Finite Degree Holomorphic Covers of Compact Riemann Surfaces

A conjecture of Ehrenpreis states that any two compact Riemann surfaces of genus at least two have finite degree unbranched holomorphic covers that are arbitrarily close to each other in moduli space. Here we prove a weaker result where certain branched covers associated with arithmetic Riemann surfaces are allowed, and investigate the connection of our result with the original conjecture.     

多维相关数据的控制图

本文讨论了序列相关时多维控制图问题。当观察数维构据二维AR(2)时间序列时,得出控制椭圆的大小取决于序列相关性质。     

两指标双F统计过程控制图

当产品质量指标服从二元正态分时,可用T2控制图与Λ控制图联合判断产品生产的过程是否处于受控状态。本文利用T2统计量与F统计量、Λ统计量与F统计量之间的关系,得到了两指标情形下两类基于F分布统计量的统计过程控制图,简称双F统计过程控制图,并给出了控制图应用实例。     

准Λ型四能级系统中的超窄谱线的研究

在一般Λ型三能级模型的基础上提出准Λ型四能级系统,并对准Λ型四能级模型的共振荧光谱作了详尽的研究.从上能级向两边下能级辐射的自发辐射谱中产生了三个超窄谱线,且在很大参数范围内光谱具有这一特性.三个超窄谱线的产生是和两个相干驱动场的Rabi频率密切相关,在较大的Rabi频率作用下谱线会变得更窄,而当只有一个驱动场作用时是不会产生谱线变窄效应的.能级间的碰撞弛豫和非相干激发严重地破坏了谱线变窄.这种超窄谱线效应是多通道量子干涉的结果 关键词： 准Λ型四能级系统 超窄谱线 多通道量子干涉     

无K1,r图中的哈密顿圈（英文）

本文借助对图的本质独立集和图的部分平方图的独立集的研究，对于K1,r图中哈密顿圈的存在性给出了八个充分条件。我们将利用T－插点技术对这八个充分条件给出统一的证明，本文的结果从本质上改进了C－Q.Zhang于1988年利用次形条件给出的k-连通无爪图是哈密顿图的次型充分条件，同时。G.Chen和R.H.Schelp在1995年利用次型条件给出的关于k-连通无K1，4图是哈密顿图的充分条件也被我们的结果改进并推广到无K1,r图。     

过氧聚钨酸薄膜上光栅的制备

用过氧聚钨酸（PPTA）水溶液，通过离心涂膜法在显微镜载玻片上制备了具有光滑表面且厚度为100nm的PPTA薄膜，利用PPTA薄膜在紫外光照下可研制光栅以及其它光学元件的薄膜材料，具有很高的利用价值。     

一些特殊图类乘积的离散度

连通图的离散度是用s(G)来表示的,s(G)=max{ω(G-S)-|S|:ω(G-S)>1,SV(G)}.给出了两个完全图乘积的和一个完全图与路的乘积的离散度.还给出了两个完全图乘积的坚韧度.     

对光电效应实验装置的剖析

光电效应是物理学中一个重要课问题，也是近代物理学几个重大的实验之一．一般物理学教材均要介绍光电效应．但是，在众多的教材中，对光电效应实验装置图的引入存在差异，有些有失科学性，因而引起广大物理学教育工作者的关注．     

Interferences in Photodetachment of a Negative Molecular Ion

The photodetachment of a negative molecular ion is studied theoretically using a two-center model. The detached electron wave function is obtained as a superposition of two coherent waves originating from each center. The photo-detached electron flux is evaluated on a screen placed at a large distance from the negative molecular ion. The electron flux on the screen displays strong interferences, the peak positions are related to the distance between the two centers in the negative molecular ion. We a/so obtained a simple analytical formula for the total photodetachment cross section. It approaches one and two times of the cross section for the one-center system in the high and lowphoton energy limits respectively.     

q变形对相干态的相位概率分布特性

通过推广Pegg和Barnett的相位算符和相位态到q变形的双模情况, 应用数值计算 研究了q变形对相干态的相位概率分布特性. 结果表明, q变形对相干态的相位概率分布受到相位参数、q参数和参数│ξ│的调节, 从而反映出不同的量子相干特性.