li ions up to a total dose of 1 × 10^16 cm^-2. Vacancy-type defects, mostly vacancy dusters, are observed by positron annihilation measurements after implantation. Upon annealing, they first have an agglomeration process which leads to the growth in the vacancy size. After anneling at about 500℃, vacancy clusters grow into microvoids, which is indicated by the positronium formation. With annealing temperature increases to above 500℃, the microvoids begin to recover, and finMly M1 the implantation-induced vacancy defects are removed at 1000℃. No Li nanoclusters can be observed after Li^＋ implantation.     

辐照下晶体缺陷浓度的自振频域

采用线性化处理、拓扑映射及数值计算相结合的方法，求解了离子辐照下各向同性晶体薄片中缺陷浓度和温度满足的非线性微分方程组，证明了当可控参量，即缺陷产生速度和恒温箱温度处于某些范围时.会出现缺陷浓度和温度的周期性振动这种时间耗散结构.研究了自振频率与辐射条件和晶体性质的依赖关系,并以硅晶体薄片为例．求出了自振频域及特定的几个自振频率和自振振幅．     

MgB2超导体的正电子湮没研究

本文利用正电子湮没技术(PAT)对不同密度的MgB2样品分别进行了测定,结果发现正电子在MgB2中自由态的湮没时间(本征寿命τ1)和在捕获态的湮没时间(缺陷寿命τ2)比其他高温超导体都明显要高,这反映了MgB2的体电子浓度相对于其它超导体要低,可能归因于MgB2超导材料本身的晶体结构和化学组成,MgB2超导材料的正电子寿命不仅与晶体的结构缺陷,而且与样品的密度或孔隙度有关.     

高温快速退火对重掺锑硅单晶中流动图形缺陷的影响

对大直径重掺锑硅单晶中流动图形缺陷（FPDs）进行了研究.利用高温快速退火工艺（RTA） ，将重掺锑硅片在N₂，Ar，H₂三种不同气氛下进行热处理，对退 火前后FPDs的密度变化进行了研究，分析了重掺锑硅单晶中FPDs在不同高温RTA过程中的热 稳定性.并从重掺杂原子锑与间隙氧之间的关系，分析了重掺锑硅片中FPDs在高温快速退火 工艺下的消除机制，认为重掺锑硅单晶中大量的锑原子，影响了硅片中间隙氧的浓度分布， 进而影响了原生微缺陷的形成及热行为. 关键词： 重掺锑硅单晶 快速退火（RTA） 流动图形缺陷（FPDs） 空洞缺陷     

若干特殊函数在T矩阵求解散射场时的编程实现

本文介绍用T矩阵方法来计算表面缺陷散射场时所用到的几个特殊函数的计算机数值编程方法。主要是球贝塞耳函数的算法、球汉克函数的算法、函数dn0m(θ)的算法和T矩阵的算法。所用编程语言为Delphi6.0。     

硫醇自组装膜的电化学表观有效厚度

应 用循 环 伏 安 及 交 流 阻 抗 技 术 研 究 了 １８ 烷 基 硫 醇 修 饰 的 金 电 极 在 不 同 浓 度 的 Ｋ３ Ｆｅ（ Ｃ Ｎ） ６／ Ｋ４ Ｆｅ（ Ｃ Ｎ） ６ 溶液中的 电化学 行为，测得 反应的 标准 反应 速率 常数 为～１ ０ － ６ ｃ ｍ ·ｓ － １ ，表观电子 传递系数 为 α＝ ０１５ ，β＝ ０２２ ．提 出自 组装 膜 的电 化学 表 观有 效 厚度 概 念 及计 算 方法 ，应用表观 有效厚 度可以定 量说明自 组装膜 的分子倒 伏或塌 陷的缺陷 程度．     

3种常见赤潮藻间相互作用的研究

将中肋骨条藻Skeletonema costatum、赤潮异弯藻Heterosigma akashiwo Hada和微小亚历山大藻Alexandrium minutum以10.8×104cell·mL-1、7.2×104cell·mL-1、0.4×103cell·mL-1接种后进行单种培养、两两混合培养及3种藻混合培养,结果表明:混养对骨条藻增殖有利,而对其他2种藻有胁迫作用.赤潮异弯藻对微小亚历山大增殖有很强的抑制作用,使其在异亚混养中占据优势.赤潮藻间这种相生相克的关系是造成赤潮种群单一化及群落演替的原因之一.     

散射场展开项中截断系数N取值的考虑

本文讨论了用T矩阵求解散射场时,散射场展开项截断系数n取值的问题。取值的原则是既要保证T矩阵方法的计算精度也要保证计算的收敛性。     

硅纳米结构中硅空位缺陷引发的双峰蓝光发射

报道了在硅纳米结构中417nm和436nm双峰结构的蓝光发射的实验和理论研究结果．制备了四种包含和没有包含β-SiC纳米晶粒的硅纳米结构，观察到了417nm和436nm的双峰蓝光发射．光致发光谱的分析和微结构的观察揭示了蓝光发射与硅纳米结构中过剩硅缺陷中心的存在有关．计算了由过剩硅原子形成的含有硅空位缺陷的纳米晶粒的电子能级，发现计算所得的态密度的特征与观察到的双峰发射吻合．这项工作提出了在许多硅纳米结构中存在417nm和436nm蓝光发射的一种可能的机制．     

含双负缺陷的一维光子晶体耦合腔的杂质带特性

利用转移矩阵方法研究了含双负缺陷的一维光子晶体耦合腔的透射谱.计算结果表明，如果改变缺陷的折射率，缺陷模之间的耦合作用将发生改变，使得能隙中的杂质带也随之改变.若这个折射率取适当值，则可以在禁带中同时出现几个尖锐的透射峰和较宽的通带，这种结构可同时用于多通道窄带滤波和宽带滤波. 关键词： 光子晶体 缺陷模 杂质带 滤波