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在我们自己研制的具有恒温加热进样系统的激光质谱仪上实验获得了气相萘分子的共振增强多光子电离/飞行时间质谱(REMPI-TOFMS),以及萘母体离子C10H+8和一些主要碎片离子C8H+6、C6H+6、C5H+3、C4H+3、C3H+3在264~280 nm的分质量光谱.结合在266 nm激发波长下实验得到的这些离子的光强指数及不同激光能量下的分支比,对母体离子及主要碎片离子的生成机理进行了探讨:在该波段范围内,萘母体分子首先吸收一个光子从基态跃迁至激发态,激发态分子再吸收一个光子而电离产生母体离子C10H+8;碎片离子C8H+6、C6H+6、C5H+3、C4H+3、C3H+3则是由母体离子进一步吸收光子解离形成的,并给出了可能的解离通道. 相似文献
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针对刚性约束层、柔性约束层以及液体约束层,从激光诱导冲击波阵面状态、汽化物(包括气体和等离子体)扩散以及冲击波的反射进行分析,发现对于脉宽小于冲击波通过汽化物层的时间间隔的短脉冲激光,约束层并不能直接提高冲击波的冲量,而对于脉宽大于冲击波通过汽化层时间间隔的激光,其增强冲击效果是通过约束汽化物的扩散,提高压力幅值和由于冲击波在约束层与工件表面的多次反射而延长对工件的作用时间来实现的.刚性约束层能最大地增加冲击冲量,而柔性约束层和液体约束层的主要优点是其形状可与非平面形工件表面符合.
关键词:
激光
约束层
扩散
反射波 相似文献
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基于分步式压印光刻的激光干涉仪纳米级测量及误差研究 总被引:1,自引:1,他引:0
针对在未做隔离保护处理的环境中,基于Michelson干涉原理的激光干涉仪测量系统存在严重的干扰误差,不适合分步式压印光刻纳米级对准测量的要求.采用Edlen公式的分析及计算,不仅在理论上揭示出环境温度、湿度、气压等变化对激光干涉仪测量准确度的影响,而且证明影响测量准确度的最大干扰源是空气流动的结果.通过气流隔离措施和系统测量反馈校正控制器,能够实时补偿激光干涉仪两路信号的相差.最终,测量漂移误差在10 min内由13 nm降低到5 nm以内,满足压印光刻在100 mm行程中达到20 nm定位准确度要求. 相似文献
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强流脉冲电子束在材料中的能量沉积剖面、能量沉积系数和束流传输系数受其入射角的影响很大,理论计算了0.5~2.0MeV的电子束以不同的入射角在Al材料中的能量沉积剖面和能量沉积系数,并且还计算了0.4~1.4MeV电子束以不同入射角穿透不同厚度C靶的束流传输系数。计算结果表明,随着入射角的增大,靶材表面层单位质量中沉积的能量增大,电子在靶材料中穿透深度减小,能量沉积系数减小,相应的束流传输系数也减小;能量为0.5~2.0MeV的电子束当入射角在60°~70°时在材料表面层单位质量中沉积的能量较大。 相似文献
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70.
应用TGT法生长了直径为75mm的U:CaF2晶体,宏观上透明完整.应用公式K0=Cs/Cl计算了U在CaF2晶体中的分凝系数等于0.53.应用溶质分布一般公式Cs=K0C0(1-g)K0-1,计算U的浓度分布与测量值,数值符合说明晶体生长过程接近平衡状态.分析不同条件下生长的U: CaF2晶体的晶胞参数和吸收光谱,结果表明生长气氛决定U的价态及电荷补偿机理:无PbF2存在的条件下,U为+4价,晶体呈绿色;PbF2的加入起到氟化去氧作用,U倾向于以离子半径最接近于Ca2+的U3+存在,晶体呈红色.从晶体生长开始到结束的部位,U3+:CaF2晶体吸收光谱的峰位不变,峰强呈现与U浓度相同的增加趋势.U3+:CaF2晶体外层厚约5mm处呈黄色,含有U3+和U2+的混合价态离子,其原理是石墨坩埚的还原作用通过单质铅,使部分的U3+进一步还原成了U2+.
关键词:
铀
氟化钙晶体
分凝系数
晶胞参数 相似文献